PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  matches integrated
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Programowalna sekcja różniczkująca w technice przełączanych prądów
Jankowski M.
Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe
|
2005
|
Z. nr 5
111-116
PL
Artykuł przedstawia propozycję modyfikacji topologii, uprzednio zaprojektowanej i wykonanej w układzie scalonym, programowalnej sekcji różniczkującej pracującej w trybie prądowym. Proponowane rozwiązanie oferuje zredukowanie powierzchni zajmowanej przez omawianą sekcję w podłożu półprzewodnikowym o około 30%. Jest to istotne osiągnięcie, ponieważ moduły takie mogą stanowić podstawowy, wielokrotnie powtarzany w układzie scalonym moduł programowalnych analogowych filtrów scalonych z czasem dyskretnym.
2
Content available remote Źródła błędów przetwornicy DC/DC zbudowanej na bazie mikrokontrolera ATtiny 15L
Tokarski J.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika
|
2003
|
z. 25 [207]
327-335
PL
W artykule przedstawiono propozycję konstrukcji przetwornicy DC/DC, w której zamiast typowego, analogowego układu sterującego, zastosowano mikrokontroler, realizujący programowo algorytm regulacji napięcia wyjściowego. Opisano problemy konstrukcyjne, źródła błędów oraz najważniejsze właściwości nowej konstrukcji. Przedstawiono niektóre wyniki badań modelu fizycznego.
EN
The paper presents an example of construction of a DC/DC voltage converter which uses a microcontroller with software realization of the output voltage regulation, instead of a traditional, analog control unit. Construction problems, error sources and the most important features of the new DC/DC converter as well as some research results of its physical model are given.
3
System testowania układów z portem testowym
Kern J.
Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki
|
2001
|
nr 146
234-238
4
Eco Vision : zasady i programy ekologiczne firmy Philips Semiconductors
Kamiński S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 6
28-28
5
Dielektryki bramkowe dla nowych generacji układów scalonych
Łukasiak L., Jakubowski A., Beck R. B., Wojtkiewicz A., Korwin-Pawłowski M., Rużyłło J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 2
27-29
PL
W artykule przedstawiono wpływ redukcji grubości tlenku bramkowego w przyrządach MOS na ich działania, wytwarzanie oraz charakteryzację. Przedyskutowano także zalety rozwiązania polegającego na zastąpieniu SiO2 materiałem o wyższej przenikalności elektrycznej w formie dielektryku pojedynczego lub podwójnego.
EN
The paper presents the consequences of the reduction of gate oxide thickness in MOS devices on their operation, manufacturing and characterization. The advantages of replacing SiO2 with high-k materials (in the form of both single and stacked dielectric) are discussed, too.
6
Analiza własności metrologicznych układów próbnych
Borkowska M., Gliński K., Gonera M., Mańkowska M., Wach A.
Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki
|
1998
|
nr 134
5-1
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.