PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  memrystor
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Study of forming process in memristive devices using rectangular waves
Zegarmistrz Piotr, Galias Zbigniew
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 1
15--18
EN
This work focuses on the study of behavior of memristors during the process of forming, i.e., setting the resistance of the element and testing the stability of the resistance. Two types of BS-AF memristive elements are selected for laboratory experiments. The goal of the research is to investigate the conditions under which the resistance of the element is changed when voltages of different levels, duration and polarization are applied. Inparticular, weareinterestedinfindingthethresholdvoltagevaluewhichisneededtomodifyofstateoftheelement. Suchavaluedefinesthevoltage level below which one can safely measure instantaneous value of memristor’s resistance (data read operation) without changing this value. The results obtainedshowthatthethresholdvaluedependsonthepolarizationoftheappliedvoltage. Memristorsunderstudyaremuchmoresensitivetoapplying a negative voltage. This means, that a significantly smaller value of the voltage is needed to switch from low to high resistance level than to switch from high to low resistance level. It has also been observed that the final value of the memristor’s resistance depends on the number and level of applied voltage impulses. This study confirms that BS-AF memristors can operate in more than two states in a stable way, which can be beneficial when using memristors in memory structures or for neuromorphic applications.
PL
W pracy opisano wyniki badań nad procesem formowania memrystorów, tzn. programowaniem poziomu rezystancji chwilowej elementu oraz stabilnościa uzyskanej wartości. W części pomiarowej wykorzystano dwa rodzaje elementów memrystorowych z grupy BS-AF. Celem badań było określenie warunków niezbednych do zmiany rezystancji memrystora podczas wzbudzania napięciami o różnych poziomach, czasie trwania i polaryzacji. W szczególności poszukiwano wartości progowej napiecia zasilającego potrzebnej do modyfikacji stanu memrystora. Wartość taka definiuje poziom napięcia, poniżej którego możliwy jest pomiar wartości chwilowej memrystancji (operacja odczytu danych), bez zmiany opisywanej wartości. Uzyskane wyniki wskazują, że wartość ta zależy od polaryzacji przyłożonego napięcia. Badane memrystory są znacznie bardziej czułe na napięcie ujemne. Oznacza to, że znaczaco niższy poziom napiecia jest potrzebny aby przełączyć memrystor ze stanu niskiej do wysokiej rezystancji niż odwrotnie. Zaobserwowano również, że ostateczna wartość rezystancji chwilowej memrystora zależy od liczby i poziomu impulsów napięciowych. Eksperyment ten potwierdza,iz memrystory typu BS-AF mogą uzyskiwać więcej niż dwa poziomy rezystancji chwilowej w stabilny sposób, co może byc kluczowe dla wykorzystania ich w strukturach pamięci lub systemach neuromorficznych.
2
Content available remote Memristive devices In three-phase systems
Zegarmistrz Piotr, Garda Bartłomiej
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 1
11--14
EN
The aim of the research presented in a paper was to provide trustworthy simulation results for symmetrical three-phase systems with memristive load. The memristors in the system are combined with linear resistors in order to limit the current in the element. Linear drift model of the memristorwasconsideredinMatlabsimulations. ItisbasedonStrukovmodelwithBiolekwindow. Highnonlinearityofmemristorresultsindeformation of most of the signals in the system. Since the voltage of the neutral point is highly non-sinusoidal it affects on other signals like phase voltage, phase currents, delta voltages. A Fast Fourier Transform (FFT) is applied to chosen signals in order to provide a frequency spectrum. On this basis a Total Harmonic Distortion (THD) parameter was calculated.
PL
W pracy zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych nad układem trójfazowym symetrycznym z obciążeniem elementami memrystorowymi. Memrystory w obwodzie odbiornika są połączone szeregowo z rezystorami liniowymi w celu ograniczenia prądu. W obliczeniach symulacyjnych przyjęto model memrystora "linear drift", bazujący na modelu Strukova z oknem Biolka. Wysoka nieliniowość elementów memrystorowych skutkuje odkształceniem większości sygnałów w obwodzie. Skoro napięcie punktu neutralnego odbiornika wykazuje wysoką nieliniowość, to skutkuje to odkształceniem pozostałych sygnałów, t.j. napięć fazowych, prądów fazowych czy napięć przewodowych. Do wybranych sygnałów zastosowano Szybką Transformatę Fouriera (FTT) w celu zaprezentowania widma częstotliwościowego. Na tej podstawie obliczono Współczynnik Zawartości Harmonicznych.
3
Content available remote Rozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystorów
Kłos Jarosław W., Bednarek Karol, Kasprzyk Leszek, Mieszczak Szymon
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 1
57--60
PL
W pracy omówiono memrystory – nowe elementy obwodów elektrycznych, których stosowanie może znacząco przyczynić się do rozwoju technologii informacyjnych. Opisano własności funkcjonalne memrystorów ferroelektrycznych ze złączem tunelowym oraz memrystorów z dwutlenku tytanu z mobilnymi wakansami tlenowymi. Przedstawiono również symulacje pracy memrystorów oraz możliwości ich zastosowań.
