Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Układ przedwzmacniacza do modułu ultraszerokopasmowej transmisji danych DW1000

Woźna K., Michnowski R.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2016

|

nr 6

221—224, CD

PL

W referacie przedstawiono koncepcję oraz wyniki badań wykonanego układu przedwzmacniacza zwiększającego zasięg transmisji ultraszerokopasmowej modułu nadawczo-odbiorczego DW1000 pracującego w kanale nr 5 w paśmie 6,25 – 6,75 GHz. Do budowy układu wykorzystano scalone układy mikrofalowe (klucze, wzmacniacz).

EN

In the paper there are presented a concept and results of research of built preamplifier which purpose is to increase range of ultra-wideband transmission of DW1000 transceiver. DW1000 works on channel no. 5 in 6,25 - 6,75 GHz frequency band. In order to build the device, integrated microwave circuits such as RF switches and amplifier were used.

2

T/R modules for APAR

Gryglewski D., Morawski T., Sędek E., Wojtasiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 4

56-64

EN

This paper sums up the achievements of solid-state T/R modules for Active Phased Array Radar (APAR) within confines of many years' standing co-operation between Warsaw University of Technology and Telecommunications Research Institute. A review of the concepts and performances of developed low cost T/R modules for L- and C-bands are presented. The transmitting amplifiers structures were optimized for maximum output power level and minimum transmittance distortions during radar pulse using self-invented electro-thermal models of high power microwave transistors. The transmitting line provides less than 0.1 dB and 0.4° transmittance changes during RF pulse at maximum output power level close to dB gain compression point. The receiving line includes two major parts: broadband passive lim-iter and low-noise amplifier (LNA). Typically, limiter provides less than .3 dB small-signal insertion losses in-band and protects LNA against undesirable signals over dBm to dBm (cw) limiting range. The LNAs were designed for minimum noise figure and maximum fault tolerance such as ESD and too high input signal. LNAs achieve less than dB noise figure and more than dB gain.

PL

W artykule podsumowano wyniki prac nad półprzewodnikowymi modułami N/O dla radarów z aktywnie fazowaną wiązką osiągnięte w ramach wieloletniej współpracy pomiędzy Przemysłowym Instytutem Telekomunikacji a Politechniką Warszawską. Na wstępie przedstawiono przegląd rozwiązań układowych modułów N/O oraz propozycję struktury parametrów tanich modułów na pasma L i C. Moduł N/O składa się z toru nadawczego i odbiorczego. Głównym podzespołem toru nadawczego jest wzmacniacz dużej mocy zaprojektowany dla uzyskania maksymalnej mocy wyjściowej, przy jak najmniejszych wahaniach transmitancji w czasie impulsu i pomiędzy kolejnymi impulsami. Dla osiągnięcia tego celu użyto własnego elektrotermicznego modelu tranzystorów typu FET. W rezultacie zmiany transmitancji toru nadawczego były mniejsze niż 0,1 dB i 0,4° w trakcie impulsu dla mocy wyjściowej na poziomie punktu 1 dB kompresji wzmocnienia. Dla zabezpieczenia wzmacniacza niskoszumnego na wejściu toru odbiorczego umieszczono pasywny ogranicznik diodowy o zakresie ograniczania od 10...41 dBm (cw) i stratach wtrąceniowych w paśmie pracy poniżej 0,3 dB. Wzmacniacz niskoszumny zoptymalizowano dla osiągnięcia minimum współczynnika szumów i maksymalnie dużej odporności na uszkodzenia wywoływane zbyt dużym poziomem sygnału wejściowym oraz ESD. Współczynnik szumów zrealizowanych LNA nie przekraczał 1 dB, a wzmocnienie było większe niż 27 dB.

3

Prądowo-napięciowy, niskoszumny scalony wzmacniacz impulsów ładunkowych

Podmiotko W., Szymański A.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2001

|

Vol. 47, z. 1

75-86

PL

W pracy przedstawiono nową koncepcję i wyniki badań scalonego wzmacniacza ładunkowego przeznaczonego do systemów odczytu detektorów promieniowania jonizującego. W projekcie układu wykorzystano ideę wzmacniacza prądowego CMOS pracującego w klasie AB. Dwustopniowy wzmacniacz zawiera przedwzmacniacz prądowy i stopień wzmacniacza napięciowego sprzężone ze sobą układem typu C-R-C. Układ został zaprojektowany w dwóch wersjach, zrealizowany w technologii CMOS z podwójnym polikrzemem i podwójną metalizacją oraz scharakteryzowany. Wyniki pomiarów wykazały, że układy charakteryzują się dużą szybkością działania (> 1MHz) przy małym poborze mocy (< 500 µW) i dobrymi właściwościami szumowymi. Parametry szumowe układu mogą być optymalizowane w pewnych granicach poprzez dobór wartości elementów układu sprzęgającego.

EN

In the paper new design and experimental results of integrated charge amplifier destined for readout of ionising radiation detectors are presented. In the design the AB class current amplifier has been used. The two-stage amplifier is consisted of a current preamplifier stage and a voltage amplifier stage coupled by C-R-C type circuit. The circuit has been designed in two versions, realised in double polysililicon, double metal CMOS 0.8 [mi]m process and chracterised. Results of measurements showed that the developed prototypes can perform with high rate (> 1MHz) at low supply power (500< µW) and with good noise properties. Noise performance can be optimised in some limits by choice of coupling circuit elements values.

4

Projektowanie mikrofalowych wzmacniaczy małoszumnych

Kral J.

Elektrotechnika i Elektronika

|

2000

|

T. 19, z. 1

60--74

PL

W pracy przedstawiono sposób projektowania małoszumnego wzmacniacza mikrofalowego z elementami o stałych rozłożonych. Podano zależności projektowe, na podstawie których można przeprowadzić analizę graficzną układu. Omówiono ograniczenia wynikające z potencjalnej niestabilności tranzystora oraz kompromisu pomiędzy minimalnym współczynnikiem szumów a maksymalnym wzmocnieniem mocy. Podano syntetyczny algorytm projektowania. Przedstawiono też przykład projektowania wzmacniacza na 5 GHz o minimalnym współczynniku szumów rzędu 1 dB i wzmocnieniu mocy około 12 dB. Zaprezentowano sposób zwiększenia marginesu stabilności oraz szczegółowy sposób zaprojektowania obwodów dopasowujących. Pokazano też fizyczną realizację wzmacniacza (layout) na podłożu laminowanym w technice niesymetrycznych linii paskowych.

EN

This article covers the design of a low noise amplifier with distributed matching elements. Basic design relations which serve to graphical analysis are provided. Limitations connected with transistor stability and compromise between noise figure and power gain are discussed. Design procedure is formulated for a potentially unstable transistor. As an example there is a design of the amplifier with a GaAs MESFET with a noise figure of 1 dB and 12 dB gain around 5 GHz. The technique of increasing stability region and detailed matching circuit design are shown. Analysis and optimisation results are included. Presentation of amplifier layout on laminate substrate in microstrip technology closes the paper.