Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badania wpływu grubości warstwy miedzi na efekt gigantycznego magnetooporu w cienkowarstwowych strukturach NiFe/Cu/NiFe

Kisała Jakub, Kociubiński Andrzej, Czarnacka Karolina, Gęca Mateusz, Duk Jakub

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

R. 98, nr 9

199--201

PL

W pracy opisane zostały podstawowe informacje dotyczące zjawiska gigantycznego magnetooporu, jak i struktur, w których zjawisko to jest obserwowalne. Przedstawiona została sekwencja technologiczna cienkich struktur NiFe/Cu/NiFe wykonanych metodą rozpylania magnetronowego. Dwie prezentowane serie struktur różnią się zastosowaną grubością warstwy niemagnetycznej miedzi wynoszącą 5 nm oraz 2,5 nm. Wykonane zostały pomiary rezystancji stałoprądowej struktur obu serii w stałym polu magnetycznym o wartości 0,5 T. Porównanie otrzymanych wyników pozwala stwierdzić, że zmiany rezystancji struktury w ramach zjawiska gigantycznego magnetooporu są większe dla przyrządu o mniejszej grubości warstwy miedzi.

EN

This paper describes the basic information about the phenomenon of giant magnetoresistance as well as the structures exhibiting in which this phenomenon is observable. The technological sequence of NiFe/Cu/NiFe thin structures fabricated by magnetron sputtering is presented. The two series of structures presented differ in the thickness of the non-magnetic copper layer used being 5 nm and at 2,5nm. Measurements of the DC resistance of the structures of both series in a constant magnetic field of 0.5 T were performed. Comparison of the obtained results allows us to conclude that the changes of the structure resistance under the giant magnetoresistance phenomenon are larger for smaller thickness of the copper layer.

2

Giant magnetoresistance observed in thin film NiFe/Cu/NiFe structures

Kisała Jakub, Kociubiński Andrzej, Czarnacka Karolina, Gęca Mateusz

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2022

|

T. 12, nr 3

12--15

EN

In this paper, the technology for fabricating NiFe/Cu/NiFe layered structures by magnetron sputtering is presented. Two series of samples were fabricated on a glass substrate with a layered structure, where the individual layers were 30 nm NiFe, 5 nm Cu, and finally NiFe with a thickness of 30 nm. The series differed in the type of technology mask used. A constant magnetic field was applied to the substrate during the sputtering of the ferromagnetic layers. Measurements of the DC resistance of the obtained structures in the constant magnetic field of neodymium magnet packs with a constant magnetic field of about 0.5 T magnetic induction have been carried out. Comparison of the two series allows us to conclude the greater validity of using masks in the form of kapton tape. The obtained results seem to confirm the occurrence of phenomena referred to as the giant magnetoresistance effect.

PL

W pracy przedstawiono technologię produkcji struktur warstwowych NiFe/Cu/NiFe metodą rozpylania magnetronowego. Wykonane zostały dwie serie próbek na szklanym podłożu o strukturze warstwowej, gdzie poszczególne warstwy stanowiły 30 nm NiFe, 5 nm Cu oraz ostatecznie NiFe o grubości 30 nm. Serie różniły się rodzajem zastosowanej maski technologicznej. Podczas napylania warstw ferromagnetycznych do podłoża przyłożone zostało stałe pole magnetyczne. Przeprowadzone zostały pomiary rezystancji stałoprądowej otrzymanych struktur w stałym polu magnetycznym okładów magnesów neodymowych o stałym polu magnetycznym o wartości indukcji magnetycznej około 0,5 T. Porównanie obu serii pozwala stwierdzić większą zasadność stosowania masek w postaci taśmy kaptonowej. Otrzymane wyniki zdają się potwierdzać występowanie zjawisk określanych jako efekt gigantycznego magnetooporu.