EN
In the work the memristors were described - the new elements of electrical circuits, which can contribute to the development of information technologies. The functional properties of the ferroelectric memristors with a tunnel joint and titanium dioxide memristors with mobile oxygen vacancies were presented. The simulations of the work of memristors and the possibilities of their applications are also presented.
4
Content available Investigation of the memristor nonlinear properties
Khrapko S., Rusyn V., Politansky L.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2018
|
T. 8, nr 1
12--15
EN
The study of nonlinear systems is an important research topic for scientists and researchers. Memristor, for a long time, it remained just as a theoretical element and rarely appeared in the literature because of having no simple and practical realization. In this paper, we reviewed the theoretical substantiation of the memristor and conducted a practical study of its nonlinear properties using the memristor company KNOWM of series BS-AF-W 16DIP. We also investigated the characteristics of the memristor via the LabView environment.
PL
Badanie systemów nieliniowych jest ważnym tematem dla badaczy i naukowców. Memrystor przez długi czas pozostawał elementem teoretycznym i rzadko pojawiał się w literaturze z powodu braku prostej i praktycznej realizacji. W tym artykule zostały przedstawione teoretyczne uzasadnienie memrystora i badania jego właściwości nieliniowych na przykładzie memrystora firmy KNOWM serii BS-AF-W 16DIP. Zostały przeprowadzone badania charakterystyk memrystora w środowisku LabView.
5
Content available Analysis of an anti-parallel memristor circuit
Mladenov V., Kirilov S.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2018
|
T. 8, nr 2
9--14
EN
The basic purpose of the present paper is to propose an extended investigation and computer analysis of an anti-parallel memristor circuit with two equivalent memristor elements with different initial values of the state variables using a modified Boundary Condition Memristor (BCM) Model and the finite differences method. The memristor circuit is investigated for sinusoidal supply current at different magnitudes – for soft-switching and hardswitching modes, respectively. The influence of the initial values of the state variables on the circuit’s behaviour is presented as well. The equivalent i-v and memristance-flux and the other important relationshipsof the memristor circuit are also analyzed.
PL
Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.
6
Content available Advanced memristor model with a modified Biolek window and a voltage-dependent variable exponent
Mladenov V., Kirilov S.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2018
|
T. 8, nr 2
15--20
EN
The main idea of the present research is to propose a new nonlinear ionic drift memristor model suitable for computer simulations of memristor elements for different voltages. For this purpose, a modified Biolek window function with a voltage-dependent exponent is applied. The proposed modified memristor model is based on Biolek model and due to this and to the use of a voltage-dependent positive integer exponent in the modified Biolek window function it has a new improved property - changing the model nonlinearity extent dependent on the integer exponent in accordance with the memristor voltage. Several computer simulations were made for soft-switching and hard-switching modes and also for pseudo-sinusoidal alternating voltage with an exponentially increasing amplitude and the respective basic important time diagrams, state-flux and i-v relationships are established.
PL
Główną ideą niniejszej pracy jest zaproponowanie nowego modelu nieliniowego dryfu jonowego, odpowiedniego do komputerowych symulacji elementów memrystorowych dla różnych napięć. W tym celu stosowana jest zmodyfikowana funkcja okna Biolek z wykładnikiem zależnym od napięcia. Zaproponowany zmodyfikowany model memrystora oparty jest na modelu Biolek i dzięki temu oraz zastosowaniu zależnego od napięcia dodatniego współczynnika całkowitego w zmodyfikowanej funkcji okna Biolek ma on nową ulepszoną właściwość - zmieniając nieliniową zależność modelu od wykładnika całkowitego zgodnie z napięciem memrystora. Przeprowadzono kilka symulacji komputerowych dla trybów przełączania miękkiego i twardego, a także dla pseudo-sinusoidalnego napięcia przemiennego z wykładniczo rosnącą amplitudą i ustalono odpowiednie podstawowe wykresy czasowe, i zależności stan-strumień oraz prądowo-napięciowe.
7
Memrystor : brakujący element elektroniczny
Domaradzki J., Kaczmarek D., Wojcieszak D., Mazur M., Poniedziałek A., Kotwica T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 7
9--11
PL
Określenie memrystor odnosi się do klasy dwukońcówkowych, pasywnych elementów elektronicznych, charakteryzujących się nieliniową zależnością prądowo-napięciową z pętlą histerezy oraz zdolnością do zapamiętywania swojego stanu (oporu elektrycznego) [1]. Właściwości memrystorów opisane zaostały w pracy Leona Chua w 1971 roku [2]. Jednakże prawdziwy rozgłos memrystor zyskał w 2008 roku za sprawą publikacji naukowców z laboratoriów firmy Hewlett Packard [3]. Odkrycie memrystora zweryfikowane zostało następnie krytycznie w 2015 roku. Niniejsza praca zawiera przegląd dotyczący podstawowych właściwości i potencjalnego zastosowania memrystorów. W artykule zamieszczono również przykłady właściwości cienkowarstwowych struktur na bazie tlenków metali przejściowych, dla których obserwowany jest efekt histerezy na charakterystykach prądowo-napięciowych.
