Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Rozwój techniki laserowej : 2018

Jabczyński Jan K., Romaniuk Ryszard S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 1

4--15

PL

Artykuł jest przeglądem prac zaprezentowanych w czasie XII Krajowego Sympozjum Techniki Laserowej STL2018 [1]. Sympozjum Techniki Laserowej jest organizowane od roku 1984 co trzy lata [2-11], obecnie co dwa lata. Sympozja STL2016 i STL2018 były zorganizowane przez Instytut Optoelektroniki Wojskowej Akademii Technicznej, we współpracy z Politechniką Warszawską, Uniwersytetem Warszawskim i Politechniką Wrocławską w Jastarni. STL2018 było zorganizowane dniach 25-27 września 2018 roku. Sympozjum stanowi reprezentatywny portret prac prowadzonych w obszarze techniki laserowej w Polsce. Prace Sympozjum STL są tradycyjnie publikowane w serii wydawniczej Proceedings SPIE [12-23]. Spotkanie naukowo-techniczne zgromadziło ok. 120 uczestników którzy zaprezentowali ponad 100 artykułów badawczych i naukowo-technicznych. Krajowe Sympozjum Techniki Laserowej, organizowane obecnie co 2 lata, jest bardzo dobrym portretem rozwoju techniki laserowej i jej zastosowań w Polsce w laboratoriach uniwersyteckich, instytutach resortowych i rządowych, laboratoriach badawczych firm innowacyjnych itp. Sympozjum STL pokazuje także bieżące projekty techniczne, które są realizowane przez krajowe zespoły badawcze, rozwojowe i przemysłowe. Obszar tematyczny Sympozjum STL jest tradycyjnie podzielony na dwa duże pola – postępy techniki laserowej oraz zastosowania techniki laserowej. Nurty tematyczne Sympozjum obejmują: źródła laserowe dla bliskiej i średniej podczerwieni, lasery pikosekundowe i femtosekundowe, lasery i wzmacniacze światłowodowe, lasery półprzewodnikowe, lasery dużej mocy i ich zastosowania, nowe materiały i komponenty dla techniki laserowej, zastosowania techniki laserowej w inżynierii biomedycznej, przemyśle, inżynierii materiałowej, nano- i mikrotechnologiach oraz metrologii.

EN

The paper is a concise digest of works presented during the XIIth National Symposium on Laser Technology (SLT2018) [1]. The Symposium is organized since 1984 every three years [2-11], now every two years. SLT2016 and STL2018 were organized by The Institute of Optoelectronics, Military University of Technology, Warsaw, with cooperation of Warsaw University of Technology, Warsaw University, and Wrocław University of Technology in Jastarnia, STL2018 was organized on 25-27 September 2018. Symposium is a representative portrait of the laser technology research in Poland. Symposium Proceedings are traditionally published by SPIE [12-21]. The meeting has gathered around 120 participants who presented around 100 research and technical papers. The Symposium, organized now every 2 years is a good portrait of laser technology and laser applications development in Poland at university laboratories, governmental institutes, company R&D laboratories, etc. The SLT also presents the current technical projects under realization by the national research, development and industrial teams. Topical tracks of the Symposium, traditionally divided to two large areas – sources and applications, were: laser sources in near and medium infrared, picosecond and femtosecond lasers, optical fibre lasers and amplifiers, semiconductor lasers, high power and high energy lasers and their applications, new materials and components for laser technology, applications of laser technology in measurements, metrology and science, military applications of laser technology, laser applications in environment protection and remote detection of trace substances, laser applications in medicine and biomedical engineering, laser applications in industry, technologies and material engineering.

2

Rozwój techniki laserowej w Polsce : 2016

Jabczyński J. K., Romaniuk R. S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 11

3--12

PL

Artykuł jest przeglądem prac zaprezentowanych w czasie XI Sympozjum Techniki Laserowej STL 2016 [1]. Sympozjum Techniki Laserowej jest cykliczną konferencją naukową organizowaną, co trzy lata od 1984 r. [2–8]. STL 2016, zorganizowane w tym roku przez Instytut Optoelektroniki Wojskowej Akademii technicznej [9] we współpracy z Politechniką Warszawską [10], Uniwersytetem Warszawskim [11] i Politechniką Wrocławską [12], odbyło się w Jastarni w dniach 27–30 września. Sympozjum stanowi reprezentatywny przegląd prac prowadzonych w obszarze techniki laserowej w Polsce. Prace Sympozjum STL są tradycyjnie publikowane w serii wydawniczej Proceedings SPIE od roku 1987 [13–21]. Spotkanie naukowo-techniczne zgromadziło ok. 150 uczestników którzy zaprezentowali ponad 120 artykułów badawczych i naukowo-technicznych. Sympozjum Techniki Laserowej jest miarodajnym obrazem rozwoju techniki laserowej i jej zastosowań w Polsce w laboratoriach uniwersyteckich, instytutach resortowych i rządowych, laboratoriach badawczych firm innowacyjnych, itp. Na konferencji STL prezentowane są także bieżące projekty techniczne, realizowane przez krajowe zespoły naukowe, badawcze-wdrożeniowe i przemysłowe. Zakres tematyczny Sympozjum jest tradycyjnie podzielony na dwa duże obszary – postępy techniki laserowej oraz zastosowania techniki laserowej. Nurty tematyczne Sympozjum obejmują: źródła laserowe dla bliskiej i średniej podczerwieni, lasery pikosekundowe i femtosekundowe, lasery i wzmacniacze światłowodowe, lasery półprzewodnikowe, lasery dużej mocy i ich zastosowania, nowe materiały i komponenty dla techniki laserowej, zastosowania techniki laserowej w inżynierii biomedycznej, przemyśle, inżynierii materiałowej, nano- i mikrotechnologiach, oraz metrologii.