3

Technology and measurements of magnetoresistance in thin-layered ferromagneti C structures

Kisała Jakub, Czarnacka Karolina, Gęca Mateusz, Kociubiński Andrzej

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2020

|

T. 10, nr 1

44--47

EN

The paper presents the technology for obtaining NiFe/Ti/NiFe layer structures in MEMS technology using magnetron purge with the assumption of being used as semi-magnetic sensors. A series of samples was made on a glass substrate with a sandwich structure, where the individual layers were 100 nm NiFe, 10 nm Ti and on top again NiFe with a thickness of 100 nm. Measurements of DC resistance of the obtained structures in a constant magnetic field, which was produced by neodymium magnets and an electromagnet, were carried out. The obtained results confirm the occurrence of phenomena known as the magnetoresistance effect. The influence of the spatial arrangement of structures relative to the constant magnetic field vector was checked and proved.

PL

W pracy przedstawiono technologię otrzymywania struktur warstwowych NiFe/Ti/NiFe w technologii MEMS metodą rozpylania magnetronowego w założeniu mających służyć jako czujniki pól magnetycznych. Wykonano serię próbek na szklanym podłożu o budowie kanapkowej, gdzie poszczególne warstwy stanowiły 100 nm NiFe,10 nm Ti oraz na wierzchu ponownie NiFe o grubości 100 nm. Przeprowadzono pomiary rezystancji stałoprądowej otrzymanych struktur w stałym polu magnetycznym, które było wytwarzane przez magnesy neodymowe oraz elektromagnes. Otrzymane wyniki potwierdzają występowanie zjawisk określanych jako efekt magnetooporowy. Sprawdzony oraz udowodniony został wpływ ułożenia przestrzennego struktur względem wektora stałego pola magnetycznego.

4

Magnetoresistance effect in layered cobaltite Sr0.9Y0.1CoO2.63

Bushinsky M., Tereshko N., Mantytskaya O., Fedotova V., Lanovsky R.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2018

|

Nr 13

105--114

EN

The structure and the magnetic and magnetotransport properties of the perovskite sample Sr0.9Y0.1CoO2.63 have been studied using different diffraction methods and magnetization and conductivity measurements. Synchrotron X-ray diffraction shows that the sample is structurally two-phase. The majority phase has a tetragonally distorted unit cell and is described by the space group I4/mmm. A very strongly broadened superstructure peak observed at small angles in X-ray diffraction patterns at temperatures below 400 K are explained by the existence of a monoclinic phase with large unit cell whose phase fraction is much smaller than that of the tetragonal phase, but which is dominant in the sample Sr0.8Y0.2CoO2.65. The spontaneous magnetization strongly increases with increasing the Y content up to 20% due to formation of the monoclinic phase. The magnetic structure is predominantly antiferromagnetic G-type with magnetic moments 1.5 μB in the layers of CoO6 octahedra and 2 μB in the anion-deficient CoO4+γ layers. The electrical conductivity of the sample Sr0.9Y0.1CoO2.63 has semiconducting character. The magnetoresistance reaches 58% for the field B = 14 T at 5 K and decreases strongly with the increasing temperature and Y content.

PL

Struktura i właściwości magnetyczne i magnetotransportowe perowskitu Sr0.9Y0.1CoO2.63 zostały zbadane przy użyciu różnych metod dyfrakcyjnych oraz pomiarów namagnesowania i przewodnictwa. Dyfrakcja rentgenowska mierzona na synchrotronie pokazuje, że próbka ma strukturę dwufazową. Główna faza ma tetragonalnie zniekształconą komórkę elementarną i jest opisana przez grupę przestrzenną I4 /mmm. Pik o bardzo mocno poszerzonej superstrukturze obserwowano pod niewielkimi kątami w dyfraktogramach rentgenowskich w temperaturach poniżej 400 K i jest związany z istnieniem fazy monoklinowej o dużej komórce elementarnej, której frakcja fazowa jest znacznie mniejsza niż faza tetragonalna, ale która jest dominujący w próbce Sr0.8Y0.2CoO2.65. Spontaniczne namagnesowanie silnie wzrasta wraz ze wzrostem zawartości Y do 20% z powodu tworzenia się fazy monoklinowej.

