Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  laser VCSEL
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy przedstawiono wyniki komputerowego modelowania półprzewodnikowego lasera VCSEL wykonanego z materiałów bazujących na azotku galu. Analiza dotyczy wpływu niedokładności wykonania różnych elementów konstrukcyjnych lasera na emitowaną przez niego moc. Rozważono różne przesunięcia obszaru czynnego i złącza tunelowego w rezonatorze lasera względem położenia pierwotnie zaprojektowanego. Zbadano również wpływ zmian grubości warstw zwierciadeł DBR na osiągi lasera.
EN
This paper presents results of numerical simulations of a semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser made of nitride materials. The analysis concerns the impact of the imperfections in fabrication of various laser elements on its emitted power. Different locations of the active area and the tunnel junction in the laser resonator with respect to the originally designed structures were considered. The influence of changes in the thickness of the DBR mirrors layers on the laser performance was also investigated.
PL
W artykule przedstawiono projekt azotkowego lasera VCSEL z bezpośrednim wstrzykiwaniem prądu do obszaru czynnego lasera. Bezpośrednie wstrzykiwanie pradu do obszaru czynnego uzyskano stosując zamiast górnrgo zwierciadła DBR zwierciadło w postaci metalizowanej monolitycznej siatki podfalowej o wysokim kontraście współczynnika załamania. Korzystając z autorskiego oprogramowania powstałego w Zespole Fotoniki w Instytucie Fizyki Politechniki Łódzkiej przeprowadzono obliczenia numeryczne pozwalające wyznaczyć podstawowe parametry pracy zaproponowanej struktury laserowej.
EN
The paper presents the design of the nitride-based VCSEL enabling direct current injection into the active region of the laser. The direct injection of current into the active region is possible due to semiconductor-metal subwavelength grating used as top facet mirror. Using the multiphysics model of laser operation developed in the Photonics Team at the Institute of Physics of the Lodz University of Technology, numerical calculations were performed determining fundamental operation parameters of the proposed nitride-based VCSEL.
3
Content available remote Termiczna analiza azotkowych laserów VCSEL ze złączem tunelowym
PL
W pracy przedstawiono wyniki termicznej analizy laserów VCSEL wykonanych z materiałów azotkowych. Badane przyrządy posiadały różne typy dolnych zwierciadeł, dielektryczne lub azotkowe. Analizie termicznej poddano lasery zaprojektowane na dwie różne długości fali z zakresu fioletowo-zielonego.
EN
This paper presents the results of thermal analysis of nitride VCSELs. The structures considered here had different types of bottom mirrors, namely dielectric or nitride. The thermal analysis concerned lasers emitting two different wavelengths from the violet-green spectral range.
PL
W pracy przedstawiono wyniki modelowania półprzewodnikowego lasera o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową wykonanego z materiałów azotkowych. Jednym z kluczowych elementów tych konstrukcji jest warstwa ITO (ang. Indium Tin Oxide) charakteryzująca się wysoką przewodnością elektryczną, ale jednocześnie wysoką absorpcją. Warstwa ta zapewnia odpowiedni rozpływ prądu w strukturze. W pracy przedstawiono wpływ zmian wartości przewodności elektrycznej i absorpcji warstwy ITO na pracę lasera VCSEL. Analizę przeprowadzono dla struktur różniących się długościami rezonatora i aperturami elektrycznymi.
EN
This paper presents results of numerical calculations of a semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser, made of nitride materials. An important element of the structure is a ITO layer, of a high electrical conductivity, but also high absorption. This layer causes a favourable current spreading in the structure. In this paper the impact of the electrical conductivity and absorption in ITO on the VCSEL performance is described for lasers with different electrical apertures and resonator lengths.
PL
W pracy przedstawiono wyniki modelowania lasera złączowego z pionową wnęką rezonansową o emisji powierzchniowej z warstwami oksydowanymi, emitującego falę o długości 980 nm. W ramach pracy przeprowadzono obliczenia cieplne, elektryczne i optyczne dla laserów posiadających dwie oksydacje, umieszczone w węzłach lub poza węzłami fali stojącej. Symulacje pokazały, że nawet niewielkie wysunięcie oksydacji z węzłów fali zmienia istotnie właściwości optyczne lasera.
EN
In this paper are presented results of numerical modeling of an oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser emitting at 980 nm. Simulations of thermal, electrical and optical phenomena were performed for a laser with the oxide layers at nodes of the standing wave and for a laser where the oxide layers were shifted by 20 nm from nodes. The simulations have shown that even such a small displacement change significantly some optical parameters of the laser.
6
Content available remote Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL
PL
W pracy przedstawiono wyniki modelowania półprzewodnikowego lasera złączowego z pionową wnęką rezonansową o emisji powierzchniowej. Laser zaprojektowano na emisję fali 414 nm w oparciu o materiały azotkowe. Modelowany przyrząd miał konstrukcję hybrydową, tzn. z jednej strony posiadał zwierciadła rodzime (AlN/GaN), a z drugiej dielektryczne Ta2O5/SiO2. W pracy wyznaczono rząd modu optycznego jaki wzbudza się w laserze w zależności od jego apertury elektrycznej, długości rezonatora oraz składu molowego jego obszaru czynnego. Dla wybranych warunków pracy określono także selektywność modową przyrządu.
