Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  micro-Raman spectroscopy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W artykule omówiono wybrane badania struktur na SiC, przeprowadzone w ramach realizacji projektu InTechFun. Wymagały one zastosowania kompleksu zaawansowanych metod optycznych, fotoelektrycznych i elektrycznych, które pozwoliły na ujawnienie własności strukturalnych kontaktów krzemkowych do SiC oraz wpływu mikro-naprężeń mechanicznych w bramce na niektóre parametry kondensatorów MOS na węgliku krzemu. W szczególności wykonano metodą spektroskopii mikro-ramanowskiej analizę właściwości warstwy węglowej w kontaktach omowych na węgliku krzemu przez porównanie struktury widzianej od strony krzemków oraz podłoża z SiC. Zbadano także metodą foto-elektryczną zależności kontaktowej różnicy potencjałów (φ MS), wysokości barier potencjału na powierzchniach granicznych bramka-izolator (E BG) oraz izolator-półprzewod-nik (E BS) oraz napięcie wyprostowanych pasm (V FB) od stosunku krawędzi do powierzchni bramki (współczynnik R = obwód/powierzchnia) dla różnych materiałów bramek w układzie bramka-SiO₂-SiC.
EN
The results of MOS SiC structures investigation under InTechFun project were presented. Complex and advanced methods, based on electrical, photo-electric and optical measurements were required in order to determine the microstructural properties of the ohmic contacts to SiC and to detect the influence of the mechanical stress distribution under the gate on some electrical parameters in the MOS structures. In the first study, micro-Raman spectroscopy was adopted to analyse the microstructure of silicide/carbonic layers formed within the ohmic contact to SiC. The spectra obtained by illuminating the contact once from the top and then from the bottom were compared. In the second study, the effective contact potential difference φMS, the barrier height at the gate-dielectric interface E BG and the flat-band in semiconductor voltage VFB of the MOS 3C-SiC structure were measured using several electric and photoelectric techniques.
PL
W celu otrzymania powłok biozgodnych i bioaktywnych na substratach z czystego tytanu formowano hydroksyapatyt Ca10(PO4)6(OH)2 (HA) przy użyciu metody hydrotermalnej. Przygotowanie tego rodzaju powłok na metalicznych endoprotezach stawu biodrowego powinno poprawić osseointegrację implantu. Aby przyspieszyć strącanie HA na powierzchni me talu oraz w celu zwiększenia jednorodności powłoki zastosowano różne metody przygotowania podłoża: trawienie w kwasie (HF), zanurzenie w zasadzie (NaOH), zanurzenie w roztworze o składzie zbliżonym do osocza krwi ludzkiej (roztworze Hanka) oraz implantację jonową. Otrzymane powłoki zostały zbadane przy użyciu spektroskopii mikro-ramanowskiej, która jest skuteczną metodą określania składu chemicznego cienkich warstw.
EN
In order to obtain biocompatible and bioactive coating, hydroxyapatite Ca10(PO4)6(OH)2 (HA) was formed using hydrothermal method on pure titanium substrates. Preparation of such type of coating on metallic hip prosthesis should enhance implant’s osseointegration. To accelerate HA precipitation on metal surface and to increase the homogenity of the coating different surface preparation methods were used: acid etching (HF), alkali treatment (NaOH), immersion in salt solution which composition is near to the composition of human blood plasma (Hank’s solution) and ion implantation. The deposited coatings were investigated by Raman microspectroscopy which is a powerful method to determine chemical composition of thin coatings.
EN
Hybrid conducting films, obtained by modification of poly(3,4-ethylenedioxytiophene) doped with Fe(CN)6 4-/3- ions by multicyclic polarization in aqueous FeCl3, NiCl2, and CoCl2 electrolytes, were examined by Energy Dispersive X-ray (EDX) and Micro-Raman measurements. EDX analysis allows to propose composition of metal hexacyanoferate (Mehcf) obtained inside polymer matrix as follows: Fe4[Fe(CN)6]3, Co3[Fe(CN)6]2, NiFe[Fe(CN)6] for materials modified in FeC3, CoCl2 and NiCl2 aqueous electrolytes respectively. Micro-Raman measurements show that the signal from CN is hindered for hybrid systems in comparison with inorganic Mehcf. Stoichiometry of inorganic part of the hybrid materials has been established by means of EDX measurements.
4
Content available remote AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistor with Zn delta-doped base region
EN
The paper presents the technology and characterisation of n-p-n AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistor (HPT) with a thin (50 nm) Zn delta-doped GaAs base region. Such a construction of the HPT transistor was applied to obtain higher current gain and lower power consumption. The electrical and optical properties of the HPT transistor were examined using electrochemical capacitance-voltage (EC-V) measurements, photovoltage, photocurrent and micro-Raman spectroscopies. The measured and simulated I-U characteristics as well as results of time response measurements are also presented and discussed. All investigations were carried out without a base bias ("floating base").
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.