Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  micro-photoluminescence
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
We apply 8.band k.p model to study InAs/GaAs quantum dots (QDs). The strain was calculated using the valence force field (VFF) model which includes the four nearest.neighbour interactions. For the optical properties, we take into account both homogeneous and non.homogeneous broadening for the optical spectrum. Our simulation result is in good agreement with the experimental micro.photoluminescence (µm-PL) result which is from InAs/GaAs QD vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) structure wafer at room temperature. Accordingly, our simulation model is used to predict the QD emission from this QD.VCSELs structure wafer at different temperature ranging from 200–400 K. The simulation results show a decrease of 41 meV of QDground state (GS) transition energy from 250–350 K. The changes ofQDGS transition energy with different temperature indicate the possible detuning range for 1.3.µm wave band QD-VCSELs applications without temperature control. Furthermore, QD differential gain at 300 K is computed based on this model, which will be useful for predicting the intrinsic modulation characteristics of QD-VCSELs.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.