Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Properties comparison of GaN epilayers deposited under different growth temperatures

Wang P., Yan H., Cao B., Wei W., Gan Z., Liu Z.

Opto-Electronics Review

|

2011

|

Vol. 19, No. 1

30-33

EN

Undoped GaN epilayers were grown on c-plane sapphire substrates under different growth temperatures by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The optical and structural characteristics of these grown samples were studied and compared. It was found that the crystalline quality of GaN film deposited at 1050°C was better that of other samples. Photoluminescence spectra showed that the intensities of yellow luminescence band of the samples decreased as the growth temperature increased. All above test results demonstrate that high temperature deposition can serve as a good method for high-quality GaN epilayer growth and there exists an optimal growth temperature.

2

Optymalizacja procesu osadzania nanowarstw krzemianów baru metodą MOCVD

Mitoraj M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

41-42

PL

Nanometryczne warstwy krzemianów baru były otrzymywane techniką chemicznego osadzania z fazy gazowej w obecności związków metaloorganicznych (MOCVD - Metalorganic Chemical Vapour Deposition). Skład uzyskiwanych warstw był analizowany przy pomocy spektroskopii fotoelektronów wzbudzonych promieniowaniem rentgenowskim (XPS- X-ray Photoelectron Spectroscopy). Specjalnie skonstruowana aparatura badawcza umożliwiała badania in situ powierzchni próbek z naniesionymi warstwami. Zastosowanie różnych kątów detekcji sygnału XPS pozwalało na badanie zmienności składu warstwy w zależności od głębokości analizy oraz szacowanie jej grubości w oparciu o empiryczną zależność podaną przez Fadleya. W celu ograniczenia ilości węgla w warstwie przeprowadzono także eksperymenty z użyciem reagentów gazowych: tlenu, amoniaku i pary wodnej.

EN

The barium silicates nanometric layers were deposited by MOCVD (Metaloorganic Chemical Vapour Deposition) method. Chemical composition of layers was evaluated by XPS (X-ray Photoelectric Spectroscopy) technique. In-depth information about layers composition was obtained from angle - dependent XPS analysis. Fadley's equation was used to estimate layer thickness. Thanks to special home-made devices all analyses were performed in situ. In order to reduce amount of carbon contamination three different reagents: oxygen, ammonia and water vapour were introduced into CVD reactor during the deposition process.

3

Wstępne badania nad syntezą warstw YBa2Cu3O7x(YBCO) metodą MOCVD

Kwatera A., Sawka A., Andreasik P.

Inżynieria Materiałowa

|

2002

|

R. XXIII, nr 5

384-386

PL

Warstwy nadprzewodzącego YBCO(YBa2Cu3O7x) syntezowano metodą MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour Deposition) na szkle kwarcowym oraz na szkle kwarcowym z pośrednią warstwą Al2O3 o grubości ok. 0,3 mikrometra nanoszoną z acetyloacetonianu glinu metodą MOCVD w temperaturze 800 i 1000 stopni Celsjusza. Jako reagentów do syntezy YBCO użyto 2,2,6,6-tetrametylo-3,5-heptanodionianów Y, Ba i Cu-Y(tmhd)3, Ba(tmhd)2 i Cu(tmhd)2. Gazami nośnymi były argon i powietrze. Za pomocą powietrza utleniano węgiel (uboczny produkt pyrolizy metaloorganicznych związków). Temperaturę syntezy warstw zmieniano w zakresie 800-870 stopni Celsjusza. Zbadano niektóre właściwości tych warstw. W pracy przedstawiono wstępne wyniki badań.

EN

Superconducting layers of YBCO(YBa2CuO7x) were synthesized by the MOCVD method on quartz glass and quartz glass covered with Al2O3 layer (thickness about 0,3 micrometer). Which were deposited at temperature 800 and 1000 degrees centigrade using aluminium acetylacetonate (Al(O2C5H7)3) as precursor. YBCO layers was synthesized using 2,2,6,6--tetramethyl-3,5-heptodiante Y, Ba and Cu-Y(tmhd)3, Ba(tmhd)2 and Cu(tmhd)2. Argon and air were used as carrier gases. Air was necessary for elimination of carbon - solid by-product of pyrolisis of organometallic precursors. The temperature of synthesis process was changed in the range of 800-870 degrees centigrade. Some properties of the layers obtained were examined.

4

Warstwy tlenku glinu na węglikach spiekanych otrzymywane metodą MOCVD

Sawka A., Kwatera A., Juda W., Rakowski W.

Inżynieria Materiałowa

|

2002

|

R. XXIII, nr 5

387-389

PL

Warstwy Al2O3 syntezowano metodą MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) z użyciem acetyloacetonianu glinu, czystego argonu (99,999% obj.) oraz powietrza. Warstwy te osadzano bezpośrednio na powierzchniach węglików spiekanych bez pośredniej warstwy TiC w zakresie temperatur 800-1000 stopni Celsjusza. Czas ich syntezy wynosił 15-120 min. Niektóre z otrzymanych warstw w 800 stopniach Celsjusza dodatkowo wygrzewano w temperaturze 850-1000 stopni Celsjusza. Warstwy poddano badaniom na mikroskopie skaningowym współpracującym z mikroanalizatorem dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS). Wykonano również analizę rentgenowską, a także przeprowadzono pomiary mikrotwardości oraz badania na przyczepność warstw do podłoża.

EN

Alumina layers were synthesized by the MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) method using aluminium acetylacetonate (Al(O2C5H7)3), pure argon (99,999% vol.) and air. Layers were deposited on cemented carbides with no intermediate layer of TiC in the temperature range of 800-1000 degrees centigrade. The time of their synthesis was 15-120 min. Some layers synthesized at 800 degrees centigrade were additionally annealed at 850-1000 degrees centigrade. The obtained layers were examined by scanning electron microscopy with EDS attachement. The phase composition of the layers was also investigated by X-ray analysis. The microhardness of the coats and their adhesion to the substrate were also measured.