PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 15

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  magnetorezystancja
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Badania wpływu grubości warstwy miedzi na efekt gigantycznego magnetooporu w cienkowarstwowych strukturach NiFe/Cu/NiFe
Kisała Jakub, Kociubiński Andrzej, Czarnacka Karolina, Gęca Mateusz, Duk Jakub
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
199--201
PL
W pracy opisane zostały podstawowe informacje dotyczące zjawiska gigantycznego magnetooporu, jak i struktur, w których zjawisko to jest obserwowalne. Przedstawiona została sekwencja technologiczna cienkich struktur NiFe/Cu/NiFe wykonanych metodą rozpylania magnetronowego. Dwie prezentowane serie struktur różnią się zastosowaną grubością warstwy niemagnetycznej miedzi wynoszącą 5 nm oraz 2,5 nm. Wykonane zostały pomiary rezystancji stałoprądowej struktur obu serii w stałym polu magnetycznym o wartości 0,5 T. Porównanie otrzymanych wyników pozwala stwierdzić, że zmiany rezystancji struktury w ramach zjawiska gigantycznego magnetooporu są większe dla przyrządu o mniejszej grubości warstwy miedzi.
EN
This paper describes the basic information about the phenomenon of giant magnetoresistance as well as the structures exhibiting in which this phenomenon is observable. The technological sequence of NiFe/Cu/NiFe thin structures fabricated by magnetron sputtering is presented. The two series of structures presented differ in the thickness of the non-magnetic copper layer used being 5 nm and at 2,5nm. Measurements of the DC resistance of the structures of both series in a constant magnetic field of 0.5 T were performed. Comparison of the obtained results allows us to conclude that the changes of the structure resistance under the giant magnetoresistance phenomenon are larger for smaller thickness of the copper layer.
2
Content available Giant magnetoresistance observed in thin film NiFe/Cu/NiFe structures
Kisała Jakub, Kociubiński Andrzej, Czarnacka Karolina, Gęca Mateusz
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2022
|
T. 12, nr 3
12--15
EN
In this paper, the technology for fabricating NiFe/Cu/NiFe layered structures by magnetron sputtering is presented. Two series of samples were fabricated on a glass substrate with a layered structure, where the individual layers were 30 nm NiFe, 5 nm Cu, and finally NiFe with a thickness of 30 nm. The series differed in the type of technology mask used. A constant magnetic field was applied to the substrate during the sputtering of the ferromagnetic layers. Measurements of the DC resistance of the obtained structures in the constant magnetic field of neodymium magnet packs with a constant magnetic field of about 0.5 T magnetic induction have been carried out. Comparison of the two series allows us to conclude the greater validity of using masks in the form of kapton tape. The obtained results seem to confirm the occurrence of phenomena referred to as the giant magnetoresistance effect.
PL
W pracy przedstawiono technologię produkcji struktur warstwowych NiFe/Cu/NiFe metodą rozpylania magnetronowego. Wykonane zostały dwie serie próbek na szklanym podłożu o strukturze warstwowej, gdzie poszczególne warstwy stanowiły 30 nm NiFe, 5 nm Cu oraz ostatecznie NiFe o grubości 30 nm. Serie różniły się rodzajem zastosowanej maski technologicznej. Podczas napylania warstw ferromagnetycznych do podłoża przyłożone zostało stałe pole magnetyczne. Przeprowadzone zostały pomiary rezystancji stałoprądowej otrzymanych struktur w stałym polu magnetycznym okładów magnesów neodymowych o stałym polu magnetycznym o wartości indukcji magnetycznej około 0,5 T. Porównanie obu serii pozwala stwierdzić większą zasadność stosowania masek w postaci taśmy kaptonowej. Otrzymane wyniki zdają się potwierdzać występowanie zjawisk określanych jako efekt gigantycznego magnetooporu.
3
Content available Magnetotransport and magnetic properties of manganites doped with iron and aluminum
Troyanchuk I., Bushinsky M., Tereshko N., Fedotova V.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2017
|
Nr 11
5--10
EN
The single crystals of La0.7Ba0.3(Mn1-xFex)O3 (x ≤ 0.28) and La0.7Ba0.3(Mn1-xAlx)O3 (x ≤ 0.15) compositions were grown using flux method and characterized by X-ray, electrical and magnetization measurements. The replacement of Mn ions by Al ions in the La0.7Ba0.3Mn1-xAlxO3 system leads to a decrease in the temperature to 311 K for the sample x=0.1. The Fe-doping above x=0.2 destroys a long range ferromagnetic order thus leading to a spin glass state. It is found that insulating spin glasses exhibit a large magnetoresistance in the paramagnetic region that is comparable to that for ferromagnetic crystals showing metal–insulator transition near TC.
