Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2000

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: magnetoresistance effect

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Advantages of face-to-face sputtering technique for preparation of magnetic alloys and multilayered films

Stobiecki F., Szymański B., Luciński T., Urbaniak M., Dubowik J., Gontarz R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 11

29-32

A comparison of face-to-face and magnetron sputtering systems is presented. Low argon pressure, high sputtering rates that can be achieved also for ferromagnetic materials and convenient substrate position (outside the plasma area) are the principal advantages of the face-to-face sputtering configuration. It was demonstrated that such the sputtering system can be successfully used for deposition of several types of magnetic thin film structures such as alloy films, compositionally modulated films and multilayered films exhibiting perpendicular anisotropy or giant magnetoresistance effect.

Opisany został proces nanoszenia cienkich warstw, prowadzony z dwóch targetów położonych naprzeciw siebie (face-to-face sputtering), na podłoże usytuowane prostopadle do ich powierzchni. Pole magnetyczne prostopadłe do powierzchni targetów zapewnia skupoenie plazmy w obszarze miedzy nimi oraz zwiększa prawdopodobieństwo jonizacji gazu. Konfiguracja ta, w porównaniu z magnetronowymi ukladami rozpylania, pozwala prowadzić proces osadzania warstw przy niższym cisnieniu gazu, uzyskać wyzsze szybkości nanoszenia dla materiałów ferromagnetycznych oraz zapewnia mniejsze bombardowanie podłoża elektronami. Odpowiedni dobór geometrii układu (średnice targetów, odległość między targetami, usytuowanie podłoża) pozwala uzyskać warstwy o jednorodnym rozkładzie grubości lub o zamierzonym gradiencie grubości. Warstwy stopowe o stężeniu regulowanym potencjałem targetów moga być otrzymywane przy wykorzystaniu do tego celu targetów wykonanych z czystych pierwiastków. System złożony z czterech targetów (dwie pary targetów w konfiguracji face-to-face) pozwala wytwarzać warstwy wielokrotne, złożone z subwarstw o grubościach kilku stałych sieciowych, charakteryzujące sie wysoką powtarzalnością periiodu oscylacji stężenia. Dzięki temu mozliwe było wykorzystanie opisanej techniki nanoszenia warstw do uzyskania magnetycznych układów warstowowych, charakteryzujących się anizotropią prostopadłą do powierzchni warstwy (warstwy do zastosowań w pamięciach magneto-optycznych) lub wykazujących zjawisko gigantycznej magnetorezystancji.