Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Modzelewski J.

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: linear power amplifiers design

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza asymetrii w sterowaniu tranzystorów przeciwsobnego wzmacniacza mocy w.cz. za pomocą transformatora z linią transmisyjną

Modzelewski J.

Przegląd Elektrotechniczny

2016

R. 92, nr 9

47--50

Przeanalizowano właściwości obwodu wejściowego przeciwsobnego liniowego wzmacniacza mocy w. cz. klasy AB z transformatorem szerokopasmowym o przekładni 1:1 na linii transmisyjnej w pobliżu jego dolnej częstotliwości granicznej. Wykazano, że w takim obwodzie wejściowym przy dostatecznie małej częstotliwości roboczej przesunięcie fazy między sygnałami sterującymi bramki obu tranzystorów znacząco maleje poniżej 1800 a różnica między ich amplitudami znacznie wzrasta. W przeciwsobnym wzmacniaczu mocy klasy AB takie błędy sterowania są bardzo niekorzystne, gdyż powodują zniekształcenia nieliniowe wzmacnianego sygnału, w szczególności znaczny poziom drugiej harmonicznej.

Properties of the input circuit in the hf linear Class-AB push-pull power amplifier with the transmission-line 1:1 wide-band transformer were analyzed near its lower limit frequency. It was shown that if the operating frequency is sufficiently low then in this input circuit the phase shift between the signals driving the gates of both transistors decreases significantly below 180o and their amplitude difference increases. In the push-pull Class-AB power amplifier this incorrect driving is very harmful because it causes non-linear distortion of amplifying signals, in particular a high level of the second harmonic.

Obliczanie mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza liniowego klasy AB

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 9

51-54

Przedstawiono metodę obliczania mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza liniowego klasy AB w funkcji jego wysterowania. Przyjęto odcinkowo-liniową aproksymację charakterystyki przejściowej tranzystora (dla obszaru dużych prądów, obszaru zakrzywienia i obszaru zatkania. Metoda obejmuje zasady doboru prądu spoczynkowego tranzystorów wzmacniacza klasy AB zapewniające dużą liniowość i sposób obliczania mocy traconej w tranzystorach w funkcji wysterowania. Otrzymane wyniki zweryfikowano drogą symulacji komputerowych wzmacniacza liniowego klasy AB z tranzystorami IRF510 (20W, 1÷3 MHz).

A method of calculating the power dissipated in transistors in the Class-AB linear amplifier versus the amplifier drive level is presented. A piecewiselinear approximation of the transistor transfer characteristic is applied (in the high-current region, in the “knee” region, and in the turn-off region). The method describes how to find the quiescent current of power transistors in the Class-AB amplifier allowing to maximize its linearity and how to calculate the power loss in transistors versus the drive level. This method has been verified by PSPICE simulations of the Class-AB linear power amplifier with IRF510 (20 W, 1÷3 MHz).