Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Porównanie skuteczności algorytmów regresji nieliniowej w procesie identyfikacji centrów defektowych półizolujących materiałów półprzewodnikowych

Kaczmarek Witold, Suproniuk Marek, Piwowarski Karol, Perka Bogdan, Paziewski Piotr

Przegląd Elektrotechniczny

|

2021

|

R. 97, nr 10

110--113

PL

W artykule zostały przedstawione testy algorytmów regresji nieliniowej w zastosowaniu do identyfikacji parametrów centrów defektowych, z zasymulowanych relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Wyniki otrzymane w trakcie eksperymentu są podstawą do wykorzystania algorytmów regresji nieliniowej w procesie identyfikacji centrów defektowych.

EN

The article presents tests of nonlinear regression algorithms used to identify the parameters of defect centers from simulated photocurrent relaxation signal. The results of the experiment are the basis for the use of non-linear regression algorithms in the process of identifying defect centers.

2

To, co o węgliku krzemu wiedzieć warto

Racka-Szmidt K., Tymicki E.

Postępy Fizyki

|

2016

|

T. 67, z. 1-2

31--38

PL

W niniejszej pracy przedstawiono podstawowe informacje dotyczące węglika krzemu (SiC) - materiału półprzewodnikowego perspektywicznego dla szeregu istotnych zastosowań w sensoryce czy spintronice, ale głównie w przyrządach półprzewodnikowych dużej mocy, wielkiej częstotliwości i wysokich temperatur. Na podstawie wybranych wyników badań przedstawiono niektóre problemy związane z wytwarzaniem i charakteryzacją monokryształów tego bardzo „trudnego” technologicznie materiału.

3

Recykling modułów fotowoltaicznych

Klugmann-Radziemska E., Kuczyńska A.

Recykling

|

2015

|

nr 6

24--26

4

Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs

Suproniuk M., Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 9

165-168

PL

Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs.

EN

Energy development largely depends on the properties of semiconductor materials, which are used for fabrication of power converters system components. Used so far silicon-based components are now being replaced by elements of made of gallium arsenide. The parameters of the new type of devices, however, are strongly dependent on the properties and concentrations of lattice point defects in this material. The photoinduced transient spectroscopy is a powerful method for studying defect centers in semi-insulating (SI) GaAs. A model is proposed and the analysis of the effect of the electron-hole pairs generation rate on the rise of the excess charge carriers concentrations in semi-insulating GaAs for the assumed properties and concentrations of defect centers has been performed.

5

Znane i nieznane reguły fotowoltaiki

Lange G.

Świat Szkła

|

2012

|

R. 17, nr 7-8

40-43

6

Fotowoltaika w kolorze

Muszyńska-Łanowy M.

Świat Szkła

|

2011

|

R. 16, nr 4

4-9

7

Intermetallic phases of the AIBVXVI(2) type in the Tl(2)Se-Bi(2)Se(3) and Tl(2)Te-Bi(2)Te(3) systems

Zaleska E., Gaweł W.

Archives of Metallurgy

|

2001

|

Vol. 46, iss. 3

261-268

EN

Searching for new scmiconductivc materials focused interest of many scientists on ternary systems A1 - BV - XVI where A1 = Ag. Tl, Cu: BV = As. Sb. Bi: XVI = S, Se, Te. A special attention was paid to quasibinary systems of the type A21 - B2V - X3VIin which many ternary compounds were formed. In the most of these systems two types of compounds occur of general formulae A1BVXVI2 and A19BVXVI6, From the review of the data on these compounds a question arises whether they arc those of stoichiometric compositions or intermediate phases of variable composition. The concentration cell EMF measurement method has been proposed as the best one to solve the problem. One of the most advantageous qualities of the method is a possibility to discriminate between solid phases of a bcrthollidc and a daltonidc type. Employing the method it has been shown that a compound formed in the middle concentration range of the systems Tl2Se - Bi2Se3 was a phase of variable composition of the daltonidc type existing within a concentration range 2 mole % wide. This conclusion results from that the inflexion point on the concentration dependence of the EMF temperature coefficients occurred at 50.0 mole % Bi2Se3. Accordingly, to the compound a stoichiometric formula TlBiSe2 may be ascribed. The TI2Te - Bi2Te3 system was studied by several groups of investigators but their results differ considerably from one another. The divergences concern mainly nature of the compound TlBiTe2 formed in the system at 50.0 mole % Bi2Te3. From the considerations in the present work it follows that the only way of solution of the question is the concentration cell EMF measurement method.

PL

W wyniku poszukiwań nowych materiałów półprzewodnikowych, wiciu badaczy zainteresowa- ło się układami trójskładnikowymi A1 - BV - XVI gdzie A1 = Ag. Tl, Cu: BV = As. Sb. Bi: XVI = S, Se, Te. Szczególną uwagę poświęcono układom kwazibinarnym typu A21 - B2V - X3VI, w których tworzą się liczne związki potrójne. W większości takich układów spotyka się dwa typy związków o ogólnych wzorach A1BVXVI2,: i A19BVXVI6. Z przeglądu danych o tych związkach powstaje pytanie czy są to związki o składach stcchiomctrycznych, czy leż fazy pośrednie o zmiennym składzie? Jako najlepszą metodę rozwiązania tego zagadnienia zaproponowaliśmy metodę pomiaru sił elektromotorycznych (SEM) ogniw stężeniowych. Jedną z najkorzystniejszych cech tej metody jest możliwość rozróżnienia między fazami typu bertolidów i daltonidów. Stosując tę metodę wykazano, że związek tworzący się w środkowej części zakresu stężeń układu Tl2Se - Bi2Se3, jest fazą o zmiennym składzie typu daltonidu. istniejącą w zakresie stężeń o szerokości 2% molowych. Wniosek ten wypływa z faktu, że punkt przegięcia na krzywej zależności współczynników temperaturowych SEM od stężenia, przypada przy 50.0% mol. Bi2Se3Wobec tego. temu związkowi można przypisać wzór stechiometryczny TlBiSe2. Układ TI2Te - Bi2Te3był badany przez kilka grup autorów ale ich wyniki różnią się znacznie między sobą. Rozbieżności dotyczą głównie natury związku TlBiTe2, który tworzy się w tym układzie przy 50,0% mol. Bi2Te3 Z rozważań podanych w niniejszej pracy wynika, że jedyną metodą rozwiązania tego zagadnienia jest metoda pomiaru SEM ogniw stężeniowych.