PL
Monokryształy La0,7Ba0,3(Mn1-xFex)O3 (x ≤ 0,28) i La 0,7Ba 0,3 (Mn1-xAlx)O3 (x ≤ 0,15) wyhodowano metodą strumieniową i charakteryzowano poprzez badania rentgenowskie, pomiary elektryczne i magnetyzacyjne. Zastąpienie jonów Mn jonami Al w układzie La0,7Ba0,3Mn1-xAlxO3 prowadzi do obniżenia temperatury do 311 K dla próbki x = 0,1. Domieszka Fe powyżej x = 0,2 niszczy ferromagnetyczny porządek dalekiego zasięgu atomów Fe, prowadząc w ten sposób do spinowego stanu typu szkła. Stwierdzono, że izolacyjny spinowy stan typu szkła wykazuje dużą rezystancję magnetyczną w obszarze paramagnetycznym, która jest porównywalna z kryształami ferromagnetycznymi i wykazują przejście metal-izolator w pobliżu TC.
4
Content available Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures: comparative analysis
Fedotov A. K., Streltsov E.A., Baranov I. L., Svito I. A., Malashchonak M. V., Mazanik A. V.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2015
|
Nr 8
61--67
EN
Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures obtained using template-based approach have been examined in the temperature range from 2 to 300 K. It was established that the main contribution into observed magnetoresistance is given by the silicon substrate, whereas influence of Ni is negligible small.
PL
Właściwości magnetyczne struktur Ni/TiO2/Ti oraz Ni/SiO2/Si otrzymanych z zastosowaniem tzw. „podejścia szabłonowego” zostały zbadane w zakresie temperatur od 2 do 300 K. Ustalono, że główny wkład do obserwowanej magnetorezystancji jest rezultatem wpływu podłoża krzemowego , podczas gdy wpływ Ni jest znikome mały.
5
Content available Magnetic and magnetotransport properties of La0.5Sr0.5Co0.8Me0.2O3 (Me=Cr, Fe) cobaltites
Troyanchuk I., Bushinsky M., Tereshko N., Fedotova V.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2015
|
Nr 8
69--76
EN
Magnetic and magnetotransport properties of La0.5Sr0.5Co0.8Me0.2O3 (Me = Cr, Fe) stoichiometric cobaltites has been investigated in magnetic fields up to 14 T. It is shown that doping with Fe ions changes spontaneous magnetization only slightly herewith the Curie point significantly decreases. The chromium doping leads to dramatic decrease of magnetization and the Curie point and a strong increase in magnetoresistance at low temperature. The obtained results indicate that the magnetic interactions between Co and Fe are positive whereas those between Co and Cr ions are negative. Enhancement of magnetoresistance is attributed to the magnetic field induced transition from antiferromagnetic order to ferromagnetic one.
PL
Właściwości magnetyczne i magnetotransportowe stoichiometrycznych kobaltytów zbadano w polach magnetycznych do 14T. Ustalono, że domieszkowanie przez jony Fe zmienia namagnesowanie spontaniczne bardzo słabo w tym czasie jak punkt Curie obniża się znacząco. Domieszkowanie przez atomy chromu powoduje dramatyczne zmniejszenie namagnesowania i obniżenie punktu Curie i mocny wzrost magneto rezystancji w niskich temperaturach. Otrzymane rezultaty wskazują oddziaływanie magnetyczne pomiędzy Co i Fe jest pozytywne w tym czasie jak pomiędzy Co a Cr jest negatywne. Wzmocnienie magnetorezystancji przypisano do pola magnetycznego indukowanego przejściem z antyferromagnetycznego układu do ferromagnetycznego.
