Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2009

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: line PWM converter

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania właściwości trójfazowego przekształtnika sieciowego PWM z diodami zwrotnymi z węglika krzemu

Nowak M., Barlik R., Rąbkowski J., Grzejszczak P.

Przegląd Elektrotechniczny

2009

R. 85, nr 12

199-203

Wprowadzane są na rynek przyrządy półprzewodnikowe - łączniki mocy wykonane z węglika krzemu. Niezależnie od właściwości termicznych predestynujących je do zastosowań wysokotemperaturowych, bada się celowość ich zastosowania w obszarach typowych dla przyrządów krzemowych. Diody Schottky’ego z węglika krzemu zastosowane jako diody zwrotne w przekształtnikach PWM z uwagi na właściwości zapewniają zmniejszenie strat łączeniowych. Celem pracy jest przestawienie wyników obliczeń i pomiarów laboratoryjnych obrazujących na przykładzie 5 kVA modelu jakie wymierne korzyści wynikają dzięki zastosowaniu diod z węglika krzemu. Możliwe jest w takim przypadku zwiększenie częstotliwości łączeń i uzyskanie związanych z tym korzystniejszych parametrów konstrukcyjnych układu.

New semiconductor devices – power switches made from silicon carbide - have been available in the market for some years. Independently from specific thermal features which predestine these for high temperature applications, the possible replacing of common silicon devices with this new silicon-carbide switches is being investigated. The implementation of SiC - Schottky reverse conducting diodes instead of PiN diodes in one- and three-phase PWM converters, thanks to theirs switching properties, should result in the reduction of power losses. The objective of the paper is to present calculations of results as well as laboratory measurements of three-phase 5 kVA PWM converter power losses for two cases: converter with superfast PiN diodes and converter with SB - SiC diodes. Possible benefits ensure by lower switching losses thanks to SiC SB diodes application are pointed.