Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badania wybranych materiałów optoelektronicznych z wykorzystaniem fototermicznej radiometrii w podczerwieni

Chrobak Ł., Maliński M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 9

122--124

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań materiałów optoelektronicznych z wykorzystaniem fototermicznej radiometrii w podczerwieni (PTR). Opisane zostały szczegóły dotyczące wykorzystanej techniki badawczej. Badania przeprowadzono na próbkach krzemu i krzemu – germanu. Omówiono szczegóły techniczne dotyczące wymagań sprzętowych na potrzeby stanowiska badawczego. W pracy przedyskutowano możliwości interpretacyjne płynące z zastosowania opisanej metody badawczej oraz opisanych modeli matematycznych sygnału PTR.

EN

In this paper the experimental results of the photothermal radiometry (PTR) investigations of the optoelectronic materials have been presented. The details concerning the used technique have been described. Investigations have been performed on the silicon and silicongermanium samples. Details of the experimental set-up have been discussed. In this work the interpretation abilities connected with the usage of the described experimental method and the described PTR signal mathematical models have been discussed.

2

Krzemogerman SiGe w mikroelektronice

Łukasiak L., Jakubowski A., Beck R. B., Pióro Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 4

34-37

PL

Przedstawiono korzystne właściwości materiałowe krzemogermanu oraz jego zastosowanie w przyrządach półprzewodnikowych, takich jak tranzystor bipolarny (baza) oraz tranzystor MOS.

EN

In this paper advantageous material properties of silicon-germanium are presented as well as the application of SiGe in semiconductor devices, such as: bipolar transistor (base) and MOSFET (channel, gate, source and drain contacts).

3

Analiza wpływu parametrów kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora MOS

Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

57-58

PL

Zbadano wpływ parametrów kanału SiGe (zawartość Ge, grubość warstwy SiGe) na charakterystyki C-U kondensatora MOS za pomocą symulacji z użyciem pakietu ATLAS/BLAZE oraz nowego modelu niskoczęstotliwościowej pojemności badanej struktury.

EN

The influence of SiGe channel parameters (Ge content and SiGe layer thickness) on the C-V characteristics of a MOS capacitor is investigated using ATLAS/BLAZE simulations and a new model of LF capacitance of the considered structure.

4

Półprzewodniki a techniki i technologie informacyjne

Jakubowski A., Łukasiak L., Pióro Z.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2004

|

nr 8-9

337-345

PL

Omówiono wpływ mikroelektroniki na rozwój technik technologii informacyjnych, krótko przedstawiono najważniejsze etapy historii mikroelektroniki, przedyskutowano wybrane problemy skalowania tranzystora MOS oraz sposoby ich rozwiązywania, rozważono ograniczenia dla działania prawa Moore'a w przyszłości.

EN

The influence of microelectronics on the development of information technology was described, the most important moments of microelectronics history were briefly presented, selected critical issues of MOSFET scaling were discussed, as well as possible solutions, future limitations to the validity of Moore's law were considered.

5

Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000

Linkowski A., Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 10

24-25

PL

Analiza wpływu domieszkowania i zawartości Ge w bazie tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora przyrządów półprzewodnikowych APSYS 2000.

EN

The influence of such SiGe-base HBT parametrs, as doping and Ge content in the base, on the carrier velocity in the base is studied using APSYS 2000 simulator.