Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  kryształ bliźniaczy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Wzrost kryształów (SrAl0,5Ta0,5O3)1-x (LaAlO3)x ((SAT)1-x(LA)x) metodami Czochralskiego i topienia strefowego został zbadany w całym zakresie koncentracji poszczególnych składników; struktura otrzymanych kryształów została zbadana metodami dyfrakcji rentgenowskiej. Zaproponowano schematyczny diagram fazowy tych materiałów; roztwory stałe istnieją w zakresie koncentracji 0 mniejsze lub równe x mniejsze lub równe 0,5, w którym kryształy mają strukturę regularną. Metodą Czochralskiego można otrzymać monokryształy w zakresie koncentracji x=0,23/0,41. W otrzymanych kryształach nie stwierdzono występowania przejść fazowych ani zbliźniaczeń niskokątowych. Odpowiedni zakres wartości stałych sieci, wysoka temperatura topnienia tych materiałów wynosząca blisko 1850 stopni Celsjusza wskazuje na ich dobrą termiczną i chemiczną stabilność przy wykorzystaniu jako podłoży dla epitaksji HTSc perowskitów manganowych i GaN.
EN
Crystals of (SrAl0,5Ta0,5O3)1-x (LaAlO3)x ((SAT)1-x(LA)x) were obtained by the Czochralski and floating zone method in whole composition range; structure of these crystals was investigated by X-ray measurements. A schematic phase diagram of this solution is proposed; it was found that solid solutions exist at concentration 0 lto x lto 0.5 and crystals adopt cubic structure. The Czochralski method was successfully used to grow of single crystals with x=0.23/0.41. Structural phase transitions and tendency to formation of twins were no stated. The proper range of lattice parameters and high melting point close to 1850 degrees centigrade indicate their high thermal and chemical stability. Therefore these crystals may be used as substrates for the growth of HTSc, manganites or GaN epitaxial layers.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań wybranych elementów substruktury związanych z wybuchowym umacnianiem staliwa Hadfielda w warunkach obróbki energią detonacji. Umocnienie przeprowadzono na płytach staliwnych o grubości około 30 mm, które po przesyceniu w wodzie z temperatury 1323 K poddano wielowariantowej obróbce detonacyjnej. Umocnienie przeprowadzono przez jednokrotne, dwu- lub trzykrotne zdetonowanie na powierzchni płyt, cienkich- o grubościach 2, 3, lub 4 mm warstw materiału wybuchowego. Stwierdzono, że umocnienie staliwa Hadfielda w warunkach działania bardzo szybkiej, o dużej energii fali detonacyjnej jest wynikiem silnego i złożonego z wielu elementów, zdefektowania austenitycznej osnowy. Składnikami substruktury, które w stosunku do wyjściwego stanu przesyconego uległy najsilniejszym zmianom są gęstość, wielkość, rozkład dyslokacji, silne zaburzenie sekwencji ułożenia płaszczyzn atomowych, przejawiające się obecnością licznych błędów ułożenia, redystrybucja atomów węgla w otoczeniu atomów żelaza, obecność mikrobliźniaków odkształcenia. Badania ilościowe występowania podstawowych elementów tego zdefektowania, umożliwiły hierarchizację ich wkładu w umocnienie.
EN
The paper presents experimental results for selected crystal substructure elements occuring in Hadfield cast steel strengthened by explosion method. The strengthening has been performed for cast steel plates of about 30 mm thick, which after solution in water from the temperature of 1323 K have been explosion-treated according to the multioptional programme. It included single, double or triple detonation of flat charges (being 2,3 and 4 mm thick) of explosive placed on the plate surfaces. It has been found that the strengthening of Hadfield cast steel caused by a detonation wave of great energy and velocity is a result of multiple defects of various kinds introduced into the austenitic matrix. The most significant changes of the matrix substructure, as compared to the initial supersaturated state, are as follows: change in density, size and distribution of dislocations, significant disturbances in a sequence of atomic planes resulting in a presence of numerous stacking faults, redistribution of carbon atoms in the vicinity of iron atoms, the presence of deformation microtwins. Quantitative measurements concerning the occurence of main types of defects have enabled to give the hierarchical order to their contribution to the strengthening effect.
EN
A close relation between the gamma/b stress and two types of twin-dislocation interaction in face centered cubic crystals was found. The interaction between a growing twin and a substructure of perfect dislocations leads to the load drop (LD) twinning, which is to occur, if the gamma/b stress is satisfied on the habit plane only. The interaction between a growing twin and a substructure dominated by imperfect dislocations leads to the no load drop (NLD) twinning, but now, the gamma/b stress must be satisfied on the habit plane and on any other, non-habit, close packed plane of crystal lattice. It is also suggested, that a mechanism of the incorporation of imperfect dislocation into a growing twin basis on an imperfect-perfect dislocation conversion.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.