Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2020

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: memory structure

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Study of forming process in memristive devices using rectangular waves

Zegarmistrz Piotr, Galias Zbigniew

Przegląd Elektrotechniczny

2020

R. 96, nr 1

15--18

This work focuses on the study of behavior of memristors during the process of forming, i.e., setting the resistance of the element and testing the stability of the resistance. Two types of BS-AF memristive elements are selected for laboratory experiments. The goal of the research is to investigate the conditions under which the resistance of the element is changed when voltages of different levels, duration and polarization are applied. Inparticular, weareinterestedinﬁndingthethresholdvoltagevaluewhichisneededtomodifyofstateoftheelement. Suchavaluedeﬁnesthevoltage level below which one can safely measure instantaneous value of memristor’s resistance (data read operation) without changing this value. The results obtainedshowthatthethresholdvaluedependsonthepolarizationoftheappliedvoltage. Memristorsunderstudyaremuchmoresensitivetoapplying a negative voltage. This means, that a signiﬁcantly smaller value of the voltage is needed to switch from low to high resistance level than to switch from high to low resistance level. It has also been observed that the ﬁnal value of the memristor’s resistance depends on the number and level of applied voltage impulses. This study conﬁrms that BS-AF memristors can operate in more than two states in a stable way, which can be beneﬁcial when using memristors in memory structures or for neuromorphic applications.

W pracy opisano wyniki badań nad procesem formowania memrystorów, tzn. programowaniem poziomu rezystancji chwilowej elementu oraz stabilnościa uzyskanej wartości. W części pomiarowej wykorzystano dwa rodzaje elementów memrystorowych z grupy BS-AF. Celem badań było określenie warunków niezbednych do zmiany rezystancji memrystora podczas wzbudzania napięciami o różnych poziomach, czasie trwania i polaryzacji. W szczególności poszukiwano wartości progowej napiecia zasilającego potrzebnej do modyﬁkacji stanu memrystora. Wartość taka deﬁniuje poziom napięcia, poniżej którego możliwy jest pomiar wartości chwilowej memrystancji (operacja odczytu danych), bez zmiany opisywanej wartości. Uzyskane wyniki wskazują, że wartość ta zależy od polaryzacji przyłożonego napięcia. Badane memrystory są znacznie bardziej czułe na napięcie ujemne. Oznacza to, że znaczaco niższy poziom napiecia jest potrzebny aby przełączyć memrystor ze stanu niskiej do wysokiej rezystancji niż odwrotnie. Zaobserwowano również, że ostateczna wartość rezystancji chwilowej memrystora zależy od liczby i poziomu impulsów napięciowych. Eksperyment ten potwierdza,iz memrystory typu BS-AF mogą uzyskiwać więcej niż dwa poziomy rezystancji chwilowej w stabilny sposób, co może byc kluczowe dla wykorzystania ich w strukturach pamięci lub systemach neuromorﬁcznych.