Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  lasery VCSEL
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W niniejszej pracy omówiona została możliwość wykorzystania monolitycznych podfalowych siatek dyfrakcyjnych o wysokim kontraście współczynnika załamania światła (siatek MHCG) jako zwierciadeł w azotkowych laserach VCSEL. Odpowiednio zaprojektowane siatki MHCG mogą cechować się bardzo wysoką odbijalnością. W pracy podano parametry geometryczne siatki MHCG wykonanej z azotku galu i zaprojektowanej na 414 nm, dla której odbijalność przekracza 99,99%. Zakres długości fal, dla których odbijalność takiego zwierciadła przekracza 99% jest wyraźnie większy niż dla zwierciadeł DBR wykonanych z materiałów azotkowych stosowanych w konstrukcjach niebieskich laserów VCSEL.
EN
In this paper we present idea of using monolithic high contrast grating (MHCG) as mirrors in nitride VCSELs. This solution can make nitride VCSEL production easier. Properly designed MHCG made of gallium nitride can be highly reflective structure. We present construction of GaN MHCG mirror designed for 414 nm which for reflectance is higher than 99.99%. The range, where reflectance of MHCG is higher than 99% is much wider than for nitride DBRs.
PL
Przedstawiono zasady działania laserów półprzewodnikowych, ich konstrukcję i podstawowe właściwości. Omówiono ważniejsze zagadnienia dotyczące laserów krawędziowych z rezonatorem Fabry-Perota, DBR i DFB oraz laserów VCSEL, pod względem ich zastosowania w łączach światłowodowych jako nadajników sygnałów optycznych.
EN
Physics fundamentals relevant to semiconductor lasers are recalled. Then edge emitting lasers with Fabry-Perot, DBR and DFB cavities, as well as VCSELs, all designed with respect to applications in fibre optic systems, are described.
3
Content available remote On a possible room-temperature operation of nitride VCSELs
EN
A detailed threshold simulation of a room-temperature operation of possible GaN/AlGaN/AlN vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) is developed in an analytical form to compare usabilities of their various designs. Multiple-quantum-wen VCSEL configurations are proved to be the best suited for this application. Their optimal number of quantum wells is found to be proportional to all optical losses within the laser resonators. Single-quantum-well VCSELs turn out to be very sensitive to any increase in optical losses, which practically excludes them from application at room temperature using currently available technology.
PL
W niniejszej pracy przeprowadzono dokładną analizę progową laserów GaN/AlGaN/AlN typu VCSEL w temperaturze pokojowej w celu porównania działania różnych ich struktur. Analiza wykazała, że najlepszą konfigurację w tym przypadku stanowi struktura wielokrotnych studni kwantowych. Stwierdzono przy tym, że optymalna liczba studni jest proporcjonalna do całkowitych strat optycznych promieniowania. Analogiczna struktura z pojedynczą studnią kwantową okazała się bardzo wrażliwa na wzrost powyższych strat, co praktyczniej wyklucza jej obecne stosowanie w temperaturze pokojowej przy zastosowaniu aktualnie dostępnej technologii.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.