In our previous works we have proposed an empirical model of interconnection capacitances, taking into accountfurther neighborhood of the line in the bus. The model was developed for technologies based on SiO₂ as the isolating material between interconnection lines and metal layers, and it was verified numerically and experimentally [1,2]. In most advanced technologies Iow-k materials displace SiO₂, as they enable to reduce capacitances significantly. In this paper we present results of our studies on usability of our model in statistical simulation of structures using different and heterogeneous isolating materials. As in such cases it may be hard to determine the effective value of dielectric permittivity, we proposed the method to overcome this problem by using calibration of the formulas during calculations.
PL
W naszych wcześniejszych pracach zaproponowaliśmy empiryczny model pojemności połączeń wewnątrzukładowych, biorący pod uwagę dalsze sąsiedztwo ścieżki w magistrali. Model ten był opracowany z myślą o technologiach opartych na SiO₂ jako materiale izolacyjnym między ścieżkami i został zweryfikowany numerycznie i eksperymentalnie [1,2]. W zaawansowanych technologiach, w celu zmniejszenia pojemności pasożytniczych, SiO₂ jest zastępowany materiałami o niższej przenikalności dielektrycznej. W niniejszym artykule przedstawiamy rezultaty naszych badań nad użytecznością opracowanego modelu w symulacji statystycznej struktur wykorzystujących niejednorodny materiał dielektryczny jako izolator. W takim przypadku wyznaczenie efektywnej wartości przenikalności dielektrycznej może być trudne, zaproponowaliśmy więc metodę przezwyciężenia tego problemu poprzez zastosowanie odpowiedniej kalibracji wzorów w trakcie obliczeń.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.