Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: manganin

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modification of manganin properties - its sensitivity to temperature and to hydrostatic pressure - using implantation of krypton and bismuth-krypton ions

Wilczyńska T., Wiśniewski R., Czachor A., Semina V.

Przegląd Elektrotechniczny

2008

R. 84, nr 3

186-188

The influence of high-dose implantation of Kr ions and of the combined implantation of Bi and Kr ions into manganin on sensitivity to pressure and temperature has been investigated. After the complex Kr-Bi implantation the increase by 25% of mean pressure coefficient of manganin specimens and remarkably changes the temperature-resistance characteristic of manganin, making it more convenient for the use in the vicinity of room temperature, has been observed. The surface structure of the manganin foil after implantation with high-energy Kr ions was found to be smoother than before.

Zbadano wpływ implantacji jonów Kr i kombinowanej implantacji jonów Bi I Kr na czułość względem ciśnienia i temperatury. Zaobserwowano 25% wzrost współczynnika ciśnienia i znaczącą zmianę zależności rezystancji od temperatury. Daje to możliwość zastosowania tego czujnika w temperaturze pokojowej. Zaobserwowano wygładzenia struktury powierzchni folii po implantacji jonów Kr.

Modification of temperature dependence of manganin resistance using the ion implantation techniques

Słowiński B., Wilczyńska T., Wiśniewski R.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

277-280

The problem of the improvement of the resistance dependence on temperature of manganin pressure sensor is discussed. Using 46 MeV 40Ar and 118 MeV 136Xe ions with the fluences of 3x1013 and 2.5x1014 cm-2, respectively, a clear shift of the characteristic temperature, at which the manganin resistance reaches its maximum value, toward lower values and a small increase of pressure sensitivity have been observed.

Omówiono problem polepszenia zależności od temperatury rezystancji manganinu, który jest używany jako czujnik wysokich ciśnień. Zaobserwowano, że po napromieniowaniu manganinu jonami 40Ar o energii 46 MeV (doza 3x1013 cm-2) oraz jonami 136Xe o energii 118 MeV (doza 2.5x1014 cm-2) następuje wyraźne przesunięcie temperatury charakterystycznej, przy której rezystancja manganinu osiąga wartość maksymalną.

Magnetic thin films and nanostructures for emerging technologies.

Krishnan K.M.

Inżynieria Materiałowa

1998

R. XIX, nr 4

775-778

The optimization of the magnetic properties of materials for a wide range of technologies requires a dynamic iteration between synthesis, property measurements and the evaluation/control of microstructure (physical, chemical & magnetic) at the appropriate length scales. In addition, atomically engineered thin films and nanostructures offer new opportunities to elucidate the physics of magnetism, test new theories and most importantly build new materials with unique anisotropy, transport and hysteretic properties. These interests arise from advances in materials synthesis, an increased appreciation of the degree to which magnetic properties are influenced by microstructure and interfacial processes and the ability to characterize them by electron-optic and x-ray scattering/dichroism techniques. In this paper, we present an overview of our recent work in these areas, involving an integrated approach of growth/synthesis, property measurements and advanced characterization.