5

Magnetotransport and magnetic properties of manganites doped with iron and aluminum

Troyanchuk I., Bushinsky M., Tereshko N., Fedotova V.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2017

|

Nr 11

5--10

EN

The single crystals of La0.7Ba0.3(Mn1-xFex)O3 (x ≤ 0.28) and La0.7Ba0.3(Mn1-xAlx)O3 (x ≤ 0.15) compositions were grown using flux method and characterized by X-ray, electrical and magnetization measurements. The replacement of Mn ions by Al ions in the La0.7Ba0.3Mn1-xAlxO3 system leads to a decrease in the temperature to 311 K for the sample x=0.1. The Fe-doping above x=0.2 destroys a long range ferromagnetic order thus leading to a spin glass state. It is found that insulating spin glasses exhibit a large magnetoresistance in the paramagnetic region that is comparable to that for ferromagnetic crystals showing metal–insulator transition near TC.

PL

Monokryształy La0,7Ba0,3(Mn1-xFex)O3 (x ≤ 0,28) i La 0,7Ba 0,3 (Mn1-xAlx)O3 (x ≤ 0,15) wyhodowano metodą strumieniową i charakteryzowano poprzez badania rentgenowskie, pomiary elektryczne i magnetyzacyjne. Zastąpienie jonów Mn jonami Al w układzie La0,7Ba0,3Mn1-xAlxO3 prowadzi do obniżenia temperatury do 311 K dla próbki x = 0,1. Domieszka Fe powyżej x = 0,2 niszczy ferromagnetyczny porządek dalekiego zasięgu atomów Fe, prowadząc w ten sposób do spinowego stanu typu szkła. Stwierdzono, że izolacyjny spinowy stan typu szkła wykazuje dużą rezystancję magnetyczną w obszarze paramagnetycznym, która jest porównywalna z kryształami ferromagnetycznymi i wykazują przejście metal-izolator w pobliżu TC.

6

Electrical transport and magnetoresistance of double layered CMR manganites R1.2Sr1.8Mn2O7(R = La, Pr, Sm)

Reddy Y. S.

Materials Science Poland

|

2017

|

Vol. 35, No. 2

440--446

EN

Polycrystalline bulk samples of double layered (DL) colossal magnetoresistive (CMR) manganites R1.2Sr1.8Mn2O7 (R = La, Pr, Sm) were prepared by sol-gel method to study the effect of size of lanthanide ion on their magnetotransport properties. The electrical resistivity of the samples was investigated in the temperature range of 70 K to 300 K at different magnetic fields. The samples LSMO and PSMO show insulator-to-metal transition (IMT) behavior, while SSMO sample exhibits insulating behavior in the entire temperature range with a very large value of resistivity. The insulator-to-metal transition temperature (TIM) decreases from 123 K (LSMO) to 90 K (PSMO) and disappears in SSMO sample. To explain the electrical transport above TIM, the temperature dependent resistivity data (T > TIM) of all the samples were fitted to the equations of different conduction models. The results indicate that the conduction at T > TIM is due to Mott variable range hopping (VRH) mechanism in the LSMO and PSMO samples, while Efros-Shkloskii (ES) type of VRH model dominates the conduction process in the SSMO sample. All the three samples show increasing magnetoresistance (MR) even below TIM and the maximum MR is shown by LSMO (39 % at 75 K, 3 T).

7

Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures: comparative analysis

Fedotov A. K., Streltsov E.A., Baranov I. L., Svito I. A., Malashchonak M. V., Mazanik A. V.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2015

|

Nr 8

61--67

EN

Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures obtained using template-based approach have been examined in the temperature range from 2 to 300 K. It was established that the main contribution into observed magnetoresistance is given by the silicon substrate, whereas influence of Ni is negligible small.

PL

Właściwości magnetyczne struktur Ni/TiO2/Ti oraz Ni/SiO2/Si otrzymanych z zastosowaniem tzw. „podejścia szabłonowego” zostały zbadane w zakresie temperatur od 2 do 300 K. Ustalono, że główny wkład do obserwowanej magnetorezystancji jest rezultatem wpływu podłoża krzemowego , podczas gdy wpływ Ni jest znikome mały.