EN

The paper is a concise digest of works presented during the XIth Symposium on Laser Technology (SLT 2016) [1]. The Symposium is organized since 1984 every three years [2–8]. SLT 2016 was organized by the Institute of Optoelectronics, Military University of Technology (IOE WAT) [9], Warsaw, in cooperation with Warsaw University of Technology (WUT) [10], Warsaw University [11], and Wrocław University of Technology [12] in Jastarnia on 27-30 September 2016. Symposium is a representative portrait of the laser technology research in Poland. Symposium Proceedings are traditionally published by SPIE [13–21]. The meeting has gathered around 150 participants who presented around 120 research and technical papers. The Symposium, organized every 3 years, is a reliable image of laser technology and laser applications development in Poland at university laboratories, governmental institutes, company R&D laboratories, etc. The SLT also presents the current technical projects under realization by the national research, development and industrial teams. The works of the Symposium, traditionally are divided in two large areas – sources and applications. The main topics of SLT were: laser sources in near and medium infrared, picosecond and femtosecond lasers, optical fiber lasers and amplifiers, semiconductor lasers, high power and high energy lasers and their applications, new materials and components for laser technology, applications of laser technology in mea surements, metrology and science, military applications of laser technology, laser applications in environment protection and remote detection of trace substances, laser applications in medicine and biomedical engineering, laser applications in industry, technologies and material engineering.

3

Wytwarzanie struktur periodycznych metodą bezpośredniej litografii interferencyjnej w warstwach typu DLC

Czyż K., Marczak J.

Spektrum

|

2014

|

nr 9-10

V--X

PL

W artykule przedstawiono metodę bezpośredniej litografii interferencyjnej, która, obok bezpośredniej obróbki laserowej, najczęściej używana jest do wytwarzania struktur periodycznych, prowadzących do jednoczesnych zmian topografii i mikrostruktury powierzchni. W metodzie tej wykorzystuje się lasery dużej mocy. Modyfikacje powierzchni prowadzą do pożądanych zmian właściwości materiału, z których do najważniejszych można zaliczyć zmiany właściwości mechanicznych (tarcia), optycznych (odbicia) i hydrofobowych (zwilżanie powierzchni). Przedstawiono ogólną charakterystykę podłoży stosowanych do formowania wzorów interferencyjnych. Podano matematyczny opis wytwarzania struktur interferencyjnych za pomocą dwóch, trzech i czterech wiązek laserowych.

EN

Presented is the direct laser interference lithography method which, apart from the direct laser processing, is the most frequently used one for production of periodic structures leading to the simultaneous changes of surface topography and microstructure. For this method high-power lasers are used. Surface modifications lead to desired changes in properties of a material where the most important ones are the changes of mechanical (friction), optical (reflection) and hydrophobic (surface wetting) properties. Presented is the general characteristics of substrates applied for forming of interference patterns. Given is the mathematical description of interference structure production with the use of two, three and four laser beams.

4

Technologia i Zastosowania Laserów 2012

Gajda J., Romaniuk R. S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 11

115-121

PL

Wyniki badań i osiągnięcia techniczne w zakresie laserów są podsumowywane co trzy lata w czasie Krajowego Sympozjum Techniki Laserowej STL, organizowanego od prawie trzydziestu lat w Świnoujściu we wrześniu przez WAT, PW i ZUT. Artykuł przedstawia przegląd prac prezentowanych i dyskutowanych na STL. Pokazano tendencje rozwojowe materiałów laserowych i technologii oraz dziedzin związanych z techniką laserową i optoelektroniką w kraju, włączając w to wysiłki środowiska akademickiego, instytutów PAN i resortowych, oraz przemysłowych ośrodków badawczych. Obok rozwoju laserów, druga część STL jest poświęcona zastosowaniom laserów, gdzie operatorzy systemów laserowych przedstawiają własne osiągnięcia aplikacyjne. Przedstawiono zakresy tematyczne sesji STL oraz plenarne referaty zaproszone wygłoszone przez kluczowych reprezentantów przemysłu laserowego.

EN

The research and technical achievements in the area of lasers are summarized every three years by the National Symposium on Laser Technology held in the Baltic See Resort Świnoujście near Szczecin, Poland. The paper presents a preview of the symposium works to be shown and debated during this key event in September 2012. There are shown development tendencies of laser materials and technologies and laser associated branches of optoelectronics in this country, including the efforts of academia, governmental institutes, research businesses and industry. The second branch of the symposium works are laser applications, where the laser systems operators and laser users present their achievements. Topical tracks of the meeting are presented, as well as the keynote and invited subjects delivered by key representatives of the laser industry.

