Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: kwantowe efekty rozmiarowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Detektory średniej podczerwieni (MIR) na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

Gawron W., Orman Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 10

22-24

Artykuł przedstawia wyniki badań średniofalowych detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb. Badania te prowadzone są w VIGO System SA w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007. Podstawę do konstrukcji fotodiod stanowią struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ - MNiSW 02/I/2007, realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.

This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids - type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology VIGO System SA under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.

Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GaInSb

Gawron W., Rogalski A.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2009

Vol. 58, nr 4

7-16

Artykuł przedstawia stan rozwoju nowej generacji detektorów podczerwieni fotodiod z supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. O ich fundamentalnych właściwościach decydują kwantowe efekty rozmiarowe. Ta nowa tematyka badawcza została podjęta w VIGO System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ-MNiSW 02/I/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości fotodiod detektorów podczerwieni na bazie supersieci. Podstawę do konstrukcji fotodiod będą stanowić struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/I/2007 realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.

This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This new scientific program has been undertaken in VIGO System S.A. owing to realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education.