EN
Memristor describes a class of two terminal, passive electronics elements with non-linear current to voltage characteristics in the form of pinched hysteresis loop and ability to remember its state (resistance) [1]. The properties of memristors were described in the work by Leon Chua in 1971 [2]. But, a real fame it gained in 2008 after publication of scientists from Hewlett Packard [3]. The discovery of memristor was then critically verified in 2015. Present work contains a short review of basic properties and possible applications of memristors. In the paper some exemplary results of electrical properties of thin film structures based on transition metal oxides for which a hysteresis loop has been observed in I-V dependence were also presented.
8
Common properties of dynamical models of electric arcs and memristors
Trzaska Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 12
46--55
EN
Cassie Mayr model of electric arcs are presented. In particular, it is shown that (i) the current-voltage characteristic i(u) of the models of both types of elements exhibits the pinched hysteresis nature, (ii) the zero crossing point of the voltage and current occurs at the same instants, (iii) at large values of the power supply frequency f the current- voltage pinched hysteresis loop tends closer to a straight line, meaning that then the current-voltage characteristic represent a classic resistor with a strong linearity for f → ∞, (iv) areas of one period energy loops decrease inversely with respect to the increase of the frequency. Great values of the arc conductance g of the hybrid Cassie Mayr model are independent on the values of the transition current Io. It is shown that the model of a memristive phenomenon and a hybrid Cassie-Mayr model of an electric arc phenomenon exhibit common properties.
PL
Przedstawione są właściwości memrystorowe w odniesieniu do hybrydowego Cassie Mayra modelu łuku elektrycznego. W szczególności wykazano, że (i) charakterystyki prądowo-napięciowe i(u) ujawniane przez modele obu typów elementów przyjmują postać ściągniętej pętli histerezy, (ii) punkt przejścia przez zero zarówno napięcia, jak i prądu występuje w tym samym momencie, (iii) przy dużych wartościach częstotliwości źródła zasilania prądowo-napięciowa pętla histerezy zostaje ściągnięta blisko do zwykłej linii prostej, co oznacza, że wówczas charakterystyka prądowo-napięciowa reprezentuje klasyczny rezystor o silnej liniowości dla f → ∞, (iv) przy wzroście częstotliwości sygnałów w obwodzie powierzchnie ograniczone pętlami energii jedno-okresowej zmniejszają się odwrotnie proporcjonalnie do wartości częstotliwości. W zakresie dużych wartości przewodności łuku g hybrydowego modelu Cassie Mayra są niezależne od wartości prądu przejściowego I o. Wykazano, że model zjawiska memrystorowego i zjawisko łuku elektrycznego opisanego modelem hybrydowym Cassie Mayra wykazują wspólne właściwości.
9
Content available Analiza dynamiki prostego obwodu elektrycznego niecałkowitego rzędu z memrystorem
Busłowicz M.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2013
|
No. 73
35--42
PL
W pracy rozpatrzono szeregowy obwód elektryczny niecałkowitego rzędu zawierający cewkę, superkondensator i memrystor. Stosując badania teoretyczne oraz symulacyjne, przeprowadzone w środowisku systemu Matlab/Simulink, dokonano analizy wpływu niecałkowitego rzędu równań opisujących rozpatrywany obwód na możliwość wystąpienia drgań chaotycznych.
EN
The paper considers electrical circuit of fractional order which has only three elements in series: supercapacitor, coil and memristor. Using theoretical analysis and numerical simulations effects of fractional order on chaotic behavior of the circuit is investigated. Simulations are performed using Ninteger Fractional Control Toolbox for MatLab.
10
Content available remote Memristor - old history and new development
Garczarczyk Z.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2009
|
z. 2
119-124
EN
A brief survey of the properties of a memristor and memristive systems as well as the latest achievements in this field are presented in the paper. The memristor was postulated as a fourth missing circuit element in 1971. It was only a theoretical concept for many years. In May 2008 Hewlett-Packard Labs discovered that the memristor could be realized physically and find new applications to electronic systems.
PL
W pracy dokonano krótkiego przeglądu własności memrystora i systemów memrystorowych oraz ostatnich osiągnięć w tej dziedzinie. Memrystor był postulowany jako czwarty brakujący element obwodu już w 1971 roku. Element ten przez wiele lat miał charakter wyłącznie teoretyczny. Wyniki badań uzyskane w 2008 roku w Hewlett-Packard Laboratory wskazująna możliwość jego fizycznej realizacji i wykorzystania w układach elektronicznych do nowych zastosowań.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.