6
Content available remote Niskotemperaturowe właściwości rezystorów RuO2-szkło
Mleczko K., Ptak P.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika
|
2015
|
z. 34 [292], nr 2
275--294
PL
Przedmiotem badań były rezystory grubowarstwowe RuO2-szkło o znanym składzie, wykonane w warunkach laboratoryjnych. Przeprowadzono pomiary rezystancji i szumów nadmiarowych typu 1/f w funkcji temperatury, w zakresie 30 mK -300 K oraz w funkcji pola magnetycznego do 5 T. Rezystory RuO2-szkło dobrze nadają się do wykorzystania w roli kriogenicznych czujników temperatury ze względu na dużą czułość i małą magnetorezystancję. Porównanie tych parametrów z parametrami czujników komercyjnych pozwala stwierdzić, że są to przyrządu tej samej klasy. Badane rezystory charakteryzuje duży wzrost poziomu szumów nadmiarowych w zakresie temperatur kriogenicznych, przez co ograniczeniu ulega rozdzielczość pomiaru temperatury. Na podstawie pomiarów tych szumów określono rzeczywistą rozdzielczość pomiaru rezystancyjnych czujników temperatury. Dokonano także krytycznej analizy mechanizmów przewodnictwa najczęściej stosowanych do opisu rezystorów wykonanych na bazie RuO2. Pomiary temperaturowej zależności rezystancji pozwalają odrzucić model przewodnictwa skokowego zmiennozakresowego dla tego typu rezystorów. Z kolei pomiary szumów dają dobrą zgodność z jedną z teorii w ramach tego modelu przewodnictwa. Dla próbek badanych w pracy określono krytyczną koncentrację składnika metalicznego w warstwie rezystywnej, przy której następuje przejście metal-izolator.
EN
Thick film RuO2-glass resistors were studied. They were laboratory made, so their composition is well known. The measurements of resistance and 1/f excess noise as a function of temperature in the range of 30 mK - 300 K were performed. Also as a function of magnetic field in the range 0 – 5 T. The RuO2-glass resistors can be used as a cryogenic temperature sensors due to their high sensitivity and low magnetoresistance. A comparison of these parameters with the parameters of commercial sensors shows that they are the same class instruments. The resistors studied exhibit a large increase of excess noise level in the range of cryogenic temperatures, thus the temperature measurement resolution is limited. The noise measurements allowed to determine the actual measurement resolution of resistive temperature sensors. A critical analysis of conduction mechanisms frequently used to describe RuO2 resistors has also been performed. Measurements of temperature dependence of resistance allow to reject variable range hopping conductivity model for this type of resistors. On the other hand, the noise measurements give a good agreement with a theory within this model of conductivity. For the samples studied in the work a critical concentration of the metallic component in the resistive layer has been defined at which the metal-insulator transition occurs.
7
Content available remote Magnetotransport in nanostructured Ni films electrodeposited on Si substrate
Fedotova J., Saad A., Ivanou D., Ivanova Y., Fedotov A., Mazanik A., Svito I., Streltsov E., Streltsov E., Tyutyunnikov S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 4a
90-92
PL
W pracy przedstawiono badania rezystywności . i magnetorezystancji MR w cienkich nanoziarnistych warstwach Ni, które wykonano w temperaturach z przedziału 2 - 300 K oraz indukcji pola magnetycznego B większej od 8 T. Warstwy Ni posiadały grubość około 500 nm i zostały wykonane za pomocą galwanizacji na wafle krzemu n-Si. Według dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, w nowo wytworzonych cienkich warstwach uformowała się regularna struktura powierzchniowo centrowana o średniej wielkości ziaren 10 - 70 nm. Doświadczenia wykazały, że w cienkich warstwach Ni w zależności od MR i temperatury występują dwie główne cechy szczególne: (1) zależność od wzajemnej orientacji wektorów: indukcji pola magnetycznego B, kierunku prądu i płaszczyzny cienkiej warstwy, (2) dwie składowe MR - ujemna anizotropowa i dodatnia typu Lorenza.
EN
The study of electrical resistivity �â and magnetoresistance MR in nanogranular Ni films was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction B up to 8 T. The Ni layers having a thickness of about 500 nm were prepared by electrodeposition on n- Si wafers. According to an X-ray diffraction study, a strongly textured face-centered cubic structure was formed in the as-deposited films with an average grain sizes of about 10 - 70 nm. Experiments have demonstrated that the magnetic field and temperature dependences of the MR effect in Ni films shown two main peculiarities: (1) dependencies on the mutual orientations of vectors B, current and the film plane; (2) two contributions to the MR - negative anisotropic magnetoresistance and positive Lorentz-like MR.
8
Content available remote Gigantic magnetoresistive effect in n-Si/SiO2/Ni nanostructures fabricated by the template-assisted electrochemical deposition
Fedotova J., Saad A., Ivanou D., Ivanova Y., Fedotov A., Mazanik A., Svito I. A., Streltsov E., Koltunowicz T. N., Tyutyunnikov S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 7a
305-308
EN
The study of the carrier transport and magnetotransport in n-Si/SiO2/Ni nanostructures with granular Ni nanorods embedded into the pores in SiO2 was performed over the temperature range 2 – 300 K and at the magnetic field induction up to 8 T. In n-Si/SiO2/Ni nanostructures at temperatures of about 25 K a huge positive MR effect is observed. Possible mechanisms of the effect is discussed.
