Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2009

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: layer morphology

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Optymalizacja technologii MOCVD pod kątem poprawy morfologii powierzchni warstw HgCdTe

Gawron W., Madejczyk P., Rogalski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 5

67-72

Artykuł przedstawia wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem morfologii powierzchni warstw epitaksjalnych HgCdTe, uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Przedstawiono wpływ wybranych parametrów na morfologię powierzchni warstw oraz omówiono wpływ jakości powierzchni podłoża GaAs i jego orientacji krystalograficznej. Przedstawiono także wpływ grubości warstwy HgCdTe na wielkość chropowatości powierzchni. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007.

This paper presents results of experimental efforts pointed towards morphology improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs substrates. Selected growth parameters on morphology state are presented. The substrate issues such as its quality and crystallographic orientation have been discussed. Also influence of HgCdTe layer thickness on its surface roughness is described. This article presents scientific results of works carried out in Institute of Applied Physics Military University of Technology, accomplished during realization of grant 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by thePolish Ministry of Science and Higher Education.

Surface smoothness improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD

Madejczyk P., Piotrowski A., Kłos K., Gawron W., Rogalski A., Rutkowski J., Mróz W.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

2009

Vol. 57, nr 2

139-146

This paper presents results of experimental efforts pointed towards morphology improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs substrates. Selected growth parameters on morphology state are presented. The substrate issues like its quality and crystallographic orientation have been discussed. Also influence of HgCdTe layer thickness on its surface roughness is described. It is shown that extensive characterization studies using accessible equipments and methods: atomic force microscopy (AFM), secondary electron microscopy (SEM), laser scatterometer and Nomarski microscopy, have provided invaluable information about the correlation between defect formation and the influence of specific growth parameters.