Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Cancer therapeutics strategy using nano-carrier mediated natural drugs

Shaw S., Singh P., Mishra R., Singh R., Nayak R., Bose S.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2022

|

Vol. 114, nr 1

32--41

EN

Purpose: Nucleolin is a multifactorial protein, having a significant role in chromatin remodelling, mRNA stability, ribosome biogenesis, stemness, angiogenesis, etc., thus, it is potential therapeutic target in cancer. The purpose of this paper is to study porous silicon (pSi) nanocarrier-based natural drug delivery system targeting dysregulated nucleolin expression for cancer therapeutics. Design/methodology/approach: Quercetin was loaded in pre-synthesized and characterized pSi nanoparticles, and release kinetics was studied. The study compared the inhibitory concentration (IC50) of quercetin, synthetic drug doxorubicin, and quercetin-loaded pSi nanoparticles. Further, mRNA expression of a target gene, nucleolin, was tested with a quercetin treated breast cancer cell line (MCF-7). Findings: Quercetin-loaded pSi nanoparticles followed first-order release kinetics. IC50 was determined at concentrations of 312 nM, 160 μM, and 50 μM against doxorubicin, quercetin, and quercetin-loaded pSi nanoparticles, respectively. The results further indicated 16-fold downregulation of nucleolin mRNA expression after 48h of quercetin treatment of exponentially growing MCF-7 cells. Research limitations/implications: Whether pSi nanoparticle loaded quercetin can significantly downregulate nucleolin protein expression and its impact on apoptosis, cell proliferation, and angiogenic pathways need further investigation. Practical implications: The practical application of the proposed nanocarrier-based drug delivery system potentially lays out a path for developing targeted therapy against nucleolin-dysregulated cancer using natural products to minimize the side effects of conventional chemotherapeutic drugs. Originality/value: Inhibition of nucleolin and nucleolin regulated pathways using natural compounds and its targeted delivery with nanocarrier is not yet done.

2

Wpływ tylnego lustra dielektrycznego na działanie krzemowych, cienkowarstwowych ogniw słonecznych otrzymanych metodą epitaksji z fazy gazowej

Cieślak K., Fave A., Lemiti M.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

|

2016

|

z. 63, nr 4

71--77

PL

Metoda epitaksji z fazy gazowej została użyta do wytworzenia krzemowych, cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Emiter wyprodukowanych ogniw fotowoltaicznych był typu p i znajdował się po tylnej stronie ogniwa, a absorberem był krzem typu n. W celu obniżenia kosztów produkcji aktywnej warstwy, został użyty dwuwarstwowy krzem porowaty wytworzony na krzemie monokrystalicznym. Krzem porowaty składał się z warstwy o wysokim stopniu porowatości oraz warstwy o niskim stopniu porowatości, obecnej na powierzchni. Takie rozwiązanie pozwala na wzrost monokrystalicznej warstwy o wysokiej jakości oraz na odczepienie jej od podłoża wzrostowego i ponowne jego użycie w kolejnym procesie wzrostu epitaksjalnego. Dodatkowo w celu zwiększenia odpowiedzi ogniw słonecznych na fale elektromagnetyczne w zakresie 700 nm – 1200 nm, zostało opracowane i naniesione lustro dielektryczne składające się z warstwy SiNx/SiOx lub pojedynczej warstwy SiNx. Warstwa aktywna wraz z naniesionym lustrem była podda badaniu na współczynnik odbicia światła o długości fali z w/w zakresu. W celach porównawczych zostały zbadane próbki z dwoma różnymi lustrami oraz próbka referencyjna bez lustra. Badania wykazały, że zastosowane lustro dielektryczne spełnia swoje zadanie i zwiększa współczynnik odbicia światła o ponad 70%. Oznacza to, że zastosowanie w/w lustra dielektrycznego będzie miało pozytywny wpływ na współczynnik absorpcji światła w ogniwie fotowoltaicznym, co będzie się bezpośrednio przekładało na jego parametry elektryczne.

