Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Postępy Fizyki

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: metoda funkcjonału gęstości

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie ab initio powierzchni GaN(OOO1) za pomocą metody funkcjonału gęstości (DFT)

Krakowski S., Kempisty P., Strąk P.

Postępy Fizyki

2010

T. 61, z. 2

68-76

Omówiono stan i znaczenie badań powierzchni GaN (0001) dla rozwoju podstaw fizycznych azotkowych technologii optoelektronicznych. Sposoby modelowania powierzchni za pomocą metody DFT w tym jej sformułowanie i zastosowanie do modelu slabu powierzchni GaN (0001) zostały pokrótce wyjaśnione. Przedstawiono podstawy modelowania wpływu domieszkowania półprzewodnika na własności powierzchni poprzez kontrolę elektrycznych pól przypowierzchniowych. Omówiono wyniki dotyczące czystej powierzchni GaN(OOOl), w tym jej strukturę i własności elektronowe. Wyjaśniono występowanie zjawiska Starka stanów powierzchniowych (Surface States Stark Effect - SSSE) i jego wpływ na energie stanów powierzchniowych i zagięcie pasm przy powierzchni. Wykazano, że pinning stanów powierzchniowych może zachodzić przy ich zmianie energii względem energii pasmowych. Ponadto omówiono modele adsorpcji równowagowy i kinetyczny na przykładzie adsorpcji wodoru i azotu. Wykazano, że modele te dają spójny obraz powierzchni GaN (0001) w metodach metodach wzrostu przy użyciu amoniaku - powierzchnia ta jest pokryta rodnikami NH2.

The present state and the importance of the investigations of GaN(OOOl) surface for the development of physical foundations of nitride optoelectronic technologies are discussed. Surface modeling techniques by DFT method, including its formulation and application to slab models of GaN (0001) surface are shortly explained. The foundations of the simulation of the influence of doping of bulk semiconductors on surface properties by electric subsurface field control are introduced. The results concerning clean GaN (0001) surface, including its structure and electronic properties are discussed. The existence of Surface States Stark Effect (SSSE) and its influence on the energy of surface states energy and band bending is explained. It was shown that Fermi energy pinning occurs at the change of the relative energies of surface and band states. Additionally, the models of the adsorption: equilibrium and kinetic was discussed on example adsorption of hydrogen and nitrogen. It was proved that these models give coherent picture of GaN (0001) surface in ammonia based growth methods - the surface is covered by NH2 radicals.