PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  metalizacja chemiczna
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method
Kowalik P., Pruszowski Z.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
105-106
EN
The paper describes a new method of obtaining of Ni-W-P resistor layers, featuring elevated electrical stability. Such layers may be introduced into the manufacturing process of precise metal film resistor.
PL
Artykuł opisuje nową metodę uzyskiwania warstw rezystywnych Ni-W-P, charakteryzujących się podwyższoną stabilnością elektryczną. Warstwy te mogą być wykorzystane do procesu wytwarzania precyzyjnych rezystorów warstwowych.
2
Wpływ podstawowych parametrów wytwarzania stopów Ni-Co-P oraz Co-P na rezystancję i temperaturowy współczynnik rezystancji
Kowalik P., Pruszowski Z., Filipowski W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
64-66
PL
W pracy określono energie aktywacje kąpieli metalizacyjnych dla roztworów Ni-Co-P oraz Co-P pracujących w zakresie kwasowości 3÷5 Ph i temperaturze 368÷373 K oraz określono zakres temperaturowego współczynnika rezystancji (TWR) dla rezystorów otrzymanych w tym zakresie temperatur.
EN
In the following work, activation energy of metallization bath for Co-P and Ni-Co-P was established, worked in pH value between 3 and 5 and temperature value between 368 and 373K and temperature range of resistance coefficient for obtained resistors within this range of temperature.
3
Content available remote Selektywna metalizacja krzemowego ogniwa fotowoltaicznego
Kowalik P., Wróbel E.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 10
103-104
PL
W artykule przedstawiono nowatorski sposób selektywnej metalizacji powierzchni krzemowych na strukturze ogniwa fotowoltaicznego. Przedstawiona technologia umożliwia wytworzenie metalizacji o dowolnie wybranym kształcie na powierzchni ogniwa. Technologia jest prowadzona w temperaturze pokojowej oraz może być w prosty sposób aplikowana do produkcji seryjnej.
EN
This paper presents a novel method for selectively plating on the surface of silicon solar cell structure. The presented technology allows production of metallization of any given shape on the surface of cells. The technology is carried out at room temperature and can be easily applied to mass production.
4
Influence of kinetics parameter of electroless nickel plating in order to optimalisation electrical parameters of Ni-P resistive layers
Pruszowski Z., Kowalik P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
77-79
EN
In this paper the results of experimental studies of the influence of kinetics parameters of electroless Ni plating on the basic electrical parameters of Ni-P resistive layers like sheet resistance and temperature coefficient of resistivity (TCR) are presented. Our experiments showed, among others, that the required minimal value of TCR parameter can be obtained for the following parameters of technological solution: temperature in the range of 368...373K, acidity (pH) in the range of 2.00...2.05, and concentration of basic substrates (Ni salts and reducing hypophosphite salts) in the range of 50...60 g/dm³. For these conditions the atomic concentration of P in the obtained Ni-P resistive layers was at the level of 19.2%, a typical value for the euthectic form. Moreover, the activation energy of metallization process was equal to about 70 kJ/mol.
PL
W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań doświadczalnych nad wpływem parametrów bezprądowego niklowania na podstawowe parametry elektryczne rezystancyjnych warstw Ni-P, takie jak rezystancja powierzchniowa i temperaturowy współczynnik rezystancji (TWR). Nasze doświadczenia wykazały, między innymi, że wymaganą, minimalną wartość parametru TWR można uzyskać dla następujących parametrów technologicznych roztworu: temperatura w zakresie od 368÷373 K, kwasowość (pH) w zakresie 2,00÷2,05 oraz stężenie podstawowych substratów (sól niklu i redukująca sól podfosforynu) w zakresie od 50÷60 g/dm³. Przy spełnieniu takich warunków technologicznych stężenie atomowe P w uzyskanych warstwach rezystywnych Ni-P kształtuje się na poziomie 19,2%, co jest typową wartością eutektyka. Energia aktywacji procesu metalizacji wynosiła około 70 kJ/mol.
5
Content available remote Wytwarzanie stabilnych warstw rezystywnych metodą bezprądowej metalizacji
Pruszkowski Z., Kowalik P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 6
276-278
PL
W niniejszym artykule opisano zmodyfikowany sposób wytwarzania warstw rezystywnych Ni-P metodą chemicznej redukcji zachodzący w kąpieli wodnej prowadzący do otrzymania warstw rezystywnych o rezystancji powierzchniowej 0,5-1 charakteryzujących się minimalnym temperaturowym współczynnikiem rezystancji oraz minimalnymi zmianami rezystancji w próbie na stabilność. W artykule opisano szczegółowo zmiany rezystancji w funkcji temperatury oraz zmiany rezystancji w funkcji czasu dla prób określających stabilność długoczasową warstw rezystywnych.
EN
In this paper is presented modified technology of preparation of Ni-P resistive layers. These layers are characterised by square resistance 0,5 - 1, minimised TCR and best stability. In this paper are described change of resistance with changes of temperature.
6
Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P
Kowalik P., Pruszowski Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
96-97
PL
W niniejszej pracy zbadano wpływ zwiększania stężenia substratów w procesie metalizacji bezprądowej na szybkość reakcji chemicznej redukcji prowadzącej do otrzymania warstw rezystywnych typu Ni-P. W pracy zbadano również wpływ tak pojętej intensyfikacji procesu metalizacji na rezystancję końcową oraz temperaturowy współczynnik rezystancji rezystorów otrzymanych na bazie tych warstw.