8

Magnetic and magnetotransport properties of La0.5Sr0.5Co0.8Me0.2O3 (Me=Cr, Fe) cobaltites

Troyanchuk I., Bushinsky M., Tereshko N., Fedotova V.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2015

|

Nr 8

69--76

EN

Magnetic and magnetotransport properties of La0.5Sr0.5Co0.8Me0.2O3 (Me = Cr, Fe) stoichiometric cobaltites has been investigated in magnetic fields up to 14 T. It is shown that doping with Fe ions changes spontaneous magnetization only slightly herewith the Curie point significantly decreases. The chromium doping leads to dramatic decrease of magnetization and the Curie point and a strong increase in magnetoresistance at low temperature. The obtained results indicate that the magnetic interactions between Co and Fe are positive whereas those between Co and Cr ions are negative. Enhancement of magnetoresistance is attributed to the magnetic field induced transition from antiferromagnetic order to ferromagnetic one.

PL

Właściwości magnetyczne i magnetotransportowe stoichiometrycznych kobaltytów zbadano w polach magnetycznych do 14T. Ustalono, że domieszkowanie przez jony Fe zmienia namagnesowanie spontaniczne bardzo słabo w tym czasie jak punkt Curie obniża się znacząco. Domieszkowanie przez atomy chromu powoduje dramatyczne zmniejszenie namagnesowania i obniżenie punktu Curie i mocny wzrost magneto rezystancji w niskich temperaturach. Otrzymane rezultaty wskazują oddziaływanie magnetyczne pomiędzy Co i Fe jest pozytywne w tym czasie jak pomiędzy Co a Cr jest negatywne. Wzmocnienie magnetorezystancji przypisano do pola magnetycznego indukowanego przejściem z antyferromagnetycznego układu do ferromagnetycznego.

9

Niskotemperaturowe właściwości rezystorów RuO2-szkło

Mleczko K., Ptak P.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika

|

2015

|

z. 34 [292], nr 2

275--294

PL

Przedmiotem badań były rezystory grubowarstwowe RuO2-szkło o znanym składzie, wykonane w warunkach laboratoryjnych. Przeprowadzono pomiary rezystancji i szumów nadmiarowych typu 1/f w funkcji temperatury, w zakresie 30 mK -300 K oraz w funkcji pola magnetycznego do 5 T. Rezystory RuO2-szkło dobrze nadają się do wykorzystania w roli kriogenicznych czujników temperatury ze względu na dużą czułość i małą magnetorezystancję. Porównanie tych parametrów z parametrami czujników komercyjnych pozwala stwierdzić, że są to przyrządu tej samej klasy. Badane rezystory charakteryzuje duży wzrost poziomu szumów nadmiarowych w zakresie temperatur kriogenicznych, przez co ograniczeniu ulega rozdzielczość pomiaru temperatury. Na podstawie pomiarów tych szumów określono rzeczywistą rozdzielczość pomiaru rezystancyjnych czujników temperatury. Dokonano także krytycznej analizy mechanizmów przewodnictwa najczęściej stosowanych do opisu rezystorów wykonanych na bazie RuO2. Pomiary temperaturowej zależności rezystancji pozwalają odrzucić model przewodnictwa skokowego zmiennozakresowego dla tego typu rezystorów. Z kolei pomiary szumów dają dobrą zgodność z jedną z teorii w ramach tego modelu przewodnictwa. Dla próbek badanych w pracy określono krytyczną koncentrację składnika metalicznego w warstwie rezystywnej, przy której następuje przejście metal-izolator.

