Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Pomiary wilgotności w diagnostyce obiektów budowlanych – względne metody elektryczne

Monczyński Bartłomiej

Izolacje

|

2024

|

T. 29, nr 4

100--105

PL

W artykule skupiono się na względnych metodach elektrycznych pomiaru wilgotności obiektów budowlanych. Autor opisał ich specyfikę oraz wyjaśnił pojęcia: przewodność elektryczna, rezystywność, a także względna przenikalność elektryczna.

EN

The article focuses on relative electrical methods of measuring humidity in building structures. The author describes their specificity and explains the following concepts: electrical conductivity, resistivity, and relative electrical permittivity.

2

Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi

Przewłocki H. M., Gutt T., Piskorski K., Rzodkiewicz W., Borowicz P., Esteve R., Bakowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

49-52

PL

Przedstawiono wyniki kompleksowej charakteryzacji serii różnych struktur MOS wykonanych na podłożach 3C-SiC. Struktury te różniły się między sobą sposobem wytworzenia warstwy SiO₂ (PECVD oraz utlenianie termiczne w wilgotnym tlenie) oraz materiałem bramki (Al, Au, Ni i poli-Si). Charakteryzację wykonano za pomocą zespołu metod fotoelektrycznych, elektrycznych i optycznych.

EN

The results of the comprehensive characterization of a MOS structures made on 3C-SiC substrate are presented The investigated structures differed in the way the dielectric layer was formed (PECVD, thermal oxidation) and in the gate material (Al. Ni, Au and poly-Si) Many different measurement techniques were employed: photoelectric, electric and optical methods.

3

Using electre iv in the promotion of social and economic development: a case study in Rio de Janeiro

Gomes L.F.A.M, Rangel L.A.D

Foundations of Computing and Decision Sciences

|

2009

|

Vol. 34, No. 3

155-172

EN

This paper contains an application of a method of Multi-Criteria Decision Analysis (MCDA) in order to deal in a logical way with the difficulty that arises when projects are assessed, under the presence of quantitative and qualitative criteria. Initially, major aspects of MCDA and its methods are presented in the paper. The choice of one particular method is then justified. The method chosen for this particular application was ELECTRE IV. This is a method that belongs to the European School of MCDA and whose use does not imply the knowledge of criteria weights. The use of ELECTRE IV allowed for a reflection on the decision criteria selected as well as on the evaluation procedures currently in use. This led to higher quality of the evaluation process and transparency in resource allocation. The practical experience described in this paper has suggested that the same method or equivalent methods should definitely be considered in similar application contexts.

4

Modele i elektryczne metody charakteryzacji przyrządów MOS i MOS SOI

Łukasiak L.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

|

2002

|

z. 133

3-122

PL

Pracę poświęcono problemom modelowania i elektrycznej charakteryzacji przyrządów MOS i MOS SOI. Są to zagadnienia niezwykle istotne dla dalszego rozwoju technologii krzemowej. Część dotyczącą modelowania ograniczono do prostych, fizycznych modeli statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystorów MOS i MOS SOI. Przedyskutowano zasadność założeń stosowanych najczęściej przy wyprowadzaniu tego typu modeli (długokanałowość, jednorodne domieszkowanie podloża, brak efektów silnego domieszkowania, niezależność potencjału powierzchniowego od napięcia bramki w stanie silnej inwersji, brak rezystancji szeregowej, niezależność ruchliwości od przyłożonego napięcia, pomijalność dyfuzyjnej składowej prądu, niezależność ładunku obszaru zubożonego od położenia w kanale). Przedstawiono pokrótce zjawiska pojawiające się w przyrządach o małych wymiarach. Przedyskutowano także zalety technologii SOI oraz problemy modelowania tranzystorów MOS SOI; rozdział traktujący o modelowaniu stanowi konieczny wstęp do charakteryzacji przyrządów MOS i MOS SOI. Zasadnicza część pracy dotyczy elektrycznej charakteryzacji przyrządów MOS i MOS SOI. Proces charakteryzacji przedstawiono kierując się kryterium struktury testowej, począwszy od najprostszej, tj. płytki podłożowej, poprzez kondensator i diodę z bramką, a skończywszy na tranzystorze. W związku ze zwiększaniem się średnicy płytek podłożowych, ich charakteryzacja, szczególnie zaś nieniszczące metody oceny jakości, nabiera coraz większego znaczenia. Z tego względu jeden z punktów pracy poświęcono technikom charakteryzacji płytek podłożowych, chociaż nie są to techniki ściśle elektryczne. Przedstawiono również trudności wynikające z prób zastosowania tych metod do charakteryzacji podłoży SOI.

EN

This work is devoted to the modeling and characterization of MOS and MOS SOI devices. These issues are extremely important for the further development of silicon technology. The part concerning modeling is limited to simple, physical models of I-V characteristics of MOS and MOS SOI transistors. The assumptions most commonly used to develop such models are discussed (long-channel approximation, uniform doping, lack of high-doping effects, surface potential independent of gate voltage in strong inversion, lack of series resistances, mobility independent of applied voltages, diffusion component of the current neglected, depleted-region charge independent of the position in the channel). The effects appearing in small-geometry devices are described briefly. The advantages of SOI technology as well as the difficulties in the modeling of SOI MOSFET`s are discussed. This chapter is understood as a necessary introduction to the characterization of MOS devices. The main part of this work is devoted to the electrical characterization of MOS and MOS SOI devices. The characterization process is presented using the criterion of the test structures, from the simplest one, that is silicon substrate, through MOS capacitor and gated diode, to MOS transistor.