Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

3 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: magnetronowe rozpylanie katodowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technologia cienkich warstw tlenku cynku o kontrolowanych własnościach strukturalnych, transportowych i optycznych

Borysiewicz M. A., Kamińska E., Wojciechowski T., Gołaszewska K., Dynowska E., Wzorek M., Kruszka R., Pągowska K. D., Kwoka M., Szuber J., Boll T., Stiller K., Wojtowicz T., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 8

75--80

W ramach artykułu zaprezentowaliśmy wyniki prac dotyczących kontroli struktury, morfologii, własności transportowych i optycznych cienkich warstw tlenku cynku (ZnO) wytwarzanych na drodze magnetronowego rozpylania katodowego. Wykorzystując zaawansowany reaktor rozpylania katodowego umożliwiający kontrolę parametrów procesu osadzania takich, jak temperatura podłoża, przepływ gazów, ciśnienie gazów, moc podawana na katody pokazujemy jaką rolę odgrywają poszczególne parametry w kontroli własności wytwarzanego materiału. Prezentujemy zarówno badania z zakresu podstawowego dotyczące domieszkowania monokrystalicznych cienkich warstw ZnO przy pomocy akceptorów Ag, jak i badania stosowane dotyczące inżynierii przerwy energetycznej w celu opracowania przezroczystych elektrod dla diod elektroluminescencyjnych UV czy prace nad wzrostem nanoporowatego ZnO dla zastosowań w czujnikach gazowych, biochemicznych oraz urządzeniach do magazynowania energii.

In this work we present the results of studies on the control of structure, morphology, transport and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films fabricated by means of magnetron sputtering. using a state-of-the-art sputtering reactor enabling the control of such process parameters as: substrate temperature, gas flow, gas pressure and cathode power, we show the role of each parameter in controlling the properties of the deposited material. We present both basic research on doping monocrystalline ZnO films with Ag acceptors as well as applied research on band gap engineering for the development of transparent electrodes for UV LEDs or on the growth of nanoporous ZnO for applications in gas and biochemical sensors and energy storage devices.

Cienkie warstwy ZnO wytwarzane techniką magnetronowego rozpylania katodowego : mikrostruktura i funkcjonalność

Borysiewicz M., Wzorek M., Gołaszewska K., Kamińska E., Piotrowska A., Dynowska E., Wojciechowski T., Jakieła R., Wojtowicz T, Struk P., Pustelny T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 9

16-19

W artykule opisano możliwości kontroli mikrostruktury i funkcjonalności cienkich warstw ZnO jakie wynikają z zastosowania do ich wytwarzania najnowszej generacji rozwiązań dla magnetronowego rozpylania katodowego. Omówiony został wpływ ciśnienia całkowitego mieszaniny gazów roboczych, stosunku przepływu tlenu do argonu w mieszaninie oraz temperatury podłoża podczas wzrostu warstw na ich mikrostrukturę. Przedyskutowana została także kwestia wprowadzania buforów czy warstw nukleacyjnych podczas wzrostu materiału. Zaprezentowano cienkie warstwy o konwencjonalnej kolumnowej mikrostrukturze jak również o mikrostrukturze monokrystalicznej pozbawionej kolumn oraz jedyne na świecie warstwy o strukturze nanoporowatej wytworzone na drodze magnetronowego rozpylania katodowego wraz z ich zastosowaniami.

This communication covers the possibilities of microstructure and functionality control of thin ZnO films fabricated using the latest solutions for magnetron sputtering. The influence of the total working gas pressure, oxygen to argon gas flow ratio and the substrate temperature during growth on the film microstructure is discussed. The introduction of buffers and nucleation layers is also included. Thin films with conventional columnar mictrostructure are presented as well as monocrystalline films without columns and globally unique nanoporous ZnO films fabricated using magnetron sputtering. The applications of the films are also described.

Analiza transmisji optycznej półprzewodnikowych warstw NiO osadzanych metodą magnetronowego rozpylania katodowego

Grochowski J., Guziewicz M., Borysiewicz M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 7

199-203

Optyczne właściwości cienkich półprzewodnikowych warstw NiO wytwarzanych za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego zbadano pod kątem transmisji optycznej. Określono szerokość przerwy energetycznej w zależności od warunków wzrostu warstwy. Elektryczne parametry warstw zmierzono metodą Hall'a bezpośrednio po osadzaniu oraz po procesach wygrzewania w tlenie i argonie w zakresie temperatur 200...700° C. Warstwy osadzane w temperaturze pokojowej przy zawartości tlenu w plazmie od 9% do 100% charakteryzują się transmisją poniżej 10%, przewodnictwem typu p oraz rezystywnością poniżej 0,5 Ω cm. Warstwy osadzane w podwyższonej temperaturze z zakresu 300...700° C charakteryzują się transmisją optyczną powyżej 60% oraz rezystywnością wyższą od 1 Ω cm. Wygrzewanie warstw w tlenie wywołuje zmiany transmisji i szerokości przerwy energetycznej w zależności od zastosowanej temperatury i czasu, przy czym obserwowano wzrost rezystywności po wygrzewaniu w wyższych temperaturach, zaś wygrzewanie w atmosferze argonu powoduje drastyczny spadek przewodnictwa. Warstwy NiO domieszkowano także węglem, co kilkukrotnie zmniejszało ich rezystywność. Warstwy te po dodatkowym wygrzewaniu w tlenie charakteryzują się wyższym poziomem transmisji oraz szerszą przerwą energetyczną.

Optical properties of thin semiconducting NiO films deposited by reactive magnetron sputtering were examined using optical transmittance measurements. Bandgap widths of these films were calculated in dependence of deposition process' parameters. Electrical properties of films were measured after deposition and annealing processes in 0₂ and Ar at temperatures from 200...700° C by Hali method. NiO films deposited at room temperature and having oxygen amount in process plasma varying from 9% to 100% are characterized by optical transmittance below 10%, p-type conduction and resistivity lower than 0.5 Ω cm. Films deposited at temperatures elevated from 300...700° C are characterized by transmittance above 60% and resistivity higher than 1 Ω cm. Annealing in oxygen results in change of optical transmittance level and bandgap width depending on used time and temperature. Resistivity is higher after annealing at higher temperatures in oxygen while annealing in argon ambient causes conductivity to drop dramatically. Doping thin NiO films with carbon was also performed which resulted in Iower resistivity few times. After additional annealing NiO:C films in O₂ their optical transmittance level raised and bandgap width widened.