EN

Thick film RuO2-glass resistors were studied. They were laboratory made, so their composition is well known. The measurements of resistance and 1/f excess noise as a function of temperature in the range of 30 mK - 300 K were performed. Also as a function of magnetic field in the range 0 – 5 T. The RuO2-glass resistors can be used as a cryogenic temperature sensors due to their high sensitivity and low magnetoresistance. A comparison of these parameters with the parameters of commercial sensors shows that they are the same class instruments. The resistors studied exhibit a large increase of excess noise level in the range of cryogenic temperatures, thus the temperature measurement resolution is limited. The noise measurements allowed to determine the actual measurement resolution of resistive temperature sensors. A critical analysis of conduction mechanisms frequently used to describe RuO2 resistors has also been performed. Measurements of temperature dependence of resistance allow to reject variable range hopping conductivity model for this type of resistors. On the other hand, the noise measurements give a good agreement with a theory within this model of conductivity. For the samples studied in the work a critical concentration of the metallic component in the resistive layer has been defined at which the metal-insulator transition occurs.

10

Magnetoresistance peculiarities and magnetization of materials with two kinds of superconducting inclusions

Shevtsova O. N.

Materials Science Poland

|

2015

|

Vol. 33, No. 1

73--81

EN

Low-temperature properties of a crystal containing type I superconducting inclusions of two different materials have been studied. In the approximation assuming that the inclusions size is much smaller than the coherence length/penetration depth of the magnetic field, the theory of magnetoresistance of a crystal containing spherical superconducting inclusions of two different materials has been developed, and magnetization of crystals has been calculated. The obtained results can be used for correct explanation of the low temperature conductivity in binary and more complex semiconductors, in which precipitation of the superconducting phase is possible during the technological processing or under external impact.

11

Kompleksowe badania 3D gigantycznego i kolosalnego magnetooporu zawiesin magnetoreologicznych

Bednarek S., Tyran P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 8

346--350

PL

Opisano sposób wytwarzania zawiesin magnetoreologicznych, złożonych z cząstek chemicznie czystego żelaza i koloidalnych cząstek grafitu zdyspergowanych w oleju cedrowym oraz budowę układu do pomiaru magnetooporu tych zawiesin w trzech prostopadłych kierunkach w polu o indukcji 0-8 T. Podano wyniki pomiarów magnetooporu w zależności od: indukcji i szybkości zmian pola, rozmiarów i zawartości cząstek żelaza oraz grafitu i lepkości cieczy dyspersyjnej. Wyniki wykazują gigantyczny lub kolosalny magnetoopór i jego histerezę.

EN

The article describes a way of producing conductive magnetorheological suspensions, containing particles of iron and colloidal graphite dispersed in cedar wood oil. It also presents a construction of a system to measure the magnetoresistance in three perpendicular directions in the field with induction of 0-8 T. The work demonstrates results of the magnetoresistance measurements, depending on: induction and speed of field changes, sizes and content of iron and, graphite particles and viscosity of disperse liquid. The obtained results show giant or colossal magnetoresistance and its hysteresis.

12

Electric and magnetic properties of nickel and nickel-plladium nanowires deposited in anodic aluminum oxide template

Bayev V., Fedotova J., Maximenko A., Streltsov E., Malashchonak M., Azarko I., Fedotov A., Svito I., Patryn A., Apel P., Tyutyunnikov S., Milosavljević M.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2012

|

Nr 4

43--54

EN

Structure, electric and magnetic properties of ordered Ni and Ni-Pd nanostructures synthesized by means of electrochemical deposition in porous anodic aluminum oxide templates were investigated. Templates were filled with nickel and nickel-palladium compositions using the alternative current. Matrix parameters (pores diameter and depth) determine the sizes and morphology of the formed metal nanowires. Negative sign of magnetoresistance was observed at T < 50 K and attributed to TMR effect due to variable range hopping carrier transport mechanism. Positive magnitoresistance was observed at T > 100 K and explained by Lorence-like mechanism. The presence of magnetic perpendicular anisotropy towards template plane in synthesized nanostructures was revealed. Demagnetizing factors of individual nanowire in parallel and perpendicular direction towards template plane were determined by magnetic resonance spectroscopy. Revealed increase of coercivity in nanowires containing palladium was explained by the formation of quasi- multilayered structure of Ni/Pd nanowires during the ac electrochemical deposition.

