W pracy przedstawiono konstrukcję i technologię planarnego, polowego źródła elektronów. Planarny emiter polowy został fotolitograficznie uformowany z cienkiej warstwy złota naniesionej na utlenione podłoże krzemowe. Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych wykazały, że źródło elektronów w konfiguracji diodowej charakteryzuje się niskim napięciem progowym emisji i dużym prądem. Uzyskane wyniki pozwolą w przyszłości na zastosowanie opracowanego źródła elektronów w miniaturowych urządzeniach próżniowych typu MEMS.
EN
In the paper a construction and technology of the lateral, field-emission electron source are presented. Lateral nanoemitter is made from a thin gold layer, which has been deposited onto oxidized silicon wafer and photolitographically patterned. The obtained diode type structures were tested in oil-free vacuum chamber under the pressure of 2·10 ⁻³ Pa. Measurements of the current-voltage curves showed that the source has a Iow threshold voltage of field-emission (about 15 V) and high emission current (about 1 mAfor 100 V). In future, the presented results allow integration of the lateral field-emission source with miniature MEMS type vacuum devices.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.