Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2006

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: losses of converter

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Comparison of power semiconductor utilization and losses of 2.3 KV, 3.3 KV and 4.16 KV Neutral-Point-Clamped and series connected H-Bridge Multi-Level converters

Fazel S.S., Krug D., Bernet S.

Przegląd Elektrotechniczny

2006

R. 82, nr 2

42-48

This paper describes the Three-Level Neutral Point Clamped Voltage Source Converter (3L-NPC VSC) and the Series Connected H-Bridge Voltage Source Converter (5L-SCHB VSC, 7L-SCHB VSC and 9L-SCHB VSC) on the basis of the state-of-the-art 1.7kV, 3.3kV, 4.5kV and 6.5 kV IGBTs for 2.3 kV, 3.3 kV and 4.16 kV medium voltage converters. The selection of the power semiconductors, the expense of active components, the installed switch power, converter losses and their distribution, modulation strategies and the harmonic spectra will be compared in detail.

Niniejszy artykuł przedstawia falowniki wielopoziomowe typu NPC oraz Cascaded H-Bridge zbudowane w oparciu o najnowocześniejsze tranzystory IGBT 1.7kV, 3.3kV, 4.5kV and 6.5kV. Topologie te zostały porównane w aspekcie applikacji przekształtników średniego napięcia: 2.3kV, 3.3kV oraz 4.16kV. Porównanie obu układów dotyczy metody doboru łączników półprzewodnikowych, analizy strat i sprawności przekształtników. Dodatkowo zamieszczone zostały szczegółowe porównane metod modulacji oraz zawartości wyższych harmonicznych w wytwarzanym przez oba układy napięciu.