PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  matryca laserowa
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Analiza własności cieplnych matryc laserów VCSEL emitujących falę 850 nm
Sarzała Robert P., Poborska Julita
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 10
237--240
PL
W pracy przedstawiono wyniki numerycznej trójwymiarowej analizy termicznej w stanie ustalonym macierzy laserów VCSEL (laserów emitujących z powierzchni z pionową wnęką rezonansową) emitujących falę 850 nm, wykorzystując metodę elementów skończonych. Zbadano wpływ na wzrost temperatury w matrycy rozmiaru apertury tlenkowej obszaru czynnego pojedynczych emiterów matrycy, rozmiaru matrycy, rozmiaru podłoża, odległości między emiterami, ilości ciepła wydzielonego w każdym emiterze oraz jakości połączenia termicznego między matrycą a chłodnicą.
EN
A thermal 3D steady-state analysis of 850 nm vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays based on the finite element method (FEM) is presented in this paper. Several oxide aperture diameters active region of single emitter, array sizes and substrate sizes, several values of the distance between adjacent emitters, various heat source densities, and the impact of the quality of thermal connections between the semiconductor structure and the heat sink are considered.
2
Content available remote Analiza termiczna dwuwymiarowych matryc laserów VCSEL
Sarzała Robert P., Poborska Julita
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
166--169
PL
W pracy przedstawiono wyniki numerycznej analizy termicznej matryc laserów GaAs VCSEL emitujących falę 850 nm. Obliczenia wykonano dla pojedynczego lasera oraz dwóch typów matryc: nieskończonej i półnieskończonej. Uwzględniono różne wielkości apertur elektrycznych, różne odległości między emiterami oraz różną gęstość źródeł ciepła. Trójwymiarowe modele rozpływu ciepła pozwoliły określić rozkłady temperatury, dolną i górną granicę rezystancji termicznej analizowanych urządzeń oraz wzajemne oddziaływanie cieplne między emiterami matryc laserowych.
EN
In this paper the results of thermal numerical analysis of 850 nm GaAs VCSEL arrays are presented. A single VCSEL emitter and two types of VCSEL arrays: infinite and semi-infinite, were modelled. Several oxide aperture diameters, several values of the distance between emitters and various heat source densities were considered. The models for 3-D heat spreading allowed us to determine the heat flow distribution and to obtain the upper and lower bounds for both thermal resistance of single emitters and thermal crosstalk in arrays.
3
Content available remote Analiza wpływu zmian konstrukcyjnych lasera azotkowego na możliwość zwiększenia jego wyjściowej mocy optycznej
Kuc M., Sarzała R.P., Perlin P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 9
62-65
PL
W niniejszej pracy przedstawiono wyniki numerycznej analizy możliwości zwiększenia mocy wyjściowej uzyskiwanej z krawędziowego lasera azotkowego oraz zaprojektowanych na jego podstawie jednowymiarowych matryc laserowych poprzez zastosowanie wybranych zmian konstrukcyjnych. Dwuwymiarowy elektryczno-cieplny model numeryczny został skalibrowany dla danych eksperymentalnych otrzymanych dla lasera pracującego z falą ciągłą w temperaturze pokojowej wykonanego w laboratorium Instytutu Wysokich Ciśnień UNIPRESS Polskiej Akademii Nauk. Przeprowadzone obliczenia miały na celu określenie wpływu na optyczną moc wyjściową modelowanych przyrządów takich parametrów konstrukcyjnych, jak: szerokość chipu laserowego, grubość podłoża, grubość warstwy złota w kontakcie elektrycznym typu p, liczba i rozstawienie emiterów w matrycy laserowej.
EN
This paper presents calculation results of performance of III-N-based laser diode and its arrays (bars) with various package modifications. We adjusted our 2D thermal-electrical model to room-temperature continuous-wave operating characteristics of nitride-based edge-emitting laser fabricated in the Laboratory of Institute of High Pressure Physics. The impact of chip width, substrate thickness, thickness of p-type gold electrode, number of emitters and emitter-to-emitter distance on output power limits of nitride laser diode is investigated.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.