Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Jakubowicz J.

1 2003

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: krzywe prądowo-napięciowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Krzywe prądowo-napięciowe a formowanie porowatej struktury w n-Si (111)

Jakubowicz J.

Inżynieria Materiałowa

2003

R. XXIV, nr 1

35--38

Zbadano wpływ reaktywności rozcieńczonego elektrolitu NH4F o różnej molarności i pH na krzywe prądowo-napięciowe i zakres formowania porowatego krzemu. Obróbce elektrochemicznej w rosnącym potencjale poddano krzem monokrystaliczny typu n-Si (111). Przed obróbką elektrochemiczną zastosowano obróbkę chemiczną mającą na celu przygotowanie powierzchni o wysokiej jakości, zbudowanej z tarasów atomowych o szerokości 100/150 nm i wysokości 0,314 nm. Zmiany struktury określono z wykorzystaniem mikroskopu AFM. Wzrost reaktywności wpływa na rozszerzenie potencjałów, w których formowane są pory. Określono, iż większy wpływ wywiera molarność niż kwasowość. W wyniku wzrostu potencjału, z potencjału resztkowego do potencjału, w którym występuje maksymalna gęstość prądu, w krzemie pojawiają się pory o średnicy poniżej 80 nm i głębokości do 12 nm.

Current-voltage characteristics in aspect of porous silicon formation has been investigated in diluted NH4F electrolytes with different molarity and pH. Electrochemical conditioning was done at increasing potential. Monocrystalline n-Si (111) wafers has been investigated. Before electrochemistry experiments chemical cleaning results in high quality surface composed from atomic terraces 100/150 nm wide and 0,314 nm high. The change in surface structure was investigated by AFM. A correlation between different anodisation parameters is done. It was found that molarity is more important than pH of the electrolyte. The potential range of porous silicon formation is extended for higher molarity. When the potential increases from the rest potential to the potential, where the maximum current occurs, in silicon wafer pores appear. The diameter of initial pores estimated to be below 80 nm and depth of pores approach to 12 nm.