PL

Struktura, właściwości elektryczne i magnetyczne uporządkowanych Ni Ni-Pd nanostruktur syntezowanych metodą elektrochemicznego nanoszenia w porowatej matryce z utlenionego aluminiowego anodu. Matryca została wypełniona Ni lub Ni-Pd mieszanką z wykorzystaniem prądu zmiennego. Parametry matrycy (średnica i głębokość pór) wpływały na rozmiary i morfologię tworzących się metalicznych nanodrutów. Ujemna magnetorezystancja była obserwowana w temperaturze T<50K i mogła być opisana w ramkach mechanizmu skokowej przewodności. Pozytywna magnetorezystancja została obserwowana dla T>100K i odpowiada mechanizmowi typu Lorence. Obecność magnetycznej prostopadłej anizotropii w stosunku do płaszczyzny matrycy była zanotowana. Demagnezujący czynnik pojedynczych nanodrutów w kierunkach równoległych i prostopadłych do płaszczyzny matrycy był wyznaczony z badań metodą magnetycznej spektroskopii rezonansowej. Zaobserwowany wzrost komercyjności w nanodrutach zawierających palladium może być związany z formowaniem kwasi-wielowarstwowej struktury w Ni/Pd nanodrutach w trakcie elektrochemicznego osadzenia.

13

Magnetotransport in nanostructured Ni films electrodeposited on Si substrate

Fedotova J., Saad A., Ivanou D., Ivanova Y., Fedotov A., Mazanik A., Svito I., Streltsov E., Streltsov E., Tyutyunnikov S.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 4a

90-92

PL

W pracy przedstawiono badania rezystywności . i magnetorezystancji MR w cienkich nanoziarnistych warstwach Ni, które wykonano w temperaturach z przedziału 2 - 300 K oraz indukcji pola magnetycznego B większej od 8 T. Warstwy Ni posiadały grubość około 500 nm i zostały wykonane za pomocą galwanizacji na wafle krzemu n-Si. Według dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, w nowo wytworzonych cienkich warstwach uformowała się regularna struktura powierzchniowo centrowana o średniej wielkości ziaren 10 - 70 nm. Doświadczenia wykazały, że w cienkich warstwach Ni w zależności od MR i temperatury występują dwie główne cechy szczególne: (1) zależność od wzajemnej orientacji wektorów: indukcji pola magnetycznego B, kierunku prądu i płaszczyzny cienkiej warstwy, (2) dwie składowe MR - ujemna anizotropowa i dodatnia typu Lorenza.

EN

The study of electrical resistivity �â and magnetoresistance MR in nanogranular Ni films was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction B up to 8 T. The Ni layers having a thickness of about 500 nm were prepared by electrodeposition on n- Si wafers. According to an X-ray diffraction study, a strongly textured face-centered cubic structure was formed in the as-deposited films with an average grain sizes of about 10 - 70 nm. Experiments have demonstrated that the magnetic field and temperature dependences of the MR effect in Ni films shown two main peculiarities: (1) dependencies on the mutual orientations of vectors B, current and the film plane; (2) two contributions to the MR - negative anisotropic magnetoresistance and positive Lorentz-like MR.

14

Gigantic magnetoresistive effect in n-Si/SiO2/Ni nanostructures fabricated by the template-assisted electrochemical deposition

Fedotova J., Saad A., Ivanou D., Ivanova Y., Fedotov A., Mazanik A., Svito I. A., Streltsov E., Koltunowicz T. N., Tyutyunnikov S.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 7a

305-308

EN

The study of the carrier transport and magnetotransport in n-Si/SiO2/Ni nanostructures with granular Ni nanorods embedded into the pores in SiO2 was performed over the temperature range 2 – 300 K and at the magnetic field induction up to 8 T. In n-Si/SiO2/Ni nanostructures at temperatures of about 25 K a huge positive MR effect is observed. Possible mechanisms of the effect is discussed.

