Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  marker experiment
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
In the present paper the influence of the formation of higher sulphide (oxide) in the interior of the substrate, being the lower sulphide (oxide) of a given metal, on the results of marker experiments has been discussed. It has been shown that the correct interpretation of marker experiments in the case of the formation of reaction product not only on the surface but also inside of the substrate can be achieved, if all chemical reactions as well as transport processes occurring in the substrate-product system are considered. Theoretical analysis presented in this work have been illustrated by the results indicating a predominant disorder in the CoS2 disulphide, growing on the CoS monosulphide.
PL
W pracy omówiono wpływ procesu formowania się siarczku (tlenku), w którym metal jest na wyższym stopniu utlenienia, wewnątrz substratu będącego siarczkiem (tlenkiem) tego samego metalu znajdującego się na niższym stopniu utlenienia, na wynik w badaniach typu dominującego zdefektowania metodą markerów. Wykazano, że aby dokonać prawidłowej interpretacji eksperymentu markerowego w przypadku powstawania produktu reakcji nie tylko na powierzchni substratu lecz również w jego wnętrzu, należy wziąć pod uwagę wszystkie reakcje chemiczne oraz procesy transportowe mające miejsce w układzie substratprodukt reakcji. Rozważania teoretyczne przedstawione w niniejszej pracy zilustrowane zostały wynikami badań eksperymentalnych mechanizmu procesu siarkowania CoS do CoS2 metodą markerów.
PL
W pracy omówiono wpływ zdefektowania sieci krystalicznej siarczku lub tlenku, będącego substratem, na wynik w badaniach typu dominującego zdefektowania metodą markerów. Wykazano, że aby uzyskać racjonalne wyniki w przypadku substratów charakteryzujących się dużym stężeniem defektów punktowych, substraty te powinny być przed procesem „markowania” homogenizowane w stałej temperaturze i przy maksymalnym ciśnieniu utleniacza, przy którym pozostają stabilne. Ponadto, niestechiometria związków powinna być uwzględniona przy pisaniu odpowiednich reakcji chemicznych, w oparciu o które przewiduje się położenie markerów wewnątrz produktu reakcji. Rozważania teoretyczne przedstawione w niniejszej pracy zilustrowane zostały wynikami badań metodą markerów CoS2 i NiS2, narastającymi na silnie zdefektowanych siarczkach Co1-yS i Ni1-yS.
EN
The influence of crystalline lattice disorder of oxide or sulphide, being the substrate in investigations of predominant disorder, on the results obtained using marker method has been studied. It has been shown that the correct results of marker experiments in the case of highly defected ceramic substrates can be obtained, if these substrates before the reaction are submitted to homogenization at constant temperature and under highest oxidant activity under which they remain stable. In addition, in the case of highly defected compounds, the nonstoichiometry must be considered in formulating appropriate chemical reactions, being the basis for anticipating the location of markers in the interior of reaction product. Theoretical considerations presented in this work have been illustrated by the results of predominant disorder, obtained using marker method in CoS2 and NiS2, growing on highly disordered Co1-yS and Ni1-yS.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.