Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Electrical electrodes of Ni-Me (Me=Ag, Mo, Cu) on YBa2Cu3Ox surface

Woźny L., Kisiel A., Szeloch R.F., Prociów E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 6

102-104

EN

The quality of metallic electrodes affects the measured critical temperature Tc and critical current Ic of high-temperature ceramic superconductors. In this paper the YBa2Cu3Ox system with thin metallic film mono- and bi-layer conductors as a current and voltage electrodes is described. The influence of contact layer systems Ni-Cu, Ni-Ag and Ni-Mo on critical temperature and current density was examined. The simple model of physical phenomena in superconductor-metal interlayer has been presented.

PL

Jakość wykonania metalicznych elektrod ma istoty wpływ na mierzone wartości temperatury krytycznej Tc i prądu krytycznego Ic ceramicznych nadprzewodników wysokotemperaturowych. W pracy przedstawiono wyniki badań elektrod dwuwarstwowych. Elektrody te wykonano w celu poprawienia właściwości elektrod niklowych. Zastosowano rozpylanie magnetronowe z odpowiednich targetów w połączeniu z parowaniem próżniowym.

2

System pomiarowy do wyznaczania histogramów przewodności

Wawrzyniak M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 3

13-17

PL

Przedstawiono system pomiarowy do wyznaczania histogramów przewodności. Histogramy przewodności są wyznaczane w badaniach kwantowania przewodności w nanodrutach. Część mechaniczns opisanego systemu jest uąywana do formowania nanodrutów pomiedzy metalowymi elektrodami. Pozycjonowanie metalowych elektrod jest wykonane za pomocą przetwornika piezoelektrycznego. System pomiarowy umożliwia pomiar przewodności elektrycznej nanodrutów dla szerokiego zakresu predkości oddalania elektrod i różnicy potencjałów pomiędzy elektrodami. Przedstawiono także wpływ nieliniowości różniczkowej przetwornika a/c na wyznaczane histogramy. Aby wyniki pomiarów i wyznaczania histogramów były poprawne należy usunąć wpływ nieliniowości różniczkowej przetwornika a/c poprzez zastosowanie zaproponowanej procedury korekcyjnej.

EN

The paper presents a measurements system for calculation of conductance histograms. Conductance histograms are made in the investigation of the quantization of conductance in nanowires. The machanical setup of the system is used for formatting nanowires between metallic electrodes. Finer adjustments of metallic electrodes are performed by applying a suitable voltage to the piesoelectric conductance of potential difference between electrodes. In is showed how differential nonlineary of analog-to-digital converters introduced significant error in the corresponding conductance histograms. It is described the way of compensation for defferential nonlinearity of the ADC.

3

Badania numeryczne rozkładu potencjału w kropce kwantowej ze sterowaną barierą

Mączka M., Pawłowski S., Kusy A., Machowska - Podsiadło E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1998

|

Vol. 39, nr 4

16-19

PL

Przedstawiono schemat struktury oraz model metalowych elektrod dla tranzystora jednoelektronowego ze sterowaną barierą. W celu numerycznego wyznaczenia rozkładu potencjału w takim modelu dokonano w pierwszej kolejności jego dyskretyzacji a następnie rozwiązano dla niego równanie Laplace'a stosując metodę elementów brzegowych. Przedstawiono przykładowe wyniki obliczeń rozkładu gęstości ładunku na powierzchni metalowej bramki dolnej. Na wysokości występowania gazu elektronowego w tranzystorze jednoelektronowym pokazano uzyskane wyniki obliczeń rozkładu potencjału. Przeprowadzono analizę wpływu wybranych napięć międzyelektrodowych na dwa parametry określające kształt potencjału w kierunku transportu ładunku: wysokość barier (Vb) i głębokość studni (Vo). Stwierdzono, że Vb i Vo są w głównej mierze zdeterminowane przez napięcia pomiędzy bramką dolną i źródłem UGS oraz pomiędzy elektrodami górnymi a źródłem UUS. W oparciu o uzyskane wyniki obliczeń przeprowadzono także analizę wpływu konfiguracji elektrod górnych na kształt potencjału w kierunku transportu ładunku.

EN

The structure and model of the metallic electrodes for the controlled-barrier one-electron transistor have been presented. To evaluate the potential distribution in such a model it has been first discretized and next the Laplace's equation formulated for it has next been numerically solved using edge elements method. As an example the results of surface charge density calculations on the surface of the bottom metal gate have been presented. The results of the potential distribution calculations have been shown for the height in the one-electron transistor where the electron gas exists. The influence of the selected interelectrode voltages on the barrier height (Vb) and the well depth (Vo) determining the potential distribution in the direction of the electrical transport has been analysed on the basis of the obtained numerical results. It has been found that Vband Vo are mainly determined by the voltages UGS between the bottom gate and the source and UES between the upper electrodes and source. On the basis of the obtained numerical results the influence of the upper electrodes shape on potential distribution in the transport direction has been analysed. It has been found that the most important is in this area the size of the protrusions in the upper electrodes. When the size of these protrusions is small enough the barrier height can diminish to zero.