EN

Vapor phase epitaxy (VPE) method was used to fabricate thin film silicon solar cells. Active layer was build with p type back side emitter, n type absorber and n+ type front surface field (FSF). In order to reduce costs of production double porous silicon structure was fabricated on a monocrystalline silicone. Porous silicon had a one low porosity layer on the top of a growth substrate and high porosity area just underneath the low porosity film. That kind of structure enabled to perform growth of a monocrystalline epitaxial silicon layer. During growth, the high porosity area was degraded due to a high temperature treatment and after the process detachment of an active layer was possible. After additional cleaning seed substrate can be reused in another VPE process. In order to increase spectral response of fabricated solar cells to low energy photons from a wavelength range 700 nm – 1200 nm, dielectric mirror was developed and deposited. Two structures were checked – double layer build with SiOx/SiNx and one layer of SiNx. Active layer grown by means of VPE with a dielectric mirror deposited was examined in order to establish reflectivity from a given structures. In order to make comparison, reference sample was fabricated. It had the same structure of an active layer but there was no dielectric mirror deposited. Analysis of the results showed that the dielectric mirror works as expected and reflectivity in a wavelength range 700 nm – 1200 nm, is more than 70% higher for the structure with the dielectric mirror compared to the reference sample. It means that proposed solution would increase the absorbance inside the material and would have a positive influence on the thin silicon solar cells performance.

3

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego

Sarnecki J., Brzozowski A., Lipiński D.

Materiały Elektroniczne

|

2014

|

T. 42, nr 1

24--31

PL

Określono warunki i opracowano metodę otrzymywania folii krzemowych o grubości do ~ 100 μm i wymiarach 50 x 50 mm. Metoda ta polega na odrywaniu warstw epitaksjalnych osadzanych na porowatej powierzchni płytki krzemowej typu p+. Opracowano oryginalną metodę odrywania warstwy epitaksjalnej łączącą działanie obniżonego ciśnienia i kąpieli w gorącej wodzie.

EN

A method of obtaining silicon foil with the thickness of up to 100 μm and dimensions 50 x 50 mm was worked out and experimental conditions were determined. This technique consists in the separation of epitaxial layers deposited on the porous surface of the p+ silicon wafer. Such an original method of epitaxial layer separation, combining the effect of low pressure and a bath in hot water, was developed.

4

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym

Lipiński D., Sarnecki J., Brzozowski A., Mazur K.

Materiały Elektroniczne

|

2012

|

T. 40, nr 3

28-37

PL

Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.

EN

The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.

5

Wykorzystanie mikroskopii sił atomowych w badaniach nad formowaniem powierzchni krzemowych ogniw słonecznych

Waczyński K., Filipowski W., Panek P., Drabczyk K., Olechowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

83-86

PL

Przedstawiono wyniki oceny wyglądu powierzchni krzemu mono i multikrystalicznego poddanego procesowi trawienia. Proces trawienia prowadzony byt w celu wytworzenia określonego typu tekstury lub utworzenia porów na powierzchni Si. Zabieg rozwinięcia powierzchni podłoży krzemowych jest podstawową operacją w technologii struktur fotowoltaicznych, umożliwiającą podniesienie sprawności przetwarzania energii w ogniwie. Do oceny wyglądu powierzchni wykorzystano mikroskop sił atomowych. Stwierdzono, że do poprawnej interpretacji uzyskanych obrazów konieczne jest wykonanie co najmniej kilku zdjęć tej samej powierzchni. Posługiwano się obrazami AFM: zmiennej siły inaczej błędu regulacji, obraz sił tarcia rejestrowany w kierunku skanowania, obraz sił tarcia rejestrowany przy ruchu powrotnym ostrza, topografii przedstawionej dwuwymiarowo, topografii przedstawionej trójwymiarowo. Uzyskane rezultaty potwierdziły przydatność testowanych mieszanin i procedur trawiących.

