The paper is focused on the analysis of circuits containing MOS transistors fabricated in submicrometer technology, having multiple DC operating points. The transistors are characterized by intricate models BSIM 3 and BSIM 4. To find the operating points an algorithm is proposed, based on the homotopy concept and the simplicial method. The algorithm is capable of finding multiple DC operating points but it does not guarantee finding all of them. The simplicial–homotopy procedure has been implemented in MATLAB, whereas the required circuit analyses are carried out using WinSpice and both environments have been joined together. For illustration three numerical examples are given.
PL
Praca dotyczy analizy obwodów, o wielu rozwiązaniach DC, zawierających tranzystory MOS, wykonane w technologii submikronowej. Tranzystory są reprezentowane za pomocą bardzo złożonych modeli BSIM 3 i BSIM 4. Zaproponowano metodę analizy numerycznej tej klasy obwodów, opartą na koncepcji homotopii i metodzie simplicjalnej. Metoda umożliwia obliczanie wielokrotnych rozwiązań DC, ale nie gwarantuje wyznaczenia wszystkich rozwiązań. Simplicjalno-homotopijna procedura została zaimplementowana w środowisku MATLAB, podczas gdy wymagane analizy obwodów są realizowane przy użyciu programu WinSpice, przy czym oba środowiska zostały połączone automatycznie. Dla ilustracji zamieszczono trzy przykłady obliczeniowe.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.