PL
Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ładunków i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze około 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omówiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia się opisanego efektu.
9
Zastosowanie magnetorezystywnych czujników pola magnetycznego dla kontroli ruchu na powierzchni lotnisk
Fiett J.
Postępy Radiotechniki
|
2008
|
T. 53, Nr 157
10-18
10
Influence of the magnetic field on the charge transport in InxGa1-xAs (0 x ≤ x ≤ 1) MBE layers
Wolkenberg A., Przesławski T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 2
72-75
EN
The Hali effect and magnetoresistance measurements in InxGa1-xAs alloys have been carried out over the entire range of compositions x(x=0, x=0.53 and x=1) in the magnetic field up to 1.5 T. InGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy (MBE) onto GaAs and InP substrates. Despite the large lattice mismatch (≤ 7.2%) InxGa1-xAs layers showed excellent morphological and structural properties as determined by double crystal X-ray diffraction. Heteroepitaxially grown InAs and In0.53Ga0.47As layers exhibited pronounced maximum of Hali coefficient at temperaturę about ~60 K, which is characteristic of impurity-band transport. Additionally all InGaAs layers showed several anomalous behaviour like strong non-linear character in the magnetic field dependence of their Hali coefficients, non-quadratic weak magnetic field dependence of magnetoresistance, and the temperature dependence of their electron mobility. These are attributed to inhomogeneous distribution of misfit dislocation, and are interpreted in terms of two-layer model, one with bulk like and the other with strongly dislocated region at the heterointerface.
PL
Pomierzono zjawisko Halla i magnetorezystancje w stopach InxGa1-xAs przy różnych wartościach x (x = 0, x=0,53 i x= 1) w polach magnetycznych do 1,5 T. Warstwy InGaAs były osadzane na podłożach z GaAs i InP w procesie MBE. Pomimo dużego niedopasowania sieciowego (≤ 7,2%) warstwy InxGa1-xAs wykazują dobrą strukturę, co wynika z badań XRD. Heteroepitaksjalne warstwy InAs i In0.53Ga0.47As wykazują się maksimum współczynnika Halla w temperaturze ~60 K charakterystyczną dla transportu przez pasmo domieszek. Ponadto warstwy InGaAs wykazują silnie nieliniowy charakter zależności współczynnika Halla od pola magnetycznego, niewielkie odchylenie od zależności kwadratowej magnetorezystancji od pola magnetycznego i zależność temperaturową ruchliwości elektronów. Przypisujemy to niehomogenicznemu rozkładowi dyslokacji niedopasowania i interpretujemy to w modelu dwuwarstwowym, składającym się z warstwy obszaru objętościowego i warstwy międzypowierzchniowej przy podłożu, silnie wzbogaconej dyslokacjami.
11
Content available remote Electronic transport through carbon nanotubes with ferromagnetic electrodes or in magnetic fields
Krompiewski S.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 3
649--657
EN
I study spin-dependent electronic transport through carbon nanotubes (CNTs) either sandwiched between ferromagnetic contacts or placed at external magnetic fields. The attention is directed to the conductance dependence on: (i) geometrical sizes (length and diameter of the CNTs), (ii) chirality, and (iii) conditions at CNT/contact interfaces. The CNTs are end-contacted to fcc (111) metallic leads, and relative atomic positions at the interfaces are determined by a relaxation procedure. Additionally a charge neutrality condition is imposed on the extended molecule (i.e. the CNT with a few atomic layers of the leads) in order to fix the band lineup of the whole system. Using a single-band tight-binding model and a Green's function technique it is shown that if electrodes are ferromagnetic - a quite considerable giant magnetoresistance effect can occur. For paramagnetic electrodes in turn, in the parallel magnetic field, clear Aharonov-Bohm oscillations are observed with distinct minima in the conductance. A depth of the dips depends on diameters of the CNTs, most likely due to some unintentional doping coming from the contacts. In the case of the perpendicular geometry, pronounced conductance oscillations appear whenever a magnetic length gets smaller than a perimeter of the CNT.
12
Content available remote Elektrochemiczne osadzanie nanowarstw metali : nowe zastosowania i nowe wyzwania
Banaszkiewicz A.
Ochrona przed Korozją
|
2002
|
nr 11
305-307
PL
Dokonano przeglądu aktualnych i perspektywicznych zastosowań naprzemiennych cienkich warstw metalicznych (tzw. supersieci) otrzymywanych metodą elektrochemicznego osadzania. Opisano praktyczne problemy związane z otrzymywaniem supersieci o jakości pozwalającej na wykazywanie zjawiska gigantycznej magnetorezy stancji, zwiększenia twardości powierzchni, poprawienia właściwości trybologicznych i nadprzewodnictwa.