5

Measurement of Q-Switching & Mode Locking in diode pumped Nd:YVO₄ laser with passive saturable absorbers

Kwiatkowski J., Jabczyński J. K., Żendzian W.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2005

|

Vol. 54, nr 11

35-41

EN

The saturable absorbers (Cr⁴⁺:YAG, GaAs and LiF crystals for 1064 nm wavelength, V³⁺:YAG crystals for 1340 nm respectively) were examined as passive Mode Lockers and Q-switches in diode pumped Nd:YVO₄ lasers in the Z-type resonators. In each case, partially modulated long trains of QML pulses were observed. As a rule, envelopes with about 1 µs duration and more than 50% depth of modulation were observed. For stabilization of the mode locking trains the nonlinear crystals (KTP or LBO) as negative feedback elements were inserted. The fully modulated QML trains for intracavity II harmonic conversion at 670 nm wavelength in V³⁺:YAG Q-switched Nd:YVO₄ laser with LBO crystal were demonstrated.

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań lasera Nd:YVO₄ pracującego w konfiguracji rezonatora typu "Z" z pasywnymi modulatorami dobroci (Cr⁴⁺:YAG, GaAs oraz LiF na długości fali generacji 1064 nm, V³⁺:YAG na dlugości fali 1340 nm). Obserwowano impulsy laserowe z synchronizacją modów o czasie trwania obwiedni około 1 µs i głębokości modulacji powyżej 50%. W celu polepszenia stabilności synchronizowanych modów jako ujemne sprzężenie wykorzystano nieliniowy element w postaci kryształu KTP lub LBO. Zaobserwowano pełną głębokość modulacji promieniowania o długości fali 670 nm w laserze Nd:YVO₄ z przełącznikiem dobroci V³⁺: YAG z przetwarzaniem na II harmoniczną za pomocą kryształu LBO.

6

High-power Yb-doped silica fiber laser

Świderski J., Zając A., Skórczakowski M., Konieczny P.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2004

|

Vol. 50, z. 3

481-487

EN

In this paper high power Yb-doped double-clad fibre lasers is presented. A Yb3+ - silica fiber laser has been cladding pumped at 937 nm by a InGaAs semiconductor laser diode and operated with the slope efficiency of 73 +- 3% with respect to the incident pump power. We obtained 4 W cw-output power when working with 20-m long fibre with laser core in 7 um diameter (cut-off wavelength - 1um) and pump core in 120x120um (rectangle-shaped, NA=0.6). Yb-doping concentration has been at the level 3-10x1019 cm-3 and attenuation in laser core has been 8-12 dB/km. The fiber laser operated at 1084 nm.

PL

Artykuł porusza zagadnienie praktycznej realizacji układu włóknowego lasera dużej mocy. Zagadnienia związane z badaniami, opracowaniem i konstrukcją tego typu układów stanowią w ostatnim czasie jeden z istotniejszych obszarów badań stosowanych w technice laserowej. Układy laserowe zbudowane w oparciu o włókna aktywne typu dwupłaszczowego charakteryzują się m.in. wysoką sprawnością generacji, rozbieżnością wiązki generowanej zbliżoną do rozbieżności dyfrakcyjnej, wysokim poziomem mocy wyjściowej, brakiem konieczności wymuszonego chłodzenia cieczowego. W artykule zaprezentowany został praktyczny układ lasera włóknowego dużej mocy zbudowanego w oparciu o włókno typu "double-clad" domieszkowane jonami iterbu. W prezentowanym układzie (rys.2) jako źródło promieniowania pompującego użyto lasera półprzewodnikowego produkcji niemieckiej (LI-MO - Lissotschenko Mikrooptok GmbH) emitującego maksymalnie 25 W mocy ciągłej na długości fali 937nm. Dioda laserowa zasilana była z układu zasilającego, umożliwiającego pracę ciągłą oraz impulsową (modulacja wewnętrzna - układ sterowania typu SDL830). Wiązka światła generowanego wprowadzana była do włókna aktywnego poprzez dodatkowy światłowód transmisyjny. Dzięki temu nie posiadała ona, typowej dla diod laserowych asymetrii. Dioda LIMO chłodzona była chłodziarką Peltiera oddającą ciepło do chłodnicy wodnej. Regulację temperatury lasera pompującego realizowano za pomocą chłodziarki termoelektrycznej (STEC 01). Na wyjściu układu lasera uzyskano 4 W mocy ciągłej przy sprawności różniczkowej na poziomie 73 +- 3%. Zastosowane włókno aktywne charakteryzowało się rdzeniem o średnicy 7um, płaszczem wewnętrznym w kształcie kwadratu (120x120um) oraz koncentracją domieszki czynnej na poziomie 3-10x1019 cm-3. Laser generował promieniowanie na długości fali 1084nm.