Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: memory leakage effect

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

An influence of current-leakage in analog memory on training Kohonen neural network implemented on silicon

Długosz R., Talaśka T., Wojtyna R.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 11a

146-150

The paper presents how the current leakage encountered in capacitive analog memories affects the learning process of hardware implemented Kohonen neural networks (KNN). MOS transistor leakage currents, which strongly depend on temperature, increase the network quantization error. This effect can be minimized in several ways discussed in the paper. One of them relies on increasing holding time of the memory. The presented results include simulations in Matlab and HSpice environments, as well as measurements of a prototyped KNN realized in a 0.18žm CMOS process.

W pracy pokazano jak prąd upływu występujący w analogowych komórkach pamięci wpływa na proces uczenia w sprzętowych realizacjach sieci neuronowych Kohonena (KNN). Prądy upływu w tranzystorze MOS, które mocno zależą od temperatury, zwiększają błąd kwantyzacji sieci. Efekt ten może być minimalizowany na różne sposoby, omówione w pracy. Jeden z nich polega na wydłużeniu czasu przechowywania informacji w komórkach pamięci. Przedstawione wyniki zawierają symulacje w środowiskach Matlab i Hspice, a także badania laboratoryjne prototypu sieci KNN, wykonanego w technologii CMOS 0.18žm.