PL

Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ładunków i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze około 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omówiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia się opisanego efektu.

15

Structure, magnetic and electrical transport properties of Mn4-xAgxN compounds

Feng W. J., Li D., Zhang Q., Deng Y. F., Ma S., Zhang Z. D.

Materials Science Poland

|

2009

|

Vol. 27, No. 1

33--42

EN

Mn4-xAgxN compounds (x = 0.0, 0.3, 0.6, 1.0) were prepared by milling and subsequently annealing the mixture of Mn2N0.86, Mn, and Ag powders. All compounds display good single-phase characteristics. Both Mn4N and Mn3.7Ag0.3N exhibit ferrimagnetism, and a little Ag replacement of Mn can improve the saturation magnetization. The magnetic transition of Mn3.4Ag0.6N and Mn3AgN below 15 K is from triangular antiferromagnetism to non-coplanar ferrimagnetism, while the ones at 256 and 275 K (Mn3.4Ag0.6N and Mn3AgN, respectively) have been ascribed to the gradual transition, as temperature increases, from the triangular antiferromagnetic structure T5g to a ferrimagnetic-like one. Two minima appear on the p(T) curves for Mn3AgN, with the observation of a positive magnetoresistance throughout the whole tempeature-dependent change.

16

Magnetoresistive memory in ferromagnetic (Ga,Mn)As nanostructures

Wosiński T., Figielski T., Morawski A., Mąkosa A., Szymczak R., Wróbel J., Sadowski J.

Materials Science Poland

|

2008

|

Vol. 26, No. 4

1097--1104

EN

Magneto-resistive nanostructures have been investigated. The structures were fabricated by electron beam lithography patterning and chemical etching from thin epitaxial layers of the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As, in shape of three nanowires joined in one point and forming three-terminal devices, in which an electric current can be driven through any of the three pairs of nanowires. In these devices, a novel magneto-resistive memory effect has been demonstrated, related to a rearrangement of magnetic domain walls between different pairs of nanowires in the device consisting in that its zero-field resistance depends on the direction of previously applied magnetic field. The nanostructures can thus work as twostate devices providing basic elements of nonvolatile memory cells.

17

Influence of the magnetic field on the charge transport in InxGa1-xAs (0 x ≤ x ≤ 1) MBE layers

Wolkenberg A., Przesławski T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 2

72-75

EN

The Hali effect and magnetoresistance measurements in InxGa1-xAs alloys have been carried out over the entire range of compositions x(x=0, x=0.53 and x=1) in the magnetic field up to 1.5 T. InGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy (MBE) onto GaAs and InP substrates. Despite the large lattice mismatch (≤ 7.2%) InxGa1-xAs layers showed excellent morphological and structural properties as determined by double crystal X-ray diffraction. Heteroepitaxially grown InAs and In0.53Ga0.47As layers exhibited pronounced maximum of Hali coefficient at temperaturę about ~60 K, which is characteristic of impurity-band transport. Additionally all InGaAs layers showed several anomalous behaviour like strong non-linear character in the magnetic field dependence of their Hali coefficients, non-quadratic weak magnetic field dependence of magnetoresistance, and the temperature dependence of their electron mobility. These are attributed to inhomogeneous distribution of misfit dislocation, and are interpreted in terms of two-layer model, one with bulk like and the other with strongly dislocated region at the heterointerface.

PL

Pomierzono zjawisko Halla i magnetorezystancje w stopach InxGa1-xAs przy różnych wartościach x (x = 0, x=0,53 i x= 1) w polach magnetycznych do 1,5 T. Warstwy InGaAs były osadzane na podłożach z GaAs i InP w procesie MBE. Pomimo dużego niedopasowania sieciowego (≤ 7,2%) warstwy InxGa1-xAs wykazują dobrą strukturę, co wynika z badań XRD. Heteroepitaksjalne warstwy InAs i In0.53Ga0.47As wykazują się maksimum współczynnika Halla w temperaturze ~60 K charakterystyczną dla transportu przez pasmo domieszek. Ponadto warstwy InGaAs wykazują silnie nieliniowy charakter zależności współczynnika Halla od pola magnetycznego, niewielkie odchylenie od zależności kwadratowej magnetorezystancji od pola magnetycznego i zależność temperaturową ruchliwości elektronów. Przypisujemy to niehomogenicznemu rozkładowi dyslokacji niedopasowania i interpretujemy to w modelu dwuwarstwowym, składającym się z warstwy obszaru objętościowego i warstwy międzypowierzchniowej przy podłożu, silnie wzbogaconej dyslokacjami.

