Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: light detection

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Photoresistor based on ZnO nanorods grown on a p-type silicon substrate

Witkowski B. S, Pietruszka R., Gieraltowska S., Wachnicki L., Przybylinska H., Godlewski M.

Opto-Electronics Review

2017

Vol. 25, No. 1

15--18

In this work we discuss a method of preparation of a highly sensitive light detector based on ZnO nanorods. A photoresistor constructed by us is based on a heterojunction between high quality ZnO nanorods and high resistivity p-type Si used as a substrate for nanorods’ deposition. ZnO nanorods are grown by a modified version of a microwave assisted hydrothermal method which allows for growth of high quality ZnO nanorods in a few minutes. The obtained photoresistor responds to a wide spectral range of light starting from near infrared (IR) to ultraviolet (UV). Properties of the detector are evaluated. We propose the use of the detector as an optical switch.

System detekcji światła z użyciem fotopowielaczy krzemowych

Rachwał B.

Czasopismo Techniczne. Mechanika

2012

R. 109, z. 9-M

253--260

Współczesne systemy detekcji światła wymagają nieustannego prowadzenia prac badawczorozwojowych w celu uzyskiwania coraz lepszej efektywności zbieranego sygnału. Na bazie wyników uzyskanych podczas prac badawczo-rozwojowych detektora IFR spektrometru SuperB, prowadzonych w Ferrarze, w artykule przedstawiono wyniki optymalizacji układu zawierającego fotopowielacze krzemowe w systemie detekcji światła.

Modern systems of light detection require continuous research and development studies in order to achieve the best possible efficiency of the collected signal. Optimization of the light detection system, composed of silicon photomultipliers in the light is discussed, based on R&D works related to the construction of the IFR detector (SuperB collaboration).

Różnicowy układ pracy fotodetektora promieniowania optycznego

Gilewski M.

Przegląd Elektrotechniczny

2009

R. 85, nr 11

249-252

W publikacji przedstawiono koncepcję różnicowego układu pracy fotodetektora półprzewodnikowego. Zaproponowano nową strukturę układu zawierającą: jeden lub dwa fotodetektory, dwa wzmacniacze transimpedancyjne oraz różnicowy wzmacniacz wyjściowy. Proponowane rozwiązanie układu detekcji promieniowania jest bardziej czułe i mniej wrażliwe na zakłócenia niż pojedyńczy konwerter prąd - napięcie. W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych oraz wskazówki dotyczące rozwiązań aplikacyjnych.

This paper describes a differential detection circuit of optical radiation. The circuit contains: one or two silicon photodetectors, two transimpedance amplifiers and output differential amplifier. This solution of light detection is more sensitive and less susceptible to EMD than single transimpedance amplifier. The measurement results of the circuit are presented. At the final part the design recommendations are included.