Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Hall effect test bench for temperature dependence of carrier concentration

Dyndał Katarzyna, Sobków Zbigniew, Sanetra Jerzy, Marszałek Konstanty W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

R. 98, nr 9

231--234

EN

This paper presents an integrated bench for Hall effect measurements consisting of a helium cryostat placed between the electromagnet poles with a field of 0.5 T and a control and measurement system, as well as control algorithm for different operating modes. The results of measurements of majority carrier concentration by van der Pauw method in the temperature range 165 K - 300 K for indium tin oxide (ITO).

PL

W artykule przedstawiono zintegrowane stanowisko do pomiaru efektu Hall’a składające się z helowego kriostatu umieszczonego między nabiegunnikami elektromagnesu o polu 0,5 T oraz systemu kontrolno-pomiarowego, a także algorytmu sterowania dla różnych modów pracy. Zaprezentowano wyniki pomiarów koncentracji nośników większościowych metodą van der Pauw’a w zakresie temperatur od 165 K do 300 K dla warstw tlenku indowo-cynowego (ITO).

2

Metodyka określania parametrów elektrycznych warstw GaSb osadzonych na przewodzącym podłożu

Kotowski Mateusz, Czuba Krzysztof, Smoczyński Dariusz, Jasik Agata

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 9

123--126

PL

W artykule podjęto próbę określenia parametrów warstw epitaksjalnych GaSb o różnej koncentracji atomów berylu osadzonych na przewodzących podłożach GaSb o dziurowym typie przewodnictwa. Wykorzystano do tego zaproponowany w literaturze model wielowarstwowy, który zweryfikowano przez pomiar parametrów elektrycznych warstwy GaSb osadzonej na półizolującym podłożu GaAs. Stwierdzono, że model pozwala poprawnie określać parametry elektryczne warstw wówczas, gdy przewodność całej struktury jest większa niż przewodność podłoża. W przypadku odwrotnym otrzymano zawyżone wartości ruchliwości nośników w temperaturze pokojowej w porównaniu do wartości uzyskanych w temperaturze 77 K dla koncentracji nośników ok. 5 x 1017 cm3.

EN

In the paper, an attempt was made to determine electrical parameters of GaSb:Be layers with various doping concentration grown on conductive p-type substrate. A multi-layer model proposed by Arnaudov et al [10] was used. To verify it, the model was applied to the experimental data obtained for GaSb/GaAs(SI) sample. It was proven that the model correctly calculates electrical parameters, when the conductivity of the entire sample is larger than that of a substrate. In the opposite situation, overestimated values of hole mobility at room temperature were obtained for GaSb layer with p = 5 x 1017 cm3 in comparison with correct values at 77 K.

3

Determination of Fabric Surface Resistance by Van Der Pauw Method in Case of Contacts Distant from the Sample Edge

Tokarska M.

Autex Research Journal

|

2014

|

Vol. 14, no. 2

55--60

EN

The van der Pauw method can be used to determine the electroconductive properties of textile materials. However, the sample surface resistance can be determined provided that the sample has characteristics typical for the van der Pauw structure. In the paper, a method of evaluating the sample structure is shown. The selected electroconductive woven fabrics are used as an example of van der Pauw structure. An analysis of impact of electrodes placement on the resistance measurements was conducted. Knowing how the resistance of the sample varies with the electrodes distance from the edge, the samples’ surface resistances were calculated in cases when the electrodes are placed at the sample edge. An uncertainty analysis of the samples’ surface resistances was conducted based on the Monte Carlo method.