18

Domain-wall contribution to magnetoresistance in ferromagnetic (Ga,Mn)As film

Wosiński T., Pelya O., Figielski T., Mąkosa A., Morawski A., Sadowski J., Dobrowolski W., Szymczak R., Wróbel J.

Materials Science Poland

|

2007

|

Vol. 25, No. 2

351--358

EN

Simple magnetoresistive nanodevices formed by narrow constrictions of submicron width in the epitaxial film of a ferromagnetic (Ga,Mn)As semiconductor have been fabricated employing the electronbeam- lithography patterning and low-energy low-dose oxygen ion implantation. Low-temperature chargecarrier transport through the constrictions has been investigated and correlated with magnetic properties of the film. The constricted devices revealed abrupt jumps of a reduced resistance that appeared when the sweeping magnetic field crossed the regions of the coercive field of the film magnetization. In contrast, the non-constricted reference device displayed abrupt jumps of an enhanced resistance at the same values of magnetic field. We interpret the both features, whose positions on the magnetic-field scale reflect the hysteresis loop of magnetization, as manifestation of domain wall contribution to the (Ga,Mn)As film resistance. Presumably, the suppression of the weak localization effects by a domain wall located at the constriction results in a negative contribution of a domain wall to the resistance, while the spin-orbit interaction can be responsible for its positive contribution to the resistance.

19

Magnetism and superconductivity in oxide ferromagnet/superconductor heterostructures

Przysłupski P., Tsarou A., Komissarov I., Dybko K., Dłużewski P., Sawicki M., Dąbrowski B., Kimball C.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 3

665--668

EN

We report on the transport and magnetic properties of La0.67Sr0.33MnO3/YBa2Cu3O7/La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO/YBCO/LSMO) trilayer structures. The onset of superconducting transition temperature in trilayer structures starts from the sample with 6 nm (5 unit cells) thick YBCO layer. M(H) hystersis loop indicate indirect exchange coupling between LSMO layers across YBCO layer. MR studies demonstrate a change of magnetoconductance (MC) of a trilayer structure with variation of magnetic field, indicating an indirect exchange coupling between LSMO layers across nonsuperconducting YBCO layer.

20

Electronic transport through carbon nanotubes with ferromagnetic electrodes or in magnetic fields

Krompiewski S.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 3

649--657

EN

I study spin-dependent electronic transport through carbon nanotubes (CNTs) either sandwiched between ferromagnetic contacts or placed at external magnetic fields. The attention is directed to the conductance dependence on: (i) geometrical sizes (length and diameter of the CNTs), (ii) chirality, and (iii) conditions at CNT/contact interfaces. The CNTs are end-contacted to fcc (111) metallic leads, and relative atomic positions at the interfaces are determined by a relaxation procedure. Additionally a charge neutrality condition is imposed on the extended molecule (i.e. the CNT with a few atomic layers of the leads) in order to fix the band lineup of the whole system. Using a single-band tight-binding model and a Green's function technique it is shown that if electrodes are ferromagnetic - a quite considerable giant magnetoresistance effect can occur. For paramagnetic electrodes in turn, in the parallel magnetic field, clear Aharonov-Bohm oscillations are observed with distinct minima in the conductance. A depth of the dips depends on diameters of the CNTs, most likely due to some unintentional doping coming from the contacts. In the case of the perpendicular geometry, pronounced conductance oscillations appear whenever a magnetic length gets smaller than a perimeter of the CNT.