Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: low-k dielectrics

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Calibration aided evaluation of interconnection capacitances for statistical simulation of IC's with heterogeneous isolating materials

Jarosz A., Pfitzner A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 12

35-38

In our previous works we have proposed an empirical model of interconnection capacitances, taking into accountfurther neighborhood of the line in the bus. The model was developed for technologies based on SiO₂ as the isolating material between interconnection lines and metal layers, and it was verified numerically and experimentally [1,2]. In most advanced technologies Iow-k materials displace SiO₂, as they enable to reduce capacitances significantly. In this paper we present results of our studies on usability of our model in statistical simulation of structures using different and heterogeneous isolating materials. As in such cases it may be hard to determine the effective value of dielectric permittivity, we proposed the method to overcome this problem by using calibration of the formulas during calculations.

W naszych wcześniejszych pracach zaproponowaliśmy empiryczny model pojemności połączeń wewnątrzukładowych, biorący pod uwagę dalsze sąsiedztwo ścieżki w magistrali. Model ten był opracowany z myślą o technologiach opartych na SiO₂ jako materiale izolacyjnym między ścieżkami i został zweryfikowany numerycznie i eksperymentalnie [1,2]. W zaawansowanych technologiach, w celu zmniejszenia pojemności pasożytniczych, SiO₂ jest zastępowany materiałami o niższej przenikalności dielektrycznej. W niniejszym artykule przedstawiamy rezultaty naszych badań nad użytecznością opracowanego modelu w symulacji statystycznej struktur wykorzystujących niejednorodny materiał dielektryczny jako izolator. W takim przypadku wyznaczenie efektywnej wartości przenikalności dielektrycznej może być trudne, zaproponowaliśmy więc metodę przezwyciężenia tego problemu poprzez zastosowanie odpowiedniej kalibracji wzorów w trakcie obliczeń.

Computer simulation and optimization of properties of porous low-k dielectrics

Elsner A., Hermann H.

Materials Science Poland

2007

Vol. 25, No. 4

1193--1202

Due to progressive miniaturization one of the current challenges in microelectronics is to find materials with very low electric permittivity. The model of dense random packed spheres is applied to generate model systems of porous dielectric materials. Pores are represented by dense packed spheres. By optimizing the parameters, the porosity and therefore the theoretical electric permittivity was reduced significantly. Another task is optimization of mechanical properties. Mechanical stability is an important criterion for the processability in industrial fabrication of microlectronics components. The mechanical stability is mostly negatively correlated to porosity. Simulated open pore and closed pore systems with high porosity were analyzed in terms of mechanical properties. Other methods like an adapted random walk algorithm were used to characterize further important properties like particle permeability. In porous materials, the so-called "random voiding" may appear. This happens when pores are larger than the layer thickness. Simulation of porous structures can show limitations in pore size and spatial distribution where the requirements of industrial processability are no longer satisfied. Advantageous parameters for porosity in dielectric materials are advised.