Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2020

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: low-losses gate driver

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z ćwierćfalową linią długą

Legutko Piotr, Kaczmarczyk Zbigniew

Przegląd Elektrotechniczny

2020

R. 96, nr 7

107--112

W artykule przedstawiono podstawowe właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF (20 MHz, 400 W, 91,2%) z ćwierćfalową linią długą dołączoną po stronie zasilania. Falownik ten zawiera jeden tranzystor, przebieg napięcie tranzystora zbliżony jest do prostokątnego oraz występuje przełączanie miękkie tranzystora typowe dla klasy E. Zastosowany tranzystor MOSFET serii DE sterowany jest za pomocą dedykowanego, niskostratnego sterownika bramkowego własnej konstrukcji. Wyjaśniono metodę optymalizacji parametrów falownika klasy EF ze względu na sprawność, którą zrealizowano z wykorzystaniem oprogramowania ANSYS Simplorer i wbudowanego algorytmu genetycznego. Koncepcja falownika klasy EF została pozytywnie zweryfikowana laboratoryjnie. Zarejestrowano przykładowe przebiegi czasowe napięć tranzystora oraz wyznaczono wybrane parametry falownika.

Some basic properties and laboratory tests of high-frequency Class EF inverter (20 MHz, 400 W, 91.2%) with quarter-wave transmission line on the supply side are presented in the article. The inverter contains one transistor, the transistor voltage waveform is close to a rectangular one and the soft-switching of the transistor is realized as typically in Class E. The applied DE-series MOSFET transistor was controlled by a dedicated, low-loss driver of its own design. The optimization method of the Class EF inverter parameters to maximize efficiency was explained. It was implemented using ANSYS Simplorer software and a built-in genetic algorithm. The concept of the Class EF inverter was positively verified in the laboratory. Examples of transistor voltage waveforms were recorded and selected inverter parameters were determined.