W pracy omówiono memrystory – nowe elementy obwodów elektrycznych, których stosowanie może znacząco przyczynić się do rozwoju technologii informacyjnych. Opisano własności funkcjonalne memrystorów ferroelektrycznych ze złączem tunelowym oraz memrystorów z dwutlenku tytanu z mobilnymi wakansami tlenowymi. Przedstawiono również symulacje pracy memrystorów oraz możliwości ich zastosowań.
EN
In the work the memristors were described - the new elements of electrical circuits, which can contribute to the development of information technologies. The functional properties of the ferroelectric memristors with a tunnel joint and titanium dioxide memristors with mobile oxygen vacancies were presented. The simulations of the work of memristors and the possibilities of their applications are also presented.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.