EN
This paper presents results of numerical modeling of a nitride vertical cavity surface emitting laser. This structure of the laser was designed to emit wavelength of 414 nm. Construction of the analyzed laser is hybrid – the bottom DBR is a native AlN/GaN mirror and the top DBR is made from dielectric materials (Ta2O5 and SiO2). In this paper we determined the order of transverse mode which is excited in the active region for different radius of electric aperture, different resonator thicknesses and concentration of indium in the quantum well. For selected parameters mode selectivity was determined.
7
Content available remote Modelowanie i optymalizacja antymonkowych laserów typu VCSEL
PL
W niniejszej pracy zaprezentowano wyniki komputerowej symulacji progowej pracy antymonkowego lasera o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową z wykorzystaniem samouzgodnionego modelu lasera opisującego zjawiska elektryczne, termiczne, rekombinacyjne i optyczne. Obliczenia wykonano dla struktury dostosowanej do emisji promieniowania o długości fali 2,6 μm. Pokazane zostały zalety wprowadzenia ograniczenia dla rozpływu prądu w postaci złącza tunelowego oraz zbadano wpływ przesunięcia warstw powstałego na skutek jego wytworzenia na ograniczanie wzbudzania się modów wyższego rzędu. Zmniejszanie przesunięcia, o wartości początkowej wynoszącej 55 nm, o 35 nm spowodowało wzrost strat dla modów LP11 i LP21 odpowiednio 7 i 25 razy przy wzroście prądu progowego jedynie o 10%. Dalsza redukcja przesunięcia przyczynia się do wyraźnego wzrostu prądu progowego: 20% dla 40 nm oraz 50% dla 45 nm.
EN
In this work results of the threshold operation of antimonide-based vertical-cavity surface-emitting laser have been presented with the aid of the comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal-recombination numerical model. Calculations have been carried out for the structure emitting at 2.6 μm. The advantages of incorporating the tunnel junction for current confinement have been shown and the influence of a layer shift caused by presence of the tunnel junction on the mode selectivity has been examined. It was shown that reducing the layer shift, with initial height equal to 55 nm, by the 35 nm leads to 7 and 25 times higher mode losses for LP11 and LP21 modes, respectively, and only 10% higher threshold current for the LP01 mode. Further reduction of the layer shift leads to high increment of the threshold current value: 20% for 40 nm reduction and 50% for 45 nm one.
8
Content available remote Multimode VCSEL Thermal and Spatial Model
EN
We present a VCSEL model that addresses the spatial dependence and thermal behavior of VCSELs based on multimode rate equations without sacrificing the numerical efficiency demanded by the circuit-level simulation of optoelectronic systems. The model is more comprehensive and parameters are easier to determine. The equivalent circuit of the model and expressions of circuit elements are given. It is implemented into SPICE-like simulators to simulate the dc, ac and transient features of VCSELs. The simulated results exhibit good agreements with references.
PL
Zaprezentowano model lasera typu VCSEL (vertical cavity surface emitting laser). Analizowano właściwości przestrzenne i termiczne. Zaproponowano schemat zastępczy modelu i przeprowadzono symulacje.
PL
W niniejszym artykule omówiony został projekt optycznych linii transmisyjnych pracujących z częstotliwością do 2 GHz. Linie te zostały zbudowane w Katedrze Przyrzadów Półprzewodnikowych i Optotelektronicznych Politechniki Łódzkiej, a ich dokładny opis również znajduje się w niniejszym artykule. W dalszej części artykułu przedstawione zostaly wyniki pomiarów przeprowadzone za pomocą zbudowanych optycznych linii transmisyjnych.
EN
In this paper projects of optical transmission lines operating at high frequency up to 2GHz were discussed Those lines were built in Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices of Technical University of Lodz and their detailed description is placed in this article. In the latter part of this paper results of measurements carried out using optical transmission lines were presented.
PL
W artykule za pomocą dokładnego modelu teoretycznego poddano analizie proces wzbudzania się kolejnych modów promieniowania w rezonatorze lasera złączowego z poprzecznym rezonatorem (typu VCSEL). Powyższa analiza wyjaśniła przyczyny wzbudzania się modów poprzecznych wyższych rzędów w przypadku emisji przez laser wiązki promieniowania większej mocy.
EN
In the present paper, an excitation of successive cavity modes within a vertical-cavity surface-emitting diode laser (VCSEL) is analysed theoretically with the aid of a comprehensive VCSEL model. Reasons of an excitation of higher-order transverse modes in high-output VCSELs has been explained.
PL
Zastosowanie światłowodowych torów równoległych w szybkich transmisjach danych na krótkich dystansach może być rozwiązaniem tak technicznie jak i ekonomicznie korzystniejszym wobec wszystkich alternatywnych. Dostępność matryc laserów VCSEL umożliwia budowę prostych i tanich nadajników światłowodowych dla grubordzeniowych włókien szklanych lub polimerowych operujących na przepływnościach gigabitowych. Zaprezentowano podstawowe własności półprzewodnikowych laserów VCSEL w aspekcie aplikacji światłowodowych. Krótko, porównawczo z włóknami szklanymi, przedstawiono włókna polimerowe i obszary ich aplikacji. Tabelarycznie zestawiono handlowo dostępne moduły torów równoległych.
EN
Application of the parallel optical links for the fast short distance data transmissions may be technical and economical advantage versus any alternative solutions. VCSELs and VCSEL matrices accessible as electronic components makes possible the design of the simple, inexpensive fiber optic drivers for thick core glass or plastic fiber optic ribbons allowing gigabit transmission rates. The basic properties of the VCSELs in aspect of fiber optic applications are presented in the article. Plastic optical fibers comparatively to glass fibers are briefly described. The commercially accessible modules for the parallel links are grouped in the form of table.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.