Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: magnetic logic

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Conception of Magnetic Memory Switched by Time Dependant Current Density and Current Electron Spin Polarization

Steblinski Paul, Blachowicz Tomasz

International Journal of Electronics and Telecommunications

2019

Vol. 65, No. 2

309--312

In this article the magnetic memory model with nano-meter size made from iron cells was proposed. For a purpose of determining the model specifications, the magnetic probes group with different geometrical parameters were examined using numeric simulations for the two different time duration of transitions among quasi-stable magnetic distributions found in the system, derived from the energy minimums. The geometrical parameters range was found, for which the 16 quasi–stable energetic states exist for the each probe. Having considered these results the 4 bits magnetic cells systems can be designed whose state is changed by spin-polarized current. Time dependent current densities and the current electron spin polarization directions were determined for all cases of transitions among quasi-stable states, for discovered set of 4 bits cells with different geometrical parameters. The 16-states cells, with the least geometrical area, achieved the 300 times bigger writing density in comparison to actual semiconductor solutions with the largest writing densities. The transitions among quasi-stable states of cells were examined for the time durations 10⁵ times shorter than that for up to date solutions.

Wielostanowa komórka pamięci magnetycznej - analiza czasowa szybkości zapisu oraz gęstości upakowania komórek

Stebliński P., Błachowicz T.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

2017

Nr 11

41--48

Przebadano model wielostanowej komórki pamięci magnetycznej. Przeprowadzono analizę ilości stanów stabilnych, wyznaczono natężenie sygnału przełączającego (pole Zeemana) pomiędzy stanami w zależności od czasu przełączania oraz wyznaczono gęstość zapisu. 3-bitowa (o 8 niezależnych stanach stabilnych) komórka pamięci magnetycznej posiadała około 100 razy większą gęstość zapisu niż aktualnie spotykane pamięci SSD o najwyższej gęstości. Badane czasy przełączania były od 1000 do 100 tys. razy mniejsze niż we współczesnych półprzewodnikowych odpowiednikach. Ważną zaletą wyznaczonego nieukierunkowanego pola przełączającego była jego jednorodność w przestrzeni oraz jedynie zmiana w czasie.

The model of multi-level magnetic cell memory was examined. The analysis of stable states, a switching signal (Zeeman field) intensity and direction in dependence of switching time along with writing density were performed. The 3-bit (8 independent stable states) magnetic cell memory achieved potential writing density of about 100-times higher then actual SSD memories having actually highest writing density. The examined switching times were from 1000 to 100000 times shorter then up to date semiconductor solutions. Importantly, the advantage of discovered switching field intensity was homogeneous in space and changed in time.