Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: memristance

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Rozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystorów

Kłos Jarosław W., Bednarek Karol, Kasprzyk Leszek, Mieszczak Szymon

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 1

57--60

W pracy omówiono memrystory – nowe elementy obwodów elektrycznych, których stosowanie może znacząco przyczynić się do rozwoju technologii informacyjnych. Opisano własności funkcjonalne memrystorów ferroelektrycznych ze złączem tunelowym oraz memrystorów z dwutlenku tytanu z mobilnymi wakansami tlenowymi. Przedstawiono również symulacje pracy memrystorów oraz możliwości ich zastosowań.

In the work the memristors were described - the new elements of electrical circuits, which can contribute to the development of information technologies. The functional properties of the ferroelectric memristors with a tunnel joint and titanium dioxide memristors with mobile oxygen vacancies were presented. The simulations of the work of memristors and the possibilities of their applications are also presented.

Mathematical Modelling and Analysis of Memristors with and without its Temperature Effects

Prasad B., Maddu K., Lakshmi V.

International Journal of Electronics and Telecommunications

2017

Vol. 63, No. 2

181--186

In this paper the main goal is to study the principle structure and characteristics of single and multiple memristors and also the temperature effects. The complete analysis described here is done by using matlab Simulink. The relationship between the on resistance, off resistance and ionic mobility with respect to temperature has been analyzed and shown graphically. The memristor can be used as a High speed switch and it can be used in non volatile computer memories due to its higher switching speeds.