Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wytwarzanie mikro- i nanostruktur metodami mikroskopii bliskich oddziaływań

Kolanek K., Gotszalk T., Zielony M., Grabiec P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 5

9-11

PL

Postęp w dziedzinie wytwarzania urządzeń półprzewodnikowych i układów scalonych wynika głównie z procesu miniaturyzacji. W wyniku miniaturyzacji wzrasta wydajność oraz zmniejsza się pobór mocy zaawansowanych przyrządów elektronicznych. W chwili obecnej technologia fotolitografii jest podstawowym narzędziem pozwalającym wytwarzać zawansowane przyrządy półprzewodnikowe. Tworzenie przyrządów o rozmiarach poniżej 100 nm powoduje znaczne problemy technologiczne. Nanolitografia, technika mikroskopii bliskich oddziaływań, wykorzystująca proces lokalnej anodyzacji powierzchni, jest zaawansowaną techniką pozwalającą wytworzac wzory na powierzchni półprzewodnika. Ze względu na precyzyjną kontrolę procesu lokalna anodyzacja jest wszechstronną techniką pozwalającą wytwarzać wzory nanostruktur. Łącząc technikę nanolitografii z procesem mokrego trawienia można wytworzyć nanostruktury o szerokości linii poniżej 100 nm. Przedstawiona technologia może w niedalekiej przyszłości posłużyć do wytwarzania przyrządów elektroniki kwantowej.

EN

Rapid progress in fabrication of the semiconductor devices and integrated circuits is mainly due to miniaturization. As a result of the miniaturization process improved performance and reduced power consumption is introduced to high- end electronic devices. At the present state mainly photolithography tools are used for developing electronic devices. Fabrication of nanostructures below 100 nm regime by conventional photolithographic techniques leads to technological limitations. Nanolithography based on local anodic oxidation by atomic force microscopy is a promising technique for patterning nanostructures on silicon substrates. Due to its versatility and precise control, local anodic oxidation is suited for preparing well defined nanostructures. By the combination of nanolithography and wet etching, nanostructures with a line width below 100 nm may be fabricated. Presented technology could be used to fabricate quantum devices in the near future.

2

Wytwarzanie przyrządów elektroniki kwantowej metodami mikroskopii bliskich oddziaływań

Kolanek K., Gotszalk T., Woszczyna M., Masalska A., Zawierucha P., Mulak P., Szeloch R., Zielony M., Janus P., Grabiec P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 5

27-29

PL

Ciągły rozwój technologii półprzewodnikowej powoduje wzrost skali integracji, szybkości działania układów elektronicznych oraz zmniejszenie pobieranej przez nie mocy. Obecny stan technologii opiera się głównie na technice fotolitografii i osiąga kres swoich możliwości zmniejszania charakterystycznych wymiarów przyrządów półprzewodnikowych. Przewiduje się, że fotolitografia nie zapewni tworzenia przyrządów półprzewodnikowych o rozmiarach charakterystycznych mniejszych od 30 nm. Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do lokalnej anodyzacji powierzchni otwiera nowe perspektywy wykonywania wzorów o wymiarach mniejszych od 30 nm. Zaletą tej techniki jest możliwość zarówno wytwarzania, jak i jednoczesnej diagnostyki wygenerowanych wzorów. Przedstawiono wyniki eksperymentów prowadzonych w laboratorium mikroskopii bliskich oddziaływań, nanostruktur i nanomiernictwa WEMiF z Politechniki Wrocławskiej.

EN

Rapid progress in semiconductor technology leads to greater scale of integration, improved speed and a reduced amount of the needed power of the electronic devices. At the present time mainly photolithography tools are used for developing electronic devices. Now the tools are working on the edge of the performance. Scanning probe microscopy is one of the methods which may be applied not only to surface visualization but also to modification. In this paper we describe local anodization process, which may be applied to create patterns on semiconductor and metallic surfaces. Control software of the atomic force microscope transfers designed patterns on the surface. We will present our research conducted in Laboratory of scanning probe microscopy, nanostructures and nanometrology in the Faculty of Microsystems Electronics and Photonics at Wroclaw University of Technology.

3

Metody mikroskopii bliskiego pola od mikro- do nanoelektroniki: diagnostyka, wytwarzanie

Gotszalk T., Sikora A., Kolanek K., Szeloch R., Szmidt J., Grabiec P., Rangelow I. W., Mitura S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 11

14-18

PL

Obserwowane obecnie tendencje w rozwoju systemów elektronicznych i tzw. mikrosystemów, które łączą w sobie zarówno funkcje przetwarzania sygnałów elektronicznych, jak i oddziaływań mechanicznych, chemicznych, itp. wyrażają się w znacznym zmniejszeniu tzw. wymiaru charakterystycznego do setek i dziesiątek nanometrów. W opracowaniu przedstawiono przegląd metod bliskiego pola zarówno w zastosowaniach diagnostycznych jak i technologicznych, które pozwalają zaspokoić skrajnie trudne warunki powstałe na drodze do nanoelektroniki, a ogólnie do nanotechnologii. Badania i wytwarzanie tego typu układów wymagają nowatorskiego podejścia, które musi uwzględniać prawa fizyki kwantowej.

EN

In last decades rapid progress in fabrication of integrated circuits and microsystems has been observed. Simultaneously novel problems connectec with measurements of such devices and microelectronical materials were defined. In our work we will describe the application of scanning probe microscopy based methods in measurements of physical properties of microelectronical devices and materials. We will present methdos and techniques, which were developed at the Faculty of Microsystem Electronic; and Photonics of Wroclaw University of Technology. In this experiments we used novel nearfield sensors and measurement electronics to describe quantitavely the surface properties. We will present preliminary results on fabrication of nanostructures, which can be applied as quantum electronical devices like: quantum points and single electron transistors.