Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2014

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: kubiczny AlN

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie metody IPD do syntezy warstw c-AlN

Chodun R., Nowakowska-Langier K., Okrasa S., Firek P., Szmidt J., Zdunek K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 10

11-13

Azotek aluminium otrzymywany w postaci warstw wzbudza duże zainteresowanie ze względu na swoje właściwości dielektryczne. Typowym produktem syntezy warstw AlN metodami inżynierii powierzchni jest odmiana stabilna h-AlN. Ostatnio zwraca się uwagę na warstwy AlN syntetyzowane w odmianie kubicznej. W artykule opisane zostały badania dotyczące wykorzystania metody IPD do wytwarzania cienkich warstw azotku. Metodą tą uprzednio syntetyzowane były takie materiały, jak: DLC, czy e-BN. Na podstawie badań XRD oraz spektroskopii ramanowskiej warstw AlN wytwarzanych w pracy metodą IPD wykazano, że produktem syntezy jest odmiana kubiczna azotku.

Recently, aluminum nitride (AlN) has attracted much attention due to its electric properties. Typically the AlN that is obtained by using the plasma surface engineering method crystallizes in stable, hexagonal structure. However, it can also be grown in cubic structure. The article describes the research concerning the use of the IPD method to synthesis of thin nitride layers. This method was previously used to synthesis of layers materials such as DLC or e-BN. On the basis of the X-ray diffraction and Raman spectroscopy of the AlN layers produced by the IPD method we demonstrated that, a cubic AlN was synthesized.