EN

The article describes the assessment of the physical state of mono and multicrystalline silicon surface etached. Etaching was used to create a specific texture or macropores (so called acidic textre) on SI surface. The process of texturizing silicon wafers is one of the basic operations of photovoltaic structure technologies which improves the performance of light conversion into energy in a PV cell through the minimization of radiation reflection from the silicon surface. The study focuses only on the first stage of PV cell fabrication. An AFM microscope was applied to the assessment of the physical state of silicon surface. It has been found that the correct interpretation of resuits requires several different AFM images of the same surface. The images used in the study concerned: a) changeable force, b) side friction forces, c) side friction forces determined when the pin moves in the opposite direction, d) topography, e) 3-D topography. The results confirmed the usefulness of the mixtures and etching procedures employed.

6

Experimental and computational results of porous silicon formation

Jakubowicz J.

Inżynieria Materiałowa

|

2007

|

Vol. 28, nr 3-4

261-264

EN

The properties of porous silicon prepared at different illumination and electrochemical conditions were studied. Here, the illumination was applied from the backside of the wafer (side not immersed in the electrolyte), from the topside (side immersed in the electrolyte), and for the highly doped silicon, etching proceeds without illumination. The electrolyte contains HF in the range of 2-50 wt%. These conditions results in the pores formation with diameter in the range of 20 nm to 3 nm. The smallest pore size was obtained for highly doped n-Si (111) wafers, etched without illumination. The experimental results were compared with computational simulations of pore nucleation and growth. It was find that the electric field enhancement occurs at the pore bottom, leading to focusing of the holes trajectories. This leads to weakening of the Si-Si backbonds resulting in easy atom removing. The maximum electric field was observed at the semispherical pore bottom.

PL

Krzem porowaty wytworzono w różnych warunkach oświetleniowych i elektrochemicznych. Powierzchnię krzemu oświetlano od tyłu (powierzchnia nie zanurzona w elektrolicie), góry (powierzchnia zanurzona w elektrolicie) i dla krzemu wysokodomieszkowanego trawienie przeprowadzono bez oświetlenia. Stosowano elektrolit o zawartości 2-50 wag.% HF. Takie warunki trawienia umożliwiły otrzymanie porów o średnicy od 20 nm do 3 urn. Najmniejsze pory otrzymano dla wysokodomieszkowanego n-Si (111) trawionego bez oświetlenia. Wyniki badań eksperymentalnych porównano z symulacjami komputerowymi zarodkowania i wzrostu porów. Zwiększone pole elektryczne, które występuje na dnie porów, prowadzi do ogniskowania trajektorii dziur (ładunków dodatnich). Prowadzi to do osłabienia wiązań wstecznych Si-Si, ułatwiając usuwanie atomów. Maksymalne pole elektryczne występuje na półkolistym dnie porów.

7

Badanie transportu nośników w niedomieszkowanym krzemie porowatym metodą niestacjonarnego fotoprzewodnictwa

Bratkowski A., Łukasiak Z., Korcala A., Borowski P., Bała W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 10

15-16

PL

Warstwy krzemu porowatego otrzymano metodą elektochemicznej anodyzacji krzemu typu p. Wykonano pomiary krzemu typu p. Wykonano pomiary przebiegów czasowych fotonapięcia dla różnych długości fal światła wzbudzającego w różnych temperaturach. Pomiary pozwoliły wyznaczyć ruchliwość nośników prądu oraz określić energię głębokich poziomów w strukturze krzemu porowatego.

EN

Porous silicon layers were produced by electrochemical anodisation method. Photocurrent curves at different wavelength of excitation, temperatures and polarization voltages have been measured. Mobility of carriers and deep level energies were determined from photovoltage curves.

8

Krzywe prądowo-napięciowe a formowanie porowatej struktury w n-Si (111)

Jakubowicz J.

