Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: layered nanostructures

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza profilowa SIMS w zastosowaniu do badań nanostruktur warstwowych

Konarski P., Ćwil M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 6

10-13

Przedstawiono aparaturę badawczą SAJW-05 przeznaczoną do analizy profilowej struktur warstwowych metodą spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS) oraz przykładowe wyniki jej zastosowania do analizy różnorodnych struktur warstwowych. Badano struktury: lasera półprzewodnikowego InAlGaAs/GaAs o grubości warstw 3,7 um, otrzymaną metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), wielowarstwową nanostrukturę B₄C/Mo/Si o grubości warstw 20 nm, otrzymaną metodą naparowania chemicznego (CVD), a także warstwy ochronne TiN i CrN nanoszone metodą plazmową na powierzchnię stali. Zaprezentowano wyniki uzyskane przy różnych parametrach wiązki trawiącej.

Research instrument SAJW-05 designed for secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analysis is presented together with the examples of its application. Analysed layered systems were: semiconductor laser structure InAlGaAs/GaAs of total thickness 3.7 um obtained by molecular beam epitaxy (MBE) multilayer nanostructure B₄C/Mo/Si of total thickness 20 nm obtained by chemical vapour deposition (CVD) and Ti-Cr-N coatings on steel formed by condensation method from a plasma phase. Depth profile analyses were performed using different sputtering conditions. Ultra-low energy bombardment of B₄C/Mo/Si structure resulted in subnanometer depth profile resolution.