Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  magnetic domain
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote The study of magnetic domain development in shielding films using MFM technique
EN
In the article we’ve described results of the research aimed on recognition magnetic domain structures of thin magnetic film that can be used as a shield. By correlating magnetic domain structures with macroscopic properties of the film, we can implement a new approach, where the large group of small samples is used to select limited group of large samples in order to perform final tests and select the solution suitable for mass production.
PL
W artykule zostały opisane wyniki badań mających na celu wskazanie możliwości zastosowania mikroskopii sił magnetycznych w opisywaniu cienkich warstw magnetycznych, stosowanych w ekranowaniu pola elektromagnetycznego.
PL
Cienkie warstwy NiFe są powszechnie wykorzystywane jako magnetyczne nośniki danych oraz czujniki. Szczególnie znany jest stop Ni83Fe17. Jedną z najpowszechniej wykorzystywanych metod otrzymywania cienkich warstw magnetycznych jest rozpylanie magnetronowe. Fizyczne i elektryczne właściwości cienkich warstw silnie zależą od wielu czynników, takich jak struktura krystalograficzna, orientacja, skład oraz rodzaj podłoża na którym warstwa została osadzona. Ponadto, w przypadku warstw magnetycznych, ich właściwości magnetyczne są określane poprzez magnetyczną strukturę domenową. W artykule przedstawiono wyniki badań mających na celu poznanie korelacji pomiędzy grubością, a magnetyczną strukturą domenową cienkich warstw NiFe. W celu uzyskania ilościowego opisu uzyskanych wyników, z powodzeniem zastosowano algorytmy przeznaczone do analizy parametrów topografii.
EN
NiFe alloy thin films are commonly used in the area of memory devices for computers, magnetic recording media, sensor industry and microelectromechanical systems. In particular, Permalloy (Ni83Fe17) is well known group of thin films, because of its high magnetic saturation, low coercivity and low magnetization. One of the methods of providing high quality soft magnetic thin films is magnetron sputtering. Physical and electrical properties of thin films strongly depend on many parameters such as crystallographic structure, orientation, composition or the type of substrate. In addition, in the case of magnetic layers, their magnetic properties are determined by obtaining domain structure. In the article we’ve described results of the research aimed on recognition of correlation of film thickness and magnetic domain structures. In order to obtain quantitative description of obtained results, we’ve successfully applied algorithms designed for topography parameters determination.
3
Content available remote Magnetostriction of grain oriented Si-Fe and its domain model
EN
Transformer noise has been drawing more and more attentions recently. One of the main causes of transformer noise is magnetostriction of grain oriented electrical steel sheets. Magnetostrictions perpendicular to the rolling direction should also be focused in addition to those to the rolling direction, because magnetic flux flows out of the rolling directions especially around T-joint parts of 3-phase transformers. In this paper, magnetostrictions of high permeability grain oriented electrical steel sheets to the both directions were measured with a Doppler- vibrometer and rationalized by magnetic domain models.
PL
Szumy generowane przez transformatory są obecnie analizowane coraz bardziej szczegółowo. Głównym ich źródłem jest magnetostrykcja blach zorientowanych. Magnetostrykcja prostopadła do kierunku walcowania powinna być także brana pod uwagę ponieważ strumień magnetyczny nie zawsze jest w kierunku walcowania. W artykule przeanalizowano magnetostrykcję blach zorientowanych w obu kierunkach używając wibrometr Dopplera.
4
Content available remote Micromagnetic properties of Co/Pt multilayers deposited on different buffer layers
EN
A study on the buffer layer dependence of the film texture, surface roughness, and magnetization reversal process in Co/Pt multilayers prepared by dc magnetron sputtering is presented. Oxidized Si(100) wafer was covered with four different buffers: (A) 10 nm Cu, (B) 5 nm Ta/10 nm Cu, (C) 5 nm Ta/10 nm Cu/5 nm Ta, and (D) 5 nm Ta/10 nm Cu/5 nm Ta/10 nm Cu. The growth of [2 nm Pt/0.5 nm Co]×5/2 nm Pt on top of these buffer layers results in a large variation in the fcc (111) Co/Pt texture and surface morphology. All films have the perpendicular magnetic anisotropy but magnetization reversal process, studied by the magnetooptic Kerr effect (MOKE) and magnetic force spectroscopy (MFM), strongly depends on the buffer used. Observation of magnetic domains evolution under a MOKE microscope allows one to calculate from magnetization relaxation curves average dispersion of energy barriers of the thermal activated magnetization switching process. The application of MFM in external magnetic field allows one to follow the dynamics of direct and indirect magnetization switching procesess up to submicrometer scale.
EN
Applying the powder pattern method the magnetic domain structures of the polycrystalline intermetallic RMn2Ge2 (where R identical to La, Ce, Pr, Nd) compounds were studied on the grain surfaces parallel and perpendicular to the easy direction of magnetization. The domain structures observed are typical for uniaxial materials. The domain wall energy density gamma was determined from the dependence of the domain width D on the crystal thickness L in the magnetically preferred direction, applying different models of the domain structure. A good agreement was obtained between the values of the domain wall energy as determined from the Kittel's model (gamma = 6,2 mJ/m3) and Hubert's model (gamma = 6,4 mJ/m3 for the LaMn2Ge2 compound.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.