Inżynieria Materiałowa

|

2003

|

R. XXIV, nr 1

35--38

PL

Zbadano wpływ reaktywności rozcieńczonego elektrolitu NH4F o różnej molarności i pH na krzywe prądowo-napięciowe i zakres formowania porowatego krzemu. Obróbce elektrochemicznej w rosnącym potencjale poddano krzem monokrystaliczny typu n-Si (111). Przed obróbką elektrochemiczną zastosowano obróbkę chemiczną mającą na celu przygotowanie powierzchni o wysokiej jakości, zbudowanej z tarasów atomowych o szerokości 100/150 nm i wysokości 0,314 nm. Zmiany struktury określono z wykorzystaniem mikroskopu AFM. Wzrost reaktywności wpływa na rozszerzenie potencjałów, w których formowane są pory. Określono, iż większy wpływ wywiera molarność niż kwasowość. W wyniku wzrostu potencjału, z potencjału resztkowego do potencjału, w którym występuje maksymalna gęstość prądu, w krzemie pojawiają się pory o średnicy poniżej 80 nm i głębokości do 12 nm.

EN

Current-voltage characteristics in aspect of porous silicon formation has been investigated in diluted NH4F electrolytes with different molarity and pH. Electrochemical conditioning was done at increasing potential. Monocrystalline n-Si (111) wafers has been investigated. Before electrochemistry experiments chemical cleaning results in high quality surface composed from atomic terraces 100/150 nm wide and 0,314 nm high. The change in surface structure was investigated by AFM. A correlation between different anodisation parameters is done. It was found that molarity is more important than pH of the electrolyte. The potential range of porous silicon formation is extended for higher molarity. When the potential increases from the rest potential to the potential, where the maximum current occurs, in silicon wafer pores appear. The diameter of initial pores estimated to be below 80 nm and depth of pores approach to 12 nm.

9

Luminescence of porous silicon and porous silicon encapsulated structures.

Monastyrskii L.S, Olenych I.B., Parandii P.P.

Optica Applicata

|

2000

|

Vol. 30, nr 4

641-646

EN

Spectroscopic properties of encapsulated porous silicon (PS) have been studied in detail. In order to investigate different heterostructures of porous silicon a complex of analysis methods such as photoluminescence (PL) electroluminescence (EL), cathodoluminescence (CL) and thermostimulated depolarisation (TSD) were applied. The process of light emission shows a tendency to decrease. This decrease varies for different kinds of luminescence. The EL intensity dynamics depends on polarization effects in porous silicon.

10

Krzem porowaty. Otrzymywanie, własności, zastosowanie

Nossarzewska-Orłowska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

Vol. 40, nr 2

3-6

PL

Krzem porowaty jest coraz częściej stosowany w technologii przyrządów krzemowych. W artykule opisano proces otrzymywania krzemu porowatego przez elektrochemiczne trawienie krzemu w HF oraz zależność mikrostruktury od warunków trawienia. Podano przykłady najważniejszych zastosowań. Zainteresowanie tym materiałem wzrosło po odkryciu w 1990 r. jego własności fotoluminescencyjnych, z którymi wiąże się możliwość zintegrowania przyrządów mikro- i optoelektronicznych na płytce krzemowej. Dzięki dużej powierzchni właściwej, krzem porowaty jest bardzo aktywny chemicznie, co wykorzystywane jest w technologii przyrządów SOI oraz w mikromechanice.

EN

Porous silicon (PS) is a promising materiał for silicon devices technology. This paper gives a short description of the PS formation by the electrochemical dissolution of silicon in HF and the dependence of its microstructure on the anodization conditions. In the following a brief overview of the most important applications is given. The discovery of photoluminescence in 1990 and the understanding of the growth of nanostructures has opened the way to the integrated micro- and optoelectronic devices on the same silicon wafer. Another interesting feature is a large specific internal surface of PS and its chemical acivity. The applications of PS in the dielectric isolation of integrated devices, in particular the fabrication of Silicon On Insulator (SOI) structures, and in the silicon micromachining are shown.