PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  low-bandgap semiconductor
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Charakteryzacja wielokanałowego transportu nośników ładunku dla epitaksjalnych struktur półprzewodnikowych
Wróbel Jarosław, Złotnik Sebastian, Boguski Jacek, Kojdecki Marek, Wróbel Jerzy
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
228--230
PL
W pracy zwrócono uwagę na potrzebę rozwoju technik do precyzyjnego parametryzowania wielokanałowego transportu nośników ładunku, mających fundamentalne znaczenie dla efektywnego projektowania przyrządów półprzewodnikowych. Przedstawiono aktualny stan rozwoju tych technik pomiarowych w Wojskowej Akademii Technicznej, oraz przykładowe rezultaty dla struktur półprzewodnikowych, otrzymywanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).
EN
The paper highlights the need to develop techniques for the precise parameterization of multi-channel charge carrier transport, which are of fundamental importance for the effective design of semiconductor devices. The current state of development of these measurement techniques at the Military University of Technology is presented, as well as exemplary results for semiconductor structures obtained by molecular beam epitaxy (MBE).
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.