Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: metody fotoelektryczne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi

Przewłocki H. M., Gutt T., Piskorski K., Rzodkiewicz W., Borowicz P., Esteve R., Bakowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

49-52

Przedstawiono wyniki kompleksowej charakteryzacji serii różnych struktur MOS wykonanych na podłożach 3C-SiC. Struktury te różniły się między sobą sposobem wytworzenia warstwy SiO₂ (PECVD oraz utlenianie termiczne w wilgotnym tlenie) oraz materiałem bramki (Al, Au, Ni i poli-Si). Charakteryzację wykonano za pomocą zespołu metod fotoelektrycznych, elektrycznych i optycznych.

The results of the comprehensive characterization of a MOS structures made on 3C-SiC substrate are presented The investigated structures differed in the way the dielectric layer was formed (PECVD, thermal oxidation) and in the gate material (Al. Ni, Au and poly-Si) Many different measurement techniques were employed: photoelectric, electric and optical methods.

Emitery elektronów o niskiej pracy wyjścia

Czerwosz E.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

2005

z. 153

41-48

The films composed of carbonaccous and transition metal nanocrystals show extraordinary low value of work function (measured by photoelectric method). In this paper the differences between field emission of electron and observed electron emission under external electric field from these films are discussed. Some reasons of lowering of work function value are also presented.