EN
Practical difficulties connected with production of superlattices showing giant magnetoresistance, increasing surface hardness, enhancing tribological behavior and superconductivity of materials are presented.
13
The hardness of CrN, NbN, TiN layers deposited on monocrystalline Si wafers.
Wolkenberg A., Wrzesińska H., Bochenek A., Tokarz A., Nitkiewicz Z.
Inżynieria Materiałowa
|
2001
|
R. XXII, nr 5
957-960
EN
We present the results of the technological preparation of thin films of nitrides, which allow obtain higher surface hardness and very important magneto-resistance properties, when composed in superlattices. The enhanced hardness of such multilayers was 82 GPa and MR more as 80%.
PL
Przedstawiono wyniki technologiczne i właściwości cienkich warstw azotków chromu, tytanu i niobu. Warstwy były otrzymywane przez reaktywne rozpylanie magnetronowe. Warstwy osadzane na podłożu z monokrystalicznego krzemu wykazywały twardość kompozytu w postaci supersieci równą ~ 82 GPa a magnetorezystancję - 80% lub więcej.
14
Advantages of face-to-face sputtering technique for preparation of magnetic alloys and multilayered films
Stobiecki F., Szymański B., Luciński T., Urbaniak M., Dubowik J., Gontarz R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2000
|
Vol. 41, nr 11
29-32
EN
A comparison of face-to-face and magnetron sputtering systems is presented. Low argon pressure, high sputtering rates that can be achieved also for ferromagnetic materials and convenient substrate position (outside the plasma area) are the principal advantages of the face-to-face sputtering configuration. It was demonstrated that such the sputtering system can be successfully used for deposition of several types of magnetic thin film structures such as alloy films, compositionally modulated films and multilayered films exhibiting perpendicular anisotropy or giant magnetoresistance effect.
PL
Opisany został proces nanoszenia cienkich warstw, prowadzony z dwóch targetów położonych naprzeciw siebie (face-to-face sputtering), na podłoże usytuowane prostopadle do ich powierzchni. Pole magnetyczne prostopadłe do powierzchni targetów zapewnia skupoenie plazmy w obszarze miedzy nimi oraz zwiększa prawdopodobieństwo jonizacji gazu. Konfiguracja ta, w porównaniu z magnetronowymi ukladami rozpylania, pozwala prowadzić proces osadzania warstw przy niższym cisnieniu gazu, uzyskać wyzsze szybkości nanoszenia dla materiałów ferromagnetycznych oraz zapewnia mniejsze bombardowanie podłoża elektronami. Odpowiedni dobór geometrii układu (średnice targetów, odległość między targetami, usytuowanie podłoża) pozwala uzyskać warstwy o jednorodnym rozkładzie grubości lub o zamierzonym gradiencie grubości. Warstwy stopowe o stężeniu regulowanym potencjałem targetów moga być otrzymywane przy wykorzystaniu do tego celu targetów wykonanych z czystych pierwiastków. System złożony z czterech targetów (dwie pary targetów w konfiguracji face-to-face) pozwala wytwarzać warstwy wielokrotne, złożone z subwarstw o grubościach kilku stałych sieciowych, charakteryzujące sie wysoką powtarzalnością periiodu oscylacji stężenia. Dzięki temu mozliwe było wykorzystanie opisanej techniki nanoszenia warstw do uzyskania magnetycznych układów warstowowych, charakteryzujących się anizotropią prostopadłą do powierzchni warstwy (warstwy do zastosowań w pamięciach magneto-optycznych) lub wykazujących zjawisko gigantycznej magnetorezystancji.
15
The magnetoresistance of amorphous ribbon [Fe86Zr7Cu1B6]
Yamaguchi K., Ito M., Isozaki K., Yamada K., Grossinger R.
Journal of Technical Physics
|
1998
|
Vol. 39, no 3-4
647-654
EN
The temperature-depedence of resistivity and magnetoresistance for as-cast and annealed samples of amorphous thin ribbons of [Fe86Zr7Cu1B6] have been investigated trouugh the sample by Joule heating. The temperature coefficients of the resistivity show a large difference between the as-cast and Joule heated samples, the effect which originated by the nano-crystallizations. The observed negative magnetoresistance is proportional to the square of the magnetization. The s - d type exchange constant was estimated at J = 0.1 eV, the analysis being based on a model of the conduction carrier scattering by exchange interactions with differntly oriented spins in magnetic domain structures.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.