EN
In the present study investigated the effect of increasing concerrations of substrates in the chemical metallization on the speed of chemical reaction leading to the reduction in receipt of a resistive layer of Ni-P. The study also examined the impact of such a metallization process intensification understood the final resistance and temperature coefficient of resistance of resistors from such layers.
7
One-stage substrate activation using in resistive layer formation
Kowalik P., Pruszowski Z., Rymaszewska D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
98-99
EN
The paper presents a comparison of electrical parameters of a resistive layer formed on a ceramic substrate by way of chemical reduction, the subject of comparison being the process of metal plating carried out through two-stage and one-stage activation of the metallized substrate.
PL
Praca prezentuje porównanie parametrów elektrycznych warstw rezystywnych Ni-P osadzonych na podłożu ceramicznym w procesie jedno- i dwuetapowej aktywacji.
8
Wytwarzanie warstw rezystywnych typu Ni-Cu-P
Kowalik P., Pruszowski Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 10
12-14
PL
W niniejszej pracy zaproponowano wieloetapową metalizację celem osiągnięcia minimalnej rezystancji końcowej warstwy rezystywnej zawierającej amorficzny stop Ni-P oraz porównano Temperaturowy Współczynnik Rezystancji warstwy rezystywnej o identycznej rezystancji lecz osiągniętej metodą jedno i wieloetapową stwierdzając znaczące obniżenie tego współczynnika jeśli proces prowadzi się metodą wielostopniowej metalizacji.
EN
In this paper the authors proposed a new technology of producing Ni-Cu-P amorphous layers characterized by minimized concentration of Cu. The authors found out that such an alloy, obtained by reducing Cu and Ni ions in an acid bath in the presence of complexons, can be used to produce resistors whose resistance is below 1 Ω. Resistors obtained in this process are characterized by TCR below 10 ppm/K if the process of thermal stabilization of the final product is conducted under the temperature ranging from 160 °C to 180 °C.
9
Niklowe powłoki chemiczne modyfikowane metodą ESA
Ozimina D., Styp-Rekowski M., Madej M., Radek N.
Zeszyty Naukowe Politechniki Świętokrzyskiej. Nauki Techniczne
|
2008
|
Z. 7
115-120
PL
W pracy przedstawiono metodę wytwarzania hybrydowych warstw powierzchniowych o właściwościach przeciwzużyciowych. Powłoki osadzane chemicznie modyfikowano obróbką elektroiskrową. Badania tribologiczne przeprowadzono na aparacie T-01M pracującym w systemie ball-on-disc w warunkach tarcia technicznie suchego jak również podczas tarcia ze smarowaniem. Wyniki badań warstw niklowych otrzymanych bezprądowo i modyfikowanych obróbką elektroiskrową wykazują stabilne właściwości.
EN
The article presents methods of the formation of hybrid, antiwear surface layers. The layers were deposited on steel elements using the electroless plating technique and modify forming by means of electro-spark alloying. The paper presents results of tribological research and effects of interactions by means antiwear additives, performed in a ball-on-disc system (T-01M apparatus).The analyses of the properties of the hybrid antiwear layers confirm that the properties were better.
10
Model matematyczny wiążący parametry elektrofizyczne warstw rezystywnych Ni-P z parametrami procesu bezprądowej metalizacji
Kowalik P., Pruszowski Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 11
68-70
PL
W pracy przedstawiono program komputerowy umożliwiający powiązanie parametrów elektrycznych rezystora z warstwą Ni-P z parametrami jego wytwarzania.
EN
The paper presents the results of study, which effect is computer program in Matlab environment; task of this program is comfortable and precise determining parameters of technological process metallization of chemical layer Ni-P. Data, which program uses, are authors' experimental data, they were sorted and prepared in adequate way for this purpose to make possible forecasting in smooth range provided entrance parameters. Because in industry there are used only acid baths, in respect of bigger content of phosphorus in layer Ni-P, what causes larger stability of received coat, program makes calculations only for these layers received in this conditions. Rate of metallization and also course and stability of this process depend on many various factors, among other things: added reducer, stability agent, buffer or complex agent. These additives have considerable influence on course and stability of metallization process, but mathematical description of influence of these dimensions in no accessible. These additives work differently on metallizating bath depending on its pH, temperature or presence the other additive ingredients. Lack of mathematical model connecting dimensions, about which the paper is written, at the moment makes impossible forecasting parameters of resistive layer contingent on pH, temperature, time of metallization and additionally on concentration substrates simultaneously. Therefore in the first version program makes calculations only for exactly specified composition of metallizing bath.
11
Impulsowa stabilizacja warstw rezystywnych Ni-P
Kowalik P., Pruszowski Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 11
66-67
PL
W artykule przedstawiono nową metodę stabilizacji warstw rezystywnych Ni-P otrzymywanych w procesie bezprądowej metalizacji. Nowa metoda polega na rezygnacji z wielogodzinnego wygrzewania tych warstw w zakresie temperatur 180....220°C, na rzecz krótkich wysokotemperaturowych "impulsów" cieplnych, co pozwala nie tylko na zmniejszenie energochłonności procesu, lecz także na wyeliminowanie szkodliwego zjawiska jakim jest niekontrolowany wzrost TWR warstwy rezystywnej. Efektem tej niekorzystnej modyfikacji tego parametru jest pogorszenie parametrów eksploatacyjnych rezystorów warstwowych stałych wytwarzanych na bazie stopu Ni-P.
EN
This paper present the results of impulse stabilisation of Ni-P amorphous layer, which improve the TCR of resistors which was done on the Ni-P base.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.