Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: layered crystals

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

UV-Induced Anisotropy in CdBr2-CdBr2: Cu Nanostructures

El-Naggar A. M., Albassam A. A., Oźga K., Szota M., Kityk I. V.

Archives of Metallurgy and Materials

2015

Vol. 60, iss. 3A

2029--2032

We have found an occurrence of anisotropy in the nanostructure CdBr2-CdBr2: Cu nanocrystalline films. The film thickness was varied from 4 nm up to 80 nm. The films were prepared by successive deposition of the novel layers onto the basic nanocrystals. The detection of anisotropy was performed by occurrence of anisotropy in the polarized light at 633 nm He-Ne laser wavelength. The occurrence of anisotropy was substantially dependent on the film thickness and the photoinduced power density. Possible mechanisms of the observed phenomena are discussed.

Wykryto pojawienie się anizotropii w nanostrukturalnych warstwach nanokrystalicznych CdBr2-CdBr2: Cu. Grubość warstwy zmieniano w zakresie od 4 nm do 80 nm. Nanostrukturalne warstwy otrzymano poprzez kolejne osadzanie na nowych warstwach na podstawie nanokrystalitów. Detekcję anizotropii wykonano w spolaryzowanym świetle lasera gazowego He-Ne o długości fali 633 nm. Anizotropia optyczna występująca w warstwach w znacznym stopniu zależy od grubości warstwy i gęstości mocy indukowanej światłem. Omówiono możliwe mechanizmy obserwowanego zjawiska.

Studies of CdI2-Bi3 microstructures with optical methods, atomic force microscopy and positron annihilation spectroscopy

Karbovnyk I., Bolesta I., Rovetskii I, Velgosh S, Klym H.

Materials Science Poland

2014

Vol. 32, No. 3

391--395

Results of the comprehensive morphological study of CdI2–BiI3 layered crystals are presented. Direct AFM observations of micro- and nanostructures formed in the volume of the crystals confirm the predictions made on the basis of positron annihilation spectroscopy studies. The model explaining the possible pores formation mechanism is proposed and validated by the results of luminescence measurements at 8 K.

Investigation of crystalline structure defects in high-resistance monocrystals of gallium selenide

Allakhverdiev K., Bikbajevas V., Grivickas V., Odrinski A., Guseinova D., Salaev E., Tarasik M., Fedotov A.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

208-210

The trapping centres in E-GaSe single crystals have been investigated by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS). Five traps have been detected and their parameters are presented. It has been demonstrated that photo-induced depolarization oh the sample after processing in the frame of DLTS procedure could be used for determination of the traps parameters. The parameters of trap A5 obtained from PICTS and photo-induced depolarization relaxation are in close agreement.

Badano centra pułapkowe w pojedynczych kryształach E-GaSe metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PICTS). Wykryto pięć pułapek, których parametry zaprezentowano. Wykazano, że foto-indukowana depolaryzacja próbki po zastosowaniu spektroskopii niestacjonarnej pojemności (DLTS) może być użyta do określenia parametrów pułapek, Parametry pułapki A5 otrzymane przy pomocy PICTS oraz DLTS wykazują wysoki stopień zgodności.