Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: mechanical sensor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Rezonator z akustyczną falą powierzchniową do zastosowań w czujnikach wielkości mechanicznych

Filipiak Jerzy, Marć Paweł

Przegląd Elektrotechniczny

2020

R. 96, nr 7

121--124

W pracy przedstawiono rezonator z akustyczną falą powierzchniową do zastosowań w czujnikach wielkości mechanicznych. Omówiono jego właściwości na podstawie wyników badań wykonanego modelu. Na bazie rezonatora wykonano ustroje pomiarowe czujnika przyśpieszenia. Otrzymano prostsze konstrukcje w porównaniu do modeli z klasyczną linią opóźniającą. Wyznaczono podstawowe parametry czujnika. Potwierdzono możliwość wykorzystania czwórnikowego rezonatora w czujnikach wielkości mechanicznych.

In the paper the applications of the surface acoustic wave resonator as the mechanical sensors were presented. Its properties were discussed on the basis of the results of the proposed model. Measurement systems of the acceleration sensor were made on the basis of the resonator. Simpler designs were obtained compared to models with a classic delay line. Basic sensor parameters were determined. It was confirmed that four-cross resonator could be used in mechanical size sensors.

Wspomaganie strażaka w warunkach ekstremalnego zagrożenia - monitorowanie stanu ruch/bezruch

Owczarek G., Gralewicz G., Danych R., Ostrowski B.

Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka

2009

nr 10

11-13

Ocena stanu ruch/bezruch jest istotnym elementem określającym motorykę osób znajdujących się w sytuacjach niebezpiecznych. W artykule przedstawiono wyniki badań weryfikacyjnych modelowych układów do monitorowania stanu ruch/bezruch. Zdefiniowano i wyznaczono tzw. współczynniki sprawności modułu pomiarowego do określenia stanu ruch/bezruch. Zbadano układy z czujnikiem przyspieszeń liniowych, akcelerometrem oraz czujnikiem mechanicznym. Wyniki badań pozwoliły na wybór metody monitorowania ruchu w projektowanej odzieży dla strażaków.

Information about emergency workers' mobility/immobility is an important parameter in dangerous situations. This paper presents the results of a verification of a prototype system for monitoring mobility/immobility. It defines and sets coefficients of efficiency of the measuring module for determining mobility/immobility. Systems with a linear acceleration sensor and with a mechanical sensor were examined. The results make it possible to select methods of monitoring mobility/immobility in protective clothing for firefighters.

Oscylator pierścieniowy CMOS jako układ detekcji odkształcenia nanoczułych mikrosond krzemowych

Dumania P., Łysko J., Kłos H., Grodner M., Skwarka K., Szmigiel D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 6

214-216

Zaprezentowano nanoczułe mikrosondy krzemowe do pomiaru wielkości mechanicznych, w których do detekcji odkształcenia wykorzystano oscylatory pierścieniowe CMOS, zintegrowane z mikrobelką krzemową. Efekt piezorezystywności powoduje, iż odkształcenie belki zmienia parametry tranzystorów MOS, co z kolei wpływa na częstotliwość rezonansową oscylatora pierścieniowego. Zintegrowane mikrosondy wykonano w technologii CMOS 3,5 µm z bramką polikrzemową i jednym poziomem metalizacji. W części mikromechanicznej posłużono się techniką reliefu do uformowania bardzo cienkich belek o grubości 3...4 µm. Osiągnięto czułość 5...8 Hz/nm przy początkowej częstotliwości rezonansowej oscylatora ~10,8 MHz.

Silicon microprobes for nanosensitive mechanical measurements are presented. They consist of the silicon microbeams, which are integrated with the CMOS ring oscillators. Piezoresistivity phenomenon is responsible for the MOS transistor parameter changes under mechanical stress. In consequence, the ring oscillator consisting of stressed MOS transistors gives resonant frequency shift. Integrated microprobes were fabricated with use of standard 3.5 µm CMOS technology, with one polysilicon layer and one metal level. Micromechanical part of technology was based on the relief technique, enabling 3.. .4 µm thick beams formation. With initial (no stress) resonant frequency about 10.8 MHz of the ring oscillator, beam deflection sensitivity 